用于对样品进行离子束去层的方法和系统及对其的控制技术方案

本发明专利技术提供了对离子束打磨机中的样品的层进行去层的方法、系统和计算机程序产品，所述层包括一种或多种材料，所述去层过程是通过调整离子束打磨机的一个或多个操作参数并且选择性地将上述一种或多种材料中的各材料按照它们各自的预定速率移除而实现的。本发明专利技术也提供了用于获得材料的移除速率的方法和系统，该材料来自离子束打磨机中的样品。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体上涉及使用离子束打磨机来对样品进行去层，具体涉及使用宽幅离子束打磨机通过选择性地将样品的层的一种或多种材料移除来除去所述层，且具体涉及对其的控制。
技术介绍
在移除诸如半导体芯片(semiconductor die)等样品中的层时,涉及到将包括金属和电介质的集成电路中的很少量且很薄的层移除，以便以精确且可控的方式让下层电路露出。典型的方法包括:湿式化学蚀刻、干式(等离子体)蚀刻、以及机械抛光或物理磨蚀。机械抛光是通过如下方式来执行的:使用抛光垫和磨料浆对样品手动抛光，以将样品的表面侵蚀到所需的程度。在这一过程中所面临的问题是外围和表面的侵蚀不均匀，在这方面举例来说，铜比SiO2移除得慢。这就会导致:由于施加在不同点处的压力的大小有差异，或者在对样品进行加工的期间内该样品的要素密度(feature density)有差异，因而对于给定表面的移除是不均匀的。湿式(化学)蚀刻是通过如下方式来执行的:使用化学制剂并将样品浸入该化学制剂中，引起化学反应以从样品表面移除材料。这很难控制，其原因是该化学制剂对样品中的不同材料进行蚀刻时的速率有差异，而且，材料界面可能受到严重影响，这本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种使用离子束打磨机对样品的层进行去层的方法，其中，所述层包括一种或多种材料，所述方法包括如下各步骤：a)将所述样品置于所述离子束打磨机中；b)操纵所述离子束打磨机；c)调整所述离子束打磨机的一个或多个操作特性；以及d)选择性地将所述一种或多种材料中的各材料按照各自的预定速率移除。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗伯特·K·福斯特，克里斯托弗·帕沃夫伊兹，贾森·阿布特，伊恩·琼斯，海因茨·约瑟夫·内特威切，
申请(专利权)人：英赛特半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：加拿大;CA