一种阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种阵列基板，包括：衬底基板、形成于所述衬底基板上的氧化物薄膜晶体管以及钝化层和像素层，其中，所述氧化物薄膜晶体管中的栅绝缘层采用的材料为非感光型有机树脂。本实用新型专利技术还公开了一种显示装置，采用本实用新型专利技术能有效降低功耗，且使底层平坦化。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。
技术介绍
在薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)阵列结构中，常以氮化娃(SiNx)作为栅绝缘层，且栅绝缘层形成于栅电极和源漏信号电极之间，由于氮化硅本身介电常数较高，使得栅绝缘层电容较高，因此可有效提升充电电流值，缩短充电时间。但是，较高的充电电流值会使栅电极和源漏信号电极之间的电容变得较大，该电容直接影响显示屏的功耗，从而使得显示屏的耗电量明显变大；同时，以氮化硅(SiNx)为栅绝缘层，其平坦性较差，凹凸不平的表面对后端的对盒工艺中的液晶取向工艺造成较大的影响，使得液晶取向紊乱，易造成显示异常。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的主要目的在于提供一种阵列基板及显示装置，能防止充电电流损失的同时降低功耗，且能使底层平坦化。为达到上述目的，本技术的技术方案是这样实现的:本技术提供了一种阵列基板，包括:衬底基板、形成于所述衬底基板上的氧化物薄膜晶体管，以及钝化层和像素电极，其中，所述氧化物薄膜晶体管中包括采用非感光型有机树脂形成的栅绝缘层。这里，所述非感光型有机树脂包括主链上含有S1-C和/或S1-O结构的非感光型有机树脂；所述非感光型有机树脂形成的栅绝缘层具有平坦化的表面结构；所述钝化层为采用的材料包括氮化硅、有机树脂材料中至少一种的钝化层；所述氧化物薄膜晶体管包括:栅电极、形成于所述栅电极上的栅绝缘层、形成于所述栅绝缘层上的氧化物半导体层、形成于所述氧化物半导体层上的源信号电极、漏信号电极以及沟道；或者，所述氧化物薄膜晶体管包括:源信号电极、漏信号电极和沟道，以及形成于所述源信号电极、漏信号电极和沟道上的氧化物半导体层、形成于所述氧化物半导体层上的栅绝缘层、形成于所述栅绝缘层上的栅电极。本技术还提供了一种显示装置，所述显示装置包括本技术公开的任意一种的阵列基板。本技术所提供的阵列基板，具有以下的优点和特点:本技术中的栅绝缘层采用主链上含有S1-C和/或S1-O结构的非感光型有机树脂材料代替氮化硅材料，如此，一方面，由于非感光型有机树脂材料的介电常数较氮化硅材料的介电常数低，可有效降低显示屏功耗；另一方面，由于有机树脂材料为平坦化、均匀性好的材料，可有效改善栅绝缘层凹凸不平的现象，使得栅绝缘层平坦化，进而使阵列基板整体平坦，提高后续工艺的可控性。另外，虽然本技术采用的非感光型有机树脂的介电常数比较低，会影响阵列基板的充电电流，但是，通过采用氧化铟锡材料制作氧化物半导体层，可有效弥补充电电流的损失；且由于非感光型有机树脂材料中不含H元素，因此，可较好地防止氧化物薄膜晶体管充电电流的特性变差。附图说明图1为实施例1阵列基板的组成结构示意图；图2为实施例2阵列基板的组成结构示意图。附图标记说明1、衬底基板，2、栅电极，3、栅绝缘层，4、氧化物半导体层，5、源漏信号电极层，5a、源信号电极，5b，漏信号电极，6、钝化层，7、过孔，8、像素电极，9、沟道具体实施方式下面将结合具体实施例及附图对本技术的实施方式进行详细描述。实施例1图1为实施例1阵列基板的组成结构示意图,如图1所示,所述阵列基板包括:衬底基板1、形成于所述衬底基板上的氧化物薄膜晶体管，以及钝化层6和像素电极8 ;其中，所述氧化物薄膜晶体管中的栅绝缘层采用非感光型有机树脂形成。本技术所述阵列基板中的栅绝缘层采用非感光型有机树脂材料代替氮化硅材料，如此，一方面，由于非感光型有机树脂材料的介电常数较氮化硅材料的介电常数低，可有效降低显示屏功耗；另一方面，由于有机树脂材料为平坦化、均匀性好的材料，可有效改善栅绝缘层凹凸不平的现象，使得栅绝缘层平坦化，进而使阵列基板整体平坦，提高后续工艺的可控性，例如可以大幅度降低液晶器件制造过程中的对盒摩擦(cell rubbing)工艺的端差，提升产品特性。另外，虽然本技术所述阵列基板采用的非感光型有机树脂的介电常数比较低，会影响阵列基板的充电电流，但是，通过采用氧化铟锡材料制作氧化物半导体层，可有效弥补充电电流的损失；且由于非感光型有机树脂材料中不含H元素，因此，可较好地防止氧化物薄膜晶体管充电电流的特性变差。