【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及功率半导体器件的领域。它涉及根据权利要求1的反向导通功率半导体器件。
技术介绍
现有技术的反向导通半导体器件(RC-1GCT)在图1中示出，其在一个晶圆10内包括集成门极换向晶闸管(IGCT)部分9，其具有IGCT单元91和单个内置续流二极管97。这样的反向导通半导体器件100包括晶圆10，其在第一主侧11与第二主侧15之间具有不同传导类型的层，该第一主侧11是集成IGCT的阴极侧，该第二主侧15是IGCT单元91的集电极侧并且处于发射极侧11的相反侧(图2)。器件包括IGCT单元91，其中的每个从第一主侧11到第二主侧15具有以下层:采用阴极金属化层形式的阴极电极2，第一(η+)掺杂阴极层4，(P)掺杂基极层6，(η_)掺杂漂移层3，(η_)掺杂缓冲层8，(ρ+)掺杂第一阳极层5以及采用阳极金属化层形式的第一阳极电极25。多个IGCT单元91形成反向导通半导体器件100的IGCT部分9。IGCT单元91包括门电极7，通过门电极7来控制IGCT单元91。门电极7设置为第一主侧11上的门极金属化层。门电极7设置在阴极电极2和第一阴极层4的横侧但与之分...
【技术保护点】
一种具有晶圆（10）的反向导通功率半导体器件（1），所述晶圆（10）具有第一主侧（11）和第二主侧（15），所述第二主侧（15）设置成平行于所述第一主侧（11），所述器件包括多个二极管单元（96）和多个IGCT单元（91），其中每个IGCT单元（91）在所述第一和第二主侧（11，15）之间包括按下列顺序的层：－阴极电极（2），－具有第一传导类型的第一阴极层（4），－具有第二传导类型的基极层（6），－具有第一传导类型的漂移层（3），－具有第一传导类型的缓冲层（8），－具有第二传导类型的第一阳极层（5），－第一阳极电极（25），其中每个IGCT单元（91）进一步包括门电极（7）...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.29 EP 10181546.21.一种具有晶圆(10)的反向导通功率半导体器件(1)，所述晶圆(10)具有第一主侧(11)和第二主侧(15)，所述第二主侧(15)设置成平行于所述第一主侧(11)，所述器件包括多个二极管单元(96)和多个IGCT单元(91)，其中每个IGCT单元(91)在所述第一和第二主侧(11，15)之间包括按下列顺序的层: 一阴极电极(2), 一具有第一传导类型的第一阴极层(4)， 一具有第二传导类型的基极层(6)， 一具有第一传导类型的漂移层(3)， 一具有第一传导类型的缓冲层(8)， 一具有第二传导类型的第一阳极层(5)， 一第一阳极电极(25), 其中每个IGCT单元(91)进一步包括门电极(7)，其设置在所述第一阴极层(4)的横侧并且通过所述基极层(6)与所述第一阴极层(4)分开， 其中每个二极管单元(96)包括:在所述第一主侧(11)上的第二阳极电极(28);具有第二传导类型的第二阳极层(55 )，其通过所述漂移层(3 )与所述基极层(6 )分开；以及具有第一传导类型的第二阴极层(45)，其设置成与所述第二主侧(15)上的所述第一阳极层(5)交替，并且 其中所述器件包括其中二极管单元(96)的第二阳极层(55)与IGCT单元(91)的第一阴极层(4)交替的至少一个混合部分(99)。2.如权利要求1所述的器件(1)，其特征在于，在所述混合部分(99)中，每个二极管单元(96)设置成使得一个第二阳极层(55)设置在第一阴极层(4)和/或门电极(7)的两个之间。3.如权利要求1所述的器件(1)，其特征在于，二极管单元(91)与IGCT单元(96)的比率在1:1上至1:5之间，其中二极管单元的数量限定为第二阳极层(55)的数量并且IGCT单元的数量限定为第一阴极层(4)的数量。4.如权利要求1或2所述的器件(1)，其特征在于，所述器件(I)包括至少一个引导IGCT部分(9)，所述至少一个引导IGCT部分(9)由设置成直接相邻于彼此而在中间没有第二阳极层(4)的多个第一阴极层(4)和门电极(7)组成。5.如权利要求3所述的器件(1)，其特征在于，所述至少一个引导IGCT部分(9)具有晶圆区域的10至50%的总区域。6.如权利要求1或2所述的器件...
【专利技术属性】
技术研发人员：M拉希莫，M阿诺德，T施蒂亚斯尼，
申请(专利权)人：ABB技术有限公司，
类型：发明
国别省市：瑞士;CH
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