单晶评价样片抛光机制造技术

本实用新型专利技术单晶评价样片抛光机，包括：基座，在所述基座上设有固定杆以及设置在所述固定杆上的上定盘单元及下定盘单元；其中所述上定盘单元包括通过传送带依次连接的上定盘活动台、上定盘马达及上定盘；以及所述下定盘单元包括通过传送带依次连接的下定盘固定台、下定盘马达及下定盘。本实用新型专利技术对硅片进行单面研磨及抛光处理使硅片单面呈现平坦的镜面，可避免因药液残留及机械损伤等外因而影响OISF的评价结果。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于半导体制造领域，涉及一种使评价硅片面状态镜面化的装置，特别是一种单晶评价样片抛光机。
技术介绍
半导体外延层的晶体完整性常常比衬底差，它的晶体完整性与衬底的特性息息相关，如外延层中的位错、堆垛层错、微缺陷、杂质沉淀、棱锥、多晶点等所引起的各种各样的表面宏观缺陷均对器件性能的影响重大，故对衬底单晶的评价则变得尤为重要，而单晶评价中影响其OISF的外界因素有金属杂质沾污、氢氟酸以及表面机械损伤、凹凸不平，本专利技术主要通过对硅片表面进行机械化学腐蚀的方法使其排除硅片表面因机械损伤、凹凸不平等外因条件影响而带来的误判或错判。原操作方法为使评价硅片面状态镜面化，通过较长时间的混酸腐蚀得以完成，而实际腐蚀完成后却仍然存在硅片表面凹凸不平、混酸药液残留附着以及在操作过程中的机械损伤无法彻底消除的因素影响。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种不会产生药液残留及影响OISF评价的机械损伤的装置。为解决上述技术问题，本技术单晶评价样片抛光机，包括:基座，在所述基座上设有固定杆以及设置在所述固定杆上的上定盘单元及下定盘单元；其中所述上定盘单元包括通过传送带依次连接的上定盘活动台、上定盘马达及上定盘；以及所述下定盘单元包括通过传送带依次连接的下定盘固定台、下定盘马达及下定盘。在所述上定盘马达及所述上定盘之间设有压力汽缸。在所述上定盘单元及所述下定盘单元中还分别进一步包括一连接件，分为上连接件及下连接件；所述上连接件分别与所述上定盘活动台、所述上定盘马达及所述压力汽缸连接；所述下连接件分别与所述下定盘固定台及所述下定盘马连接。所述上定盘单元及所述下定盘单元的位置为可调式，调整的水平幅度为:5〈X〈(R/2)，其中X为调整的幅度，R为硅片半径。所述压力汽缸的重量小于5千克。所述上定盘马达及所述下定盘马达为可调式且旋转角速度大于等于60转/分钟。所述单晶评价样片抛光机还与一抛光液循环泵辅助系统连接。本技术对硅片进行单面研磨及抛光处理使硅片单面呈现平坦的镜面、表面不会产生药液残留及影响OISF评价的机械损伤，可避免因药液残留及机械损伤等外因而影响OISF的评价结果。附图说明图1为本技术单晶评价样片抛光机结构示意图；本技术单晶评价样片抛光机附图中附图标记说明:1-基座 2-固定杆 3-上定盘活动台 4-上定盘马达5-上定盘 6-压力汽缸 7-下定盘固定台 8-下定盘马达9-下定盘 10-上连接件 11-下连接件12-传送带具体实施方式以下结合附图对本技术单晶评价样片抛光机作进一步详细说明。如图1所示，本技术单晶评价样片抛光机，包括:基座1，在基座I上设有固定杆2以及设置在固定杆2上的上定盘5单元及下定盘9单元；其中上定盘5单元包括通过传送带12依次连接的上定盘活动台3、上定盘马达4及上定盘5 ；以及下定盘9单元包括通过传送带12依次连接的下定盘固定台7、下定盘马达8及下定盘9。在上定盘马达4及上定盘5之间设有压力汽缸6。在上定盘5单元及下定盘9单元中还分别进一步包括一连 接件，分为上连接件10及下连接件11 ;上连接件10分别与上定盘活动台3、上定盘马达4及压力汽缸6连接；下连接件11分别与下定盘固定台7及下定盘9马连接。上定盘5单元及下定盘9单元的位置为可调式，调整的水平幅度为:5〈X〈 (R/2)，其中X为调整的幅度，R为硅片半径。压力汽缸6的重量小于5千克。上定盘马达4及下定盘马达8的旋转角速度大于等于60转/分钟。单晶评价样片抛光机还与一抛光液循环泵辅助系统连接。