【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体制造领域,涉及一种使评价硅片面状态镜面化的装置,特别是一种单晶评价样片抛光机。
技术介绍
半导体外延层的晶体完整性常常比衬底差,它的晶体完整性与衬底的特性息息相关,如外延层中的位错、堆垛层错、微缺陷、杂质沉淀、棱锥、多晶点等所引起的各种各样的表面宏观缺陷均对器件性能的影响重大,故对衬底单晶的评价则变得尤为重要,而单晶评价中影响其OISF的外界因素有金属杂质沾污、氢氟酸以及表面机械损伤、凹凸不平,本专利技术主要通过对硅片表面进行机械化学腐蚀的方法使其排除硅片表面因机械损伤、凹凸不平等外因条件影响而带来的误判或错判。原操作方法为使评价硅片面状态镜面化,通过较长时间的混酸腐蚀得以完成,而实际腐蚀完成后却仍然存在硅片表面凹凸不平、混酸药液残留附着以及在操作过程中的机械损伤无法彻底消除的因素影响。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种不会产生药液残留及影响OISF评价的机械损伤的装置。为解决上述技术问题,本技术单晶评价样片抛光机,包括:基座,在所述基座上设有固定杆以及设置在所述固定杆上的上定盘单元及下定盘单元;其中所述上定盘单元包括通过传送带依次连接的上定盘活动 ...
【技术保护点】
单晶评价样片抛光机,其特征在于,包括:基座,在所述基座上设有固定杆以及设置在所述固定杆上的上定盘单元及下定盘单元;其中所述上定盘单元包括通过传送带依次连接的上定盘活动台、上定盘马达及上定盘;以及所述下定盘单元包括通过传送带依次连接的下定盘固定台、下定盘马达及下定盘。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:宋玮,贺贤汉,张松江,李彬,
申请(专利权)人:上海申和热磁电子有限公司,
类型:新型
国别省市:上海;31
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