一种TFT阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术实施例提供了一种TFT阵列基板及显示装置，涉及显示领域，可以减少进行构图工艺的次数，降低工艺复杂度及制作成本。所述TFT阵列基板，包括：设置在基板上的包括栅极的图案，包括源漏电极的图案，包括第一电极的图案，通过一次构图工艺形成的带有过孔的栅绝缘层图案和包括有源层的图案，其中，所述包括栅极的图案至少包括栅极和栅极走线，所述栅绝缘层的过孔位于所述栅极走线的上方，所述包括有源层的图案位于所述栅极，以及所述栅绝缘层的过孔周边区域的上方。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及显示领域,尤其涉及一种TFT (Thin FilmTransistor,薄膜场效应晶体管)阵列基板及显示装置。
技术介绍
目前,为了实现高分辨率,高开口率以及GOA (Gate Driver onArray,阵列基板行驱动)技术的应用，AD-SDS (Advanced-SuperDimensional Switching,简称为 ADS,高级超维场开关)型阵列基板从最初的6次掩膜工艺转化为7次掩膜工艺。在现有技术中，应用7次掩膜:栅金属层掩膜，有源层掩膜，栅绝缘层掩膜，第一电极层掩膜，源漏金属层掩膜，钝化层掩膜以及第二金属层掩膜来制作完成阵列基板。上述阵列基板的制作应用了 7次掩膜工艺，应用掩膜工艺次数较多，导致产品的产能下降，且制作成本较高。
技术实现思路
本技术的实施例提供一种TFT阵列基板及显示装置，可以减少进行掩膜工艺即构图工艺的次数，降低工艺复杂度及制作成本。为达到上述目的，本技术的实施例采用如下技术方案:—种TFT阵列基板，包括设置在基板上的包括栅极的图案，包括源漏电极的图案，包括第一电极的图案，还包括:通过一次构图工艺形成的带有过孔的栅绝缘层图案和包括有源层的图案，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT阵列基板，包括设置在基板上的包括栅极的图案，包括源漏电极的图案，包括第一电极的图案，其特征在于，还包括：通过一次构图工艺形成的带有过孔的栅绝缘层图案和包括有源层的图案，其中，所述包括栅极的图案至少包括栅极和栅极走线，所述栅绝缘层的过孔位于所述栅极走线的上方，所述包括有源层的图案位于所述栅极，以及所述栅绝缘层的过孔周边区域的上方。

【技术特征摘要】
1.一种TFT阵列基板，包括设置在基板上的包括栅极的图案，包括源漏电极的图案，包括第一电极的图案，其特征在于，还包括: 通过一次构图工艺形成的带有过孔的栅绝缘层图案和包括有源层的图案，其中，所述包括栅极的图案至少包括栅极和栅极走线，所述栅绝缘层的过孔位于所述栅极走线的上方，所述包括有源层的图案位于所述栅极，以及所述栅绝缘层的过孔周边区域的上方。2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，还包括:钝化层图案以及包括第二电极的图案。3.根据权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述包括第一电极的图案和所述包括第二电极的图案同层设置，所述包括第一电极的图案包含多个第一条形电极，所述包括第二电极的图案包含多个第二条形电极，所述第一条形电极和所述第二条形电极间隔设置。4.根据权利要求2所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢振宇，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11