一种柔性超支化半互穿氟硅聚酰亚胺薄膜及其制备方法技术

技术编号:8732896 阅读:314 留言:0更新日期:2013-05-26 10:57
本发明专利技术公开了一种柔性超支化半互穿氟硅聚酰亚胺薄膜及其制造方法,由三氨基化合物、二羟基-二氨基化合物、二胺、二酐、硅烷化合物制备而成。本发明专利技术中首先制备出了含氟或含氟含硅的线性聚酰胺酸以及含有羟基的超支化聚酰胺酸,然后将含有羟基的超支化聚酰胺酸与正硅酸酯及硅烷偶联剂的水解产物反应得到了含交联硅氧组分的支化聚合物,之后与线性聚酰胺酸以不同比例混合,经挤出涂覆流延成膜、亚胺化和高温热处理后得到了具有半互穿网络结构的柔性超支化氟硅聚酰亚胺薄膜。采用本发明专利技术方法制备的聚酰亚胺薄膜具有低介电常数,低吸湿率及低线膨胀系数等特性,在柔性印刷电路板(FPC)、液晶显示和光伏能源等领域有广阔应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种超支化、半互穿氟硅聚酰亚胺薄膜及其制备新方法,属于聚合物薄膜

技术介绍
聚酰亚胺是指主链上含有酰亚胺环的一类聚合物。具有耐高温、耐腐蚀和优良的电性能,在薄膜、涂料、耐火材料、电气领域得到了广泛应用。近年来关于其在柔性可印刷线路板、液晶显示及光伏领域也获得了极大的深入研究和广泛应用。而在柔性印刷线路板、液晶显示及光伏领域的应用也对聚酰亚胺薄膜的理化性能提出了新的更高的要求:(I)极低的介电常数,以避免介电损失所带来的功耗;(2)极低的热膨胀系数(CET),以避免在温度改变时聚酰亚胺薄膜因膨胀或收缩与基底剥离;(3)极低的吸湿性,以避免吸湿对电学器件的电学性能产生不良影响。在聚酰亚胺中引入硅氧结构可以提高复合材料黏接性、热稳定性,并同时降低其吸湿性、热膨胀系数及介电常数。但主链上引入聚硅氧烷结构常常因为硅氧烷为软段,而导致聚酰亚胺材料的玻璃化转变温度下降,同时材料的热尺寸稳定性和硬度也会下降。美国专利US8080631B2公开里一种制备含硅超支化聚酰亚胺的方法,制备出的含硅氧烷软段部分的超支化聚酰亚胺制成的薄膜有良好的透气性能,低的介电性能以及对不同基底材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种线性含氟聚酰胺酸,其特征在于,所述线性含氟聚酰胺酸由下述的二酐和二胺合成,二胺和二酐至少有一种为含氟化合物;所述二酐为以下任意一种:以及5,5’?(1,1,3,3?四甲基?二硅氧烷)降冰片烯二酸酐;1,1,3,3?四甲基二硅氧烷?双苯甲酸二酐;α,β?双苯甲酸酐?聚二甲基硅氧烷;所述二胺为以下任意一种或其组合物:其中,Rf为以下任意一种:——CF3——OCF3——CF2CF2H;R为选自C1~C5的亚烷基,R1~R8选自H、C1~C5烷基、C7~C12的亚芳基、C7~C12的亚芳烷基,n=1~10;m=2,5,6,9;所述线性含氟聚酰亚胺酸,其固含量为20%的DMF溶液在20℃下测定黏度为...

【技术特征摘要】
1.一种线性含氟聚酰胺酸,其特征在于,所述线性含氟聚酰胺酸由下述的二酐和二胺合成,二胺和二酐至少有一种为含氟化合物;所述二酐为以下任意一种:2.根据权利要求1所述线性含氟聚酰胺酸,其特征在于,所述二胺是具有二个羟基的二胺;所述线性含氟聚酰胺酸还经过含硅化合物交联处理;所述含硅化合物为正硅酸酯Si (OR1)4或其与具有SiR2(OR1)3结构的硅烷偶联剂的任意比例组合物;上述两类含硅化合物中R1为甲基、乙基、苯基或乙稀基,R2为甲基、乙基、氣丙基、环氧基、疏丙基、缩水甘油酿氧基丙基、甲基丙稀酸氧基丙基;最优化地,所述娃烧偶联剂包括乙稀基二乙氧基娃烧、乙烯基二甲氧基娃烧、Y _氨基二乙氧基娃烧、3-缩水甘油醚氧基丙基二甲氧基娃烧、γ-(甲基丙烯酸氧)丙基二甲氧基娃烧、Y ~疏丙基二乙氧基娃烧、N- β -(氨基 -氨基丙基二甲氧基硅烷或其组合物。3.一种超支化含氟聚酰胺酸,其特征在于,所述超支化含氟聚酰胺酸由三氨基化合物、二胺和二酐制备而成,二胺和二酐至少有一种为含氟化合物;所述三氨基化合物为以下任意一种:4.根据权利要求3所述柔性超支化氟硅聚酰胺酸,其特征在于,所述二胺和二酐至少一种为含S1-O-键结构的化合物。所述含S1-O-键结构的二胺为下述任意一种或其组合物:5.根据权利要求4所述超支化含氟聚酰胺酸,其特征在于,所述二胺为以下任意具有二个羟基的二胺,6.一种超支化含氟聚酰亚胺,其特征在于,取权利要求1或2所述线性含氟聚酰胺酸和权利要求3-5任一所述的超支化含氟聚酰胺酸混合,采用任意一种已知的亚胺化方法进...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄渝鸿邢涛李晓敏袁萍黄樯
申请(专利权)人:华威聚酰亚胺有限责任公司黄渝鸿
类型:发明
国别省市:

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