【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及金属氧化物TFT的制备工艺，特别是全室温下制备底栅结构的低压双电层ITO透明薄膜晶体管的工艺。
技术介绍
近几年来，越来越多的小组对全室温下制备的TFT有着很大的兴趣。自从2005年，Fortunato等人在全室温条件下制备出性能很好的TTFT器件,其饱和迁移率达到27cm2/Vs,阈值电压为19V，开关比大于105，全室温条件下制备的器件，性能已经比较理想，阈值电压有待于优化。对于改善器件的性能，采用非晶氧化物作为沟道层也是一种方法。由于非晶态的薄膜比多晶态的薄膜少了晶界的散射，从而可以提高沟道层的载流子迁移率。Hsieh等人通过减小ZnO薄膜的厚度(从60nm到IOnm)，使其从多晶态变为为非晶态。同时采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)法，沉积了 50nm的SiNx薄膜作为栅介质层，磁控溅射ITO作为栅和源、漏电极，且制备了顶栅和底栅两种结构的TFT。顶栅结构的TFT性能很好，其迁移率和开关比分别达到了 25cm2/Vs和107且TTFT在可见光波长范围的透光率均大于80%。Song等报道了全室温下采用全射频磁控溅射工艺制备的非晶铟锌氧化...
【技术保护点】
一种底栅结构的低压双电层ITO透明薄膜晶体管的制备工艺，其特征在于，包括：清洁衬底步骤；制备栅极步骤，分别用丙酮和乙醇进行超声波清洗10分钟，除去硅片上的有机物和油迹，再用去离子水把残留在硅片上的丙酮和乙醇清洗掉，最后在80℃干燥箱内烘干；制备绝缘层步骤，把处理好的硅片放入PECVD的真空室内，用机械泵和罗茨泵把真空室的气压抽至10Pa以下，通入的反应气体为氧气和硅烷，同时通入惰性气体氩气作为保护气体以及电离气体；ITO沟道层的沉积步骤，在沉积好介孔SiO2的衬底上，采用射频磁控溅射沉积ITO沟道层，溅射时的本底真空为3×10‑3Pa，极限真空为1×10‑5Pa，溅射气体为...
【技术特征摘要】
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