【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及相对于施加电压具有双向的整流特性的电流控制元件、具有该电流控制元件的非易失性存储元件。
技术介绍
近年来，伴随着数字技术的不断发展，便携式信息设备、信息家电等电子设备进一步向高功能化发展。伴随着电子设备的高功能化，所使用的非易失性存储装置的大规模化、高度集成化、高速化也得以迅速发展，并且其用途也迅速扩大。其中，已提出将电阻变化元件配置为阵列状的形态的非易失性存储装置，并希望其不断大规模化、高度集成化、高速化。电阻变化元件包括只能写入一次的和能够反复写入的。能够反复写入的电阻变化元件有两种。一种是通过施加相同极性的两种电脉冲来产生从高电阻状态至低电阻状态的变化(以下称为低电阻化)和从低电阻状态至高电阻状态的变化(以下称为高电阻化)的电阻变化元件，这种一般被称为单极(unipolar)型(或monopolar型)的电阻变化元件。另一种是通过施加不同极性的两种电脉冲来产生低电阻化和高电阻化的电阻变化元件，这种一般被称为双极型的电阻变化元件。在将电阻元件配置为阵列状的存储装置中，一般在电阻变化元件上串联连接晶体管、整流元件等电流控制元件，通过防止迂回电流所...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.17 JP 2010-2092741.一种电流控制元件的制造方法，其特征在于，包括: 形成下部配线的步骤； 以与所述下部配线电连接的方式形成第一电极层的步骤； 在所述第一电极层之上，以与所述第一电极层物理接触的方式形成电流控制层的步骤； 在所述电流控制层之上，以与所述电流控制层物理接触的方式形成第二电极层的步骤； 在所述第二电极层之上，由与所述第二电极层不同的材料形成腐蚀抑制层的步骤； 以覆盖所述腐蚀抑制层、第二电极层、电流控制层和第一电极层的方式形成层间绝缘层的步骤； 在所述层间绝缘层中，以下部开口全部在所述腐蚀抑制层上开口的方式形成导通孔的步骤；和 用含有水的洗净液将所述导通孔的内部洗净的步骤。2.一种电流控制元件的制造方法，其特征在于，包括: 形成下部配线的步骤； 以与所述下部配线电连接的方式形成第一电极层的步骤； 在所述第一电极层之上，以与所述第一电极层物理接触的方式形成电流控制层的步骤； 在所述电流控制层之上，以与所述电流控制层物理接触的方式形成第二电极层的步骤； 在所述第二电极层之上，由与所述第二电极层不同的材料形成腐蚀抑制层的步骤； 以覆盖所述腐蚀抑制层、第二电极层、电流控制层和第一电极层的方式形成层间绝缘层的步骤； 在所述层间绝缘层中，以在下部开口所述腐蚀抑制层露出、第二电极层不露出的方式形成槽的步骤；和 用含有水的洗净液将所述槽的内部洗净的步骤。3.按权利要求1所述的电流控制元件的制造方法，其特征在于: 形成所述导通孔的步骤是，以从所述层间绝缘层的厚度方向观察，所述腐蚀抑制层在所述导通孔的下部开口的整个外周向外侧伸出的方式形成导通孔的步骤。4.按权利要求1或2所述的电流控制元件的制造方法，其特征在于: 形成所述腐蚀抑制层的步骤是，由具有比构成所述第二电极层的材料的标准电极电位高的标准电极电位的材料形成腐蚀抑制层的步骤。5.按权利要求1或2所述的电流控制元件的制造方法，其特征在于: 形成所述腐蚀抑制层的步骤是，由具有O以上的标准电极电位的材料形成腐蚀抑制层的步骤。6.按权利要求1或2所述的电流控制元件的制造方法，其特征在于: 形成所述腐蚀抑制层的步骤是，由贵金属形成腐蚀抑制层的步骤。7.按权利要求1或2所述的电流控制元件的制造方法，其特征在于: 形成所述腐蚀抑制层的步骤是，由具有导电性的金属氧化物形成腐蚀抑制层的步骤。8.按权利要求1或2所述的电流控制元件的制造方法，其特征在于: 形成所述第一电极层的步骤是，由选自氮化钽、氮化钛、钨和金属氧化物中的至少一种材料形成第一电极层的步骤； 形成所述电流控制层的步骤是，由氮化硅形成电流控制层的步骤； 形成所述第二电极层的步骤是，由选自氮化钽、氮化钛、钨和金属氧化物中的至少一种材料形成第一电极层的步骤。9.一种非易失性存储元件的制造方法，其特征在于，包括:通过权利要求1或...
【专利技术属性】
技术研发人员：宫永良子，三河巧，早川幸夫，二宫健生，有田浩二，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：
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