用于对基板的表面喷洒的设备以及方法技术

本发明专利技术涉及一种用于对基板的表面喷洒的设备，其中，该设备具有至少一个用于输送流体到待处理的基板的表面上的第一喷嘴并且该第一喷嘴以与基板的第一间距来布置，其中，至少一个第二喷嘴以与基板的第二间距来布置，并且第二间距与第一间距的比在0.1至0.8的范围内，其中，最多有第一体积流量的流体能够通过至少一个第一喷嘴，并且最多有第二体积流量的流体能够通过至少一个第二喷嘴，其中，第二体积流量与第一体积流量的比在0.005至0.5的范围内。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于对基板的设备以及方法。
技术介绍
在表面处理、像例如用流体对基板喷洒的情况下，一方面对这种处理能够达到的精确度提出了很高的要求，另一方面，出于经济性方面的原因这种处理的持续时间应该尽可能地短。如果基板是电路板，这种表面处理能够包括清洁或冲洗、成膜、铜蚀刻、抗蚀剂剥离或类似的处理。已公知如下，即:随着表面处理的强度的增加，处理的持续时间则缩短，同时能够得到的待处理结构的精确度也随之降低。如果例如整面用铜镀膜的、设有抗蚀结构的电路板经过了蚀刻处理，这能够通过在电路板的表面上喷涂蚀刻剂来进行。如果提高了喷涂的强度，没有抗蚀剂的区域就会发生更大程度的蚀刻，但是其中额外地，对存在于抗蚀剂下方的铜镀导体带的侧壁进行侵蚀。这种效应被称作钻蚀。在抗蚀结构之间的区域内的物质交换越密集，钻蚀就越严重。专业人员为此选择在导体带能够得到的导体带的精确度与处理持续时间之间做出折中。由此完全能够在实践中达到很好的结果。但是，随着导体带宽度的尺寸的不断减小以及导体带相互间距的尺寸的不断减小，产生了如下难题，即:在导体带之间的区域不再完全不受铜的影响，从而使得在轨道之间可能出现短路。通过降低蚀刻处理的强度也能够在导体带之间的狭窄的区域内完成充分的物质交换。但是在此，处理的持续时间明显增加。此外，在导体带相互间距的较小的尺寸的情况下导致在导体带相互间距的较大的情况下不会出现的误差。这个误差能够如下进行描述:常见的是，电路板基材 在其表面上变粗糙。接下来通过镀膜所涂镀的铜镀层能够自动地在电路板基材的表面上的凹陷部中固定好，从而不仅形成具有平均厚度的铜镀层，还在电路板基材的表面边缘中形成铜的细小的分叉部。通过借助蚀刻液喷洒到电路板的表面上来进行蚀刻，大多能够如下方式完成，即:由相邻的并且几乎并列分布的导体带对铜进行蚀刻直到电路板基材的表面。但是在表面的分叉部中所存在的铜并不完全被腐蚀并且仍然保留是可行的。原因在于，在细小的分叉部中，在蚀刻液与铜之间的物质交换极少，以致在也较长的处理持续时间的情况下，铜不完全被蚀刻。在稍后电流穿流过导体带的情况下，这些在分叉部中的细小的铜残渣起干扰作用，因为是信号质量变差或者说产生了较高的噪声信号。此外，还存在如下风险，即:分叉部由一个导体带延伸直至相邻的导体带，从而使得在电流穿流过导体带的情况下形成在这两个导体带之间的短路。
技术实现思路
因此，本专利技术的任务在于，提供一种用于对基板进行喷洒的设备以及方法，利用该方法能够在很短的处理持续时间的情况下同时得到具有好的表面质量和高的精确度的结构。这个任务对于所述设备而言通过独立权利要求1所述的目标解决，而对于所述方法而言则通过独立权利要求6所述的目标解决。本专利技术的具有优点的改进方案是附属权利要求的目标。根据本专利技术的用于对基板的表面进行喷洒的设备具有至少一个用于将流体输送到待处理的基板的表面上的第一喷嘴，其中，该第一喷嘴以与基板的第一间距来布置。此夕卜，设备具有至少一个第二喷嘴，该第二喷嘴以与基板的第二间距来布置，其中，第二间距与第一间距的比在0.1至0.8的范围内。根据本专利技术，最多有第一体积流量的流体能够通过至少一个第一喷嘴，其中，最多有第二体积流量的流体能够通过至少一个第二喷嘴，并且第二体积流量与第一体积流量的比在0.005至0.5的范围内。利用至少一个以与基板的表面的第一间距的第一喷嘴，能够以常见的方式进行基板的表面处理。利用至少一个以第二间距的第二喷嘴得到如下，即:第二喷嘴较近地布置在基板的表面上，并且由此能够在流体与基板的表面之间得到与利用以第一间距的第一喷嘴所能得到的有所不同的物质交换。根据本专利技术，仅还有第一流体体积流量的0.005倍至0.5倍的体积流量通过第二喷嘴。在蚀刻导体带的情况下，由于第二喷嘴的流体体积流量很小几，乎没有侵蚀导体带的侧边，从而几乎完全避免了导体带的钻蚀。但是，由于第二喷嘴距离基板的表面很近，在细小的凹陷部中的铜能够很好地到达电路板基材的表面上。通过第二喷嘴的很少的流体体积流量足以侵蚀并且溶解在凹陷部中的极少量的铜，从而在很短的处理持续时间的情况下同时得到待制造的在基板的表面上的结构的更高的精确度。