其中，所述氧化物薄膜晶体管可以至少包括:栅电极2、形成于所述栅电极2上的栅绝缘层3、形成于所述栅绝缘层3上的氧化物半导体层4、形成于所述氧化物半导体层4上的源漏信号电极层5、以及形成于所述源漏信号电极层5上的沟道9，所述沟道9在氧化物半导体层4上方截断源漏信号电极层，将所述源漏信号电极层截断成源信号电极5a和漏信号电极5b ；这里，所述阵列基板上的结构不限于上述所列出的结构，且氧化物薄膜晶体管、钝化层以及像素电极形成的方式也不限，其中，氧化物薄膜晶体管、钝化层以及像素电极的形成方式可以采用常规的实现方式，如5次掩膜版(5mask)工艺、4次掩膜版(4mask)工艺等，还可以利用多色调工艺及分层剥离工艺等技术，这些工艺方法均为本领域技术人员所知晓的，此处不再详细描述。这里，所述非感光型有机树脂可以包括主链上含有S1-C和/或S1-O结构的非感光型有机树脂材料；所述钝化层采用的材料可以包括氮化硅、氧化硅等材料，也可以包括有机树脂材料，其中，采用有机树脂材料做钝化层，可以降低端差以提升产品特性；所述像素电极为透明导电材料，且该透明导电材料可以包括纳米铟锡金属氧化物(ITO)、铟锌金属氧化物(IZO)、或铟镓锌氧化物(IGZO)。结合以上所述，所述阵列基板上的氧化物薄膜晶体管的具体结构如图1所示，包括:衬底基板1，形成于所述衬底基板I上的栅电极2 ;形成于所述栅电极2上的栅绝缘层3 ;形成于所述栅绝缘层3上的氧化物半导体层4，且所述氧化物半导体层4通过栅绝缘层3与栅电极2相隔；形成于所述氧化物半导体层上的源漏信号电极层5 ;形成于所述源漏信号电极层5上的沟道9，所述沟道9在氧化物半导体层4上方截断源漏信号电极层，并将源漏信号电极层5截断成源信号电极5a和漏信号电极5b ;形成于在上述已形成栅电极2、栅绝缘层3、氧化物半导体层4、源信号电极5a、漏信号电极5b以及沟道9的阵列基板上的钝化层6 ;形成于钝化层6上的过孔7和像素电极8，所述像素电极8通过过孔7与漏信号电极5b连接。阵列基板上还具有栅线和数据线，在阵列基板的制造过程中，栅线可以在形成栅电极的同时形成，数据线可以在形成源信号电极和漏信号电极的同时形成。相应的，所述阵列基板上的氧化物薄膜晶体管以及钝化层和像素电极的制造方法，包括:依次在衬底基板I上形成栅电极2 ;在所述栅电极上形成栅绝缘层3 ;在所述栅绝缘层3上形成氧化物半导体层4 ;在所述氧化物半导体层4上形成源漏信号电极层5 ;在所述源漏信号电极层5上形成沟道9，所述沟道9在所述氧化物半导体层4上方截断源漏信号电极层5，将源漏信号电极层5截断为源信号电极5a和漏信号电极5b ;在所述已形成栅电极2、栅绝缘层3、氧化物半导体层4、源信号电极5a、漏信号电极5b以及沟道9的阵列基板上形成钝化层6 ;在所述钝化层6刻蚀出过孔7，并形成像素电极8，所述像素电极8通过过孔7与漏信号电极5b连接。相应地，阵列基板上还具有栅线和数据线，在阵列基板的制造过程中，栅线可以在形成栅电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括：衬底基板、形成于所述衬底基板上的氧化物薄膜晶体管，以及钝化层和像素电极，其中，所述氧化物薄膜晶体管中包括采用非感光型有机树脂形成的栅绝缘层。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括:衬底基板、形成于所述衬底基板上的氧化物薄膜晶体管，以及钝化层和像素电极，其中，所述氧化物薄膜晶体管中包括采用非感光型有机树脂形成的栅绝缘层。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述非感光型有机树脂包括主链上含有S1-C和/或S1-O结构的非感光型有机树脂。3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述非感光型有机树脂形成的栅绝缘层具有平坦化的表面结构。4.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层为采用的材料包括氮化硅、有机树脂材料中至少一...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭建，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11