使用时，将评价样片用截断机截断后用碱洗净将表面油污清洗干净；用胶水(A/B胶或抛光蜡)将硅片固定在上定盘；待硅片固定完成后加入研磨液，并开启循环泵使下定盘所在槽体中的研磨液循环流动；开启上下定盘马达使其转动，并将上定盘下降至硅片即将接触下定盘位置；打开上定盘附带的压力气缸使硅片受力并研磨；当硅片去除量达到一定状态后，将硅片取下并清除下定盘槽中的研磨液；对研磨好的硅片进行简易的酸腐蚀，再次将硅片固定在上定盘；更换下定盘(材质要求不锈钢)，粘贴抛光用的抛光布并添加抛光液；重复研磨时的操作；当硅片达到抛光去除量时取下硅片，并对设备进行清洗；抛光完成的硅片用纯水浸泡清洗后可直接进行热处理等相关评价使用。本技术对硅片进行单面研磨及抛光处理使硅片单面呈现平坦的镜面、表面不会产生药液残留及影响OISF评价的机械损伤，可避免因药液残留及机械损伤等外因而影响OISF的评价结果。以上已对本技术创造的较佳实施例进行了具体说明，但本技术创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本技术创造精神的前提下还可作出种种的等同的变型或替换，这些等同的变型或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。权利要求1.单晶评价样片抛光机，其特征在于，包括: 基座，在所述基座上设有固定杆以及设置在所述固定杆上的上定盘单元及下定盘单元；其中所述上定盘单元包括通过传送带依次连接的上定盘活动台、上定盘马达及上定盘；以及所述下定盘单元包括通过传送带依次连接的下定盘固定台、下定盘马达及下定盘。2.根据权利要求1所述的单晶评价样片抛光机，其特征在于，在所述上定盘马达及所述上定盘之间设有压力汽缸。3.根据权利要求2所述的单晶评价样片抛光机，其特征在于，在所述上定盘单元及所述下定盘单元中还分别进一步包括一连接件，分为上连接件及下连接件；所述上连接件分别与所述上定盘活动台、所述上定盘马达及所述压力汽缸连接；所述下连接件分别与所述下定盘固定台及所述下定盘马连接。4.根据权利要求1所述的单晶评价样片抛光机，其特征在于，所述上定盘单元及所述下定盘单元的位置为可调式，调整的水平幅度为:5〈X〈(R/2)，其中X为调整的幅度，R为硅片半径。5.根据权利要求2所述的单晶评价样片抛光机，其特征在于，所述压力汽缸的重量小于5千克。6.根据权利要求1所述的单晶评价样片抛光机，其特征在于，所述上定盘马达及所述下定盘马达为可调式且旋转角速度大于等于60转/分钟。7.根据权利要求1所述的单晶评价样片抛光机，其特征在于，所述单晶评价样片抛光机还与一抛光液循环泵辅助系统连接。专利摘要本技术单晶评价样片抛光机，包括基座，在所述基座上设有固定杆以及设置在所述固定杆上的上定盘单元及下定盘单元；其中所述上定盘单元包括通过传送带依次连接的上定盘活动台、上定盘马达及上定盘；以及所述下定盘单元包括通过传送带依次连接的下定盘固定台、下定盘马达及下定盘。本技术对硅片进行单面研磨及抛光处理使硅片单面呈现平坦的镜面，可避免因药液残留及机械损伤等外因而影响OISF的评价结果。文档编号B24B29/02GK202934428SQ201220584760公开日2013年5月15日 申请日期2012年11月7日 优先权日2012年11月7日专利技术者宋玮, 贺贤汉, 张松江, 李彬 申请人:上海申和热磁电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
单晶评价样片抛光机，其特征在于，包括：基座，在所述基座上设有固定杆以及设置在所述固定杆上的上定盘单元及下定盘单元；其中所述上定盘单元包括通过传送带依次连接的上定盘活动台、上定盘马达及上定盘；以及所述下定盘单元包括通过传送带依次连接的下定盘固定台、下定盘马达及下定盘。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：宋玮，贺贤汉，张松江，李彬，
申请(专利权)人：上海申和热磁电子有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31