如果全部的喷嘴以与 电路板相对较近的间距来布置，当维持较高的体积流量不变的情况下整体物质交换太高，从而不能够得到结构所要求的精确度并且将出现钻蚀。但是，根据本专利技术，设置有至少一个具有第一流体体积流量以及与基板的第一间距的第一喷嘴，以及至少一个具有更小的流体体积流量并且以与基板的表面的比第一喷嘴更近的间距的第二喷嘴，从而在根据本专利技术的设备中将密集和“粗略”的蚀刻与较稀疏和精细的蚀亥Ij进行彡口口 例如可通过另一种喷嘴类型来得到第二喷嘴的极小的流体体积流量，其中，出现流体的精细的喷雾，并且因此从第二喷嘴流出大量而且精细的液滴。由此扩大对于化学反应有效的流体的表面积，这就有利于侵蚀铜在电路板基材的表面区域内的精细的分叉部。在根据本专利技术的设备中，基板能够单独地置放到设备中，然后进行喷洒并且在喷洒结束后重新从设备中取出。但是，优选设备以如下方式来构造，即:基板能够通过该设备由具有输入口的输入侧向具有输出口的输出侧穿过进行传送。由此，设备能够作为穿行设备使用，在该穿行设备中，在进行表面处理的同时以预设的恒定的速度传送待处理的基板穿过该设备。因此，设备也适用于作为在生产线中的模块。设备可以如下方式来设计，即:待处理的基板在传送方向上来看能够首先由至少一个第一喷嘴，接着由至少一个第二喷嘴并且接着由至少一个第三喷嘴进行喷洒，其中，第三喷嘴具有与基板的第三间距，并且第三间距等于或大于第二间距。利用第一喷嘴来进行基板的表面所常用的喷洒。利用更接近基板布置的第二喷嘴，能够进行基板的表面更加精细的处理。此外，对第三喷嘴设置如下，即:尽量能够完全去除由通过第二喷嘴的处理所产生的反应产物。此外，第三喷嘴能够以与第二喷嘴相同的间距或者优选以比第二喷嘴更大的间距来布置。通过第三喷嘴的流体体积流量要比通过第二喷嘴的体积流量更高，从而能够在短时间内蚀刻掉反应产物。根据本专利技术的改进方案，设备具有包括输入侧的第一半部和包括输出侧的第二半部，其中，至少一个第二喷嘴仅布置在该设备的第二半部中。由此得到如下，即:在第一半部中至少一个第一喷嘴能够用于密集的表面处理，从而在通过至少50%的设备的宽度，也就是说，通过第一半部之后才通过至少一个第二喷嘴进行表面的精细的处理。第二喷嘴优选相对于在设备中的处理区段而言布置在第二半部的最后四分之一中，从而使得基板在通过约为75%的设备的宽度之后由至少一个第二喷嘴进行处理。如果至少一个第一喷嘴中的一个喷嘴以及所述至少一个第二喷嘴中的一个喷嘴相邻地布置并且以如下间距相互地来布置，即:第一喷嘴的喷洒区域不接触第二喷嘴的喷洒区域，则特别有效地完成对基板的喷洒。由此，不会导致与例如通过干扰而可能增强的或消除的影响的相互作用，通过这种方式能够很好地以既定的方式来调节表面处理。本专利技术还涉及一种用于对基板的表面喷洒的方法，其中，如下流体，其优选具有富含臭氧的蚀刻剂或者使基板表面活化的液体，通过至少一个第一喷嘴输送到待喷洒基板的表面上，其中，至少一个第一喷嘴以与基板的第一间距来布置，并且通过至少一个以与基板的第二间距的第二喷嘴来输送流本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.04.01 DE 102010013909.21.关于对基板的表面喷洒的设备，其中，所述设备具有至少一个用于输送流体到待处理的基板的表面上的第一喷嘴，并且所述第一喷嘴以与所述基板的第一间距来布置，其中，至少一个第二喷嘴以与所述基板的第二间距来布置，并且所述第二间距与所述第一间距的比在0.1至0.8的范围内，其中，最多有第一体积流量的流体能够通过所述至少一个第一喷嘴，并且最多有第二体积流量的流体能够通过所述至少一个第二喷嘴，其中，所述第二体积流量与所述第一体积流量的比在0.005至0.5的范围内。2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述基板能够通过所述设备由具有输入口的输入侧向具有输出口的输出侧穿过地进行传送。3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述基板在传送方向上来看能够首先由所述至少一个第一喷嘴，接着由 所述至少一个第二喷嘴并且接着由至少一个第三喷嘴加以喷洒，其中，所述第三喷嘴具有与所述基板的第三间距，其中，所述第三间距等于或大于所述第二间距。4.根据权利要求2或3所述的设备，其中，所述设备具有包括输入侧的第一半部和包括输出侧的第二半部，其中，所述至少一个第二喷嘴仅布置在所述设备的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：马库斯·朗，
申请(专利权)人：沃尔夫冈·单巴赫，
类型：
国别省市：