一种利用扫描电镜在单根微纳线上制作金属电极的方法技术

本发明专利技术一种利用扫描电镜在单根微纳线上制作金属电极的方法，属于微纳器件设计及制造领域。本发明专利技术仅利用简单的扫描电镜及镀膜仪，通过在单根微纳线两端制作金属电极。电极覆盖在微纳线上面，与微纳线形成稳固的电极接触，保证了电性能测量过程中信号的稳定性。作为电极的金属可以有多种选择，为设计构建多种形式的微纳器件提供了技术支持。制作过程不使用FIB等昂贵设备，达到了制作同样电极的效果，节约成本，简便易行。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，属于微纳器件设计及制造领域。
技术介绍
实现单根微纳线与金属电极之间的良好接触，是一直以来研究单根微纳线的电性能和利用单根微纳线构建微纳器件的瓶颈性关键科学技术问题。单根微纳线作为微纳机电系统中的基本功能单元，材料与电极之间良好的表面界面接触是充分发挥单根微纳线力光电性能的基础，是设计新型微纳器件的前提。以纳米ZnO为例，目前解决单根ZnO微纳线与金属电极的接触大致可以分为以下四种途径。第一，在预先做好的金属微电极上随机撒上ZnO微纳线，依靠ZnO微纳线与电极之间的范德瓦尔斯吸附力实现电极接触。2002年，《Advanced Materials)), vol.14,158-160上的“单根纳米线构建的紫外光探测器和光开关”(Nanowire ultravioletphotodetectors and optical switches)一文中报道了利用洒在金属Au电极上ZnO纳米线与Au电极的接触，测量了单根ZnO纳米线的紫外响应性能。同样也是在Au电极上，2006年，《Nano Letters)), vol.6, 263-266上的“在Au电极间通过电泳构建ZnO纳本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用扫描电镜在单根微纳线上制作金属电极的方法，其特征在于：?a.?在绝缘硅片衬底(1)上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯PMMA电子束刻蚀胶(2)，并烘烤固膜；b.?电子束刻蚀:将上述步骤处理后的绝缘硅片置于扫描电镜中，调整电镜放大倍数，使电子束辐照一小部分PMMA，辐照面积等同于电镜显示器画面代表面积；c.?显影定影:?使用显影液和定影液洗去受电子束辐照而降解的PMMA；d.?直流溅射:?将经步骤c处理后的绝缘硅片放入直流溅射仪中，进行金属的直流溅射，形成厚度为100nm的金属薄膜；e.?剥离余胶:将经步骤d处理后的绝缘硅片分别泡在丙酮、乙醇、异丙醇中各超声60秒，将尚未曝光的PMMA清除并清洗干净...

【技术特征摘要】
1.一种利用扫描电镜在单根微纳线上制作金属电极的方法，其特征在于: a.在绝缘硅片衬底(I)上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯PMMA电子束刻蚀胶(2)，并烘烤固膜； b.电子束刻蚀:将上述步骤处理后的绝缘硅片置于扫描电镜中，调整电镜放大倍数，使电子束辐照一小部分PMMA，辐照面积等同于电镜显示器画面代表面积； c.显影定影:使用显影液和定影液洗去受电子束辐照而降解的PMMA; d.直流溅射:将经步骤c处理后的绝缘硅片放入直流溅射仪中，进行金属的直流溅射，形成厚度为IOOnm的金属薄膜； e.剥离余胶:将经步骤d处理后的绝缘硅片分别泡在丙酮、乙醇、异丙醇中各超声60秒，将尚未曝光的PMMA清除并清洗干净，最终在绝缘硅片衬底上得到材质为溅射金属的标记； f.将微纳线分散在异丙醇溶液里，并滴加到经步骤e处理后的绝缘硅片衬底(上，在扫描电镜中，读出并记录下金属标记的绝对位置，并记录下微纳线(3)上预作金属电极处的绝对位置，算出预作金属电极处对金属标记的相对坐标位置(XI，Yl)及(X2，Y2)； g.在经步骤f处理后的绝缘硅片重复步骤a处理； h.将经步骤g处理后的绝缘硅片置于扫描电镜中，在扫描电镜中聚焦对准金属标记，并记录下此时...

【专利技术属性】
技术研发人员：张跃，李馨，齐俊杰，张骐，张虹，
申请(专利权)人：北京科技大学，
类型：发明
国别省市：