【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及新型高金刚烷衍生物、(甲基)丙烯酸酯、它们的制备方法、(甲基)丙烯酸系聚合物、正型光致抗蚀剂组合物及抗蚀图形成方法。
技术介绍
近年来，随着半导体元件的不断微细化，在其制备的光刻步骤中要求更加微细化。对使用对应KrF、ArF或F2准分子激光等短波长的照射光的光致抗蚀剂材料，形成微细图案的方法进行了各种研究，希望开发出可以对应准分子激光等短波长的照射光的新光致抗蚀剂材料。作为光致抗蚀剂材料，以往开发了大量基于酚树脂的材料，但因这些材料含有芳族环，光的吸收大，无法获得只能对应微细化的图案精度。·因此，作为通过ArF准分子激光制备半导体的光致抗蚀剂，提出了将2-甲基-2-高金刚烷基甲基丙烯酸酯这样的具有脂环式骨架的聚合性化合物共聚而成的聚合物(例如专利文献I)。随着微细加工技术的进一步发展，现阶段想要实现32nm以下的线宽，但仅凭以往的技术无法满足基板附着性、曝光灵敏性、解像度、图案形状、曝光深度、表面粗糙(荒Λ )等各种要求的性能。具体来说，称为LER、LffR的图案表面的粗糙度或起伏度的平滑性问题不断出现。另外，在近年的液浸曝光的方法中，也时不时出现起因于液浸介质的抗蚀图的缺陷等显影不良的情形。再者，在使用13.5nm的极端紫外线(EUV)的半导体制备步骤中，为了提高产量，也希望开发灵敏度更高的光致抗蚀剂。一直以来，在通过ArF准分子激光制备半导体的光致抗蚀剂中，为了提高基板附着性，使用将具有各种环状内酯的聚合性化合物共聚而成的聚合物。其中，作为具有高金刚烷骨架的内酯，提出了 1-(5-氧代-4-氧杂-5-高金刚烷基)甲基丙烯酸酯，提供对短波...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.04.02 JP 2010-0863521.式(I)表示的高金刚烷衍生物:2.权利要求1记载的高金刚烷衍生物，其由下式(I) (3)的任一式表示:3.权利要求2记载的高金刚烷衍生物，其由下式(Ia) (3b)的任一式表示:4.权利要求1 3的任一项记载的高金刚烷衍生物的制备方法，该方法包括下述a g的任一步骤: a.使下式表示的高金刚烷醇与醛和卤化氢气体反应的步骤； b.使下式表不的闻金刚烧醇与烧基亚讽和酸野反应，获得烧基硫代烧基酿体，使该烧基硫代烧基酿体与齒化剂反应的步骤； c.使下式表示的高金刚烷醇与2-羟基羧酸卤化物、2-卤化羧酸卤化物或2-卤化羧酸反应的步骤； d.使通过上述a c的任一步骤获得的卤化高金刚烷衍生物与2-羟基羧酸反应的步骤； e.使通过上述a c的任一步骤获得的卤化高金刚烧衍生物与2-卤化羧酸反应的步骤，5.式(...
【专利技术属性】
技术研发人员：田中慎司，上野山义崇，大野英俊，河野直弥，伊藤克树，
申请(专利权)人：出光兴产株式会社，
类型：
国别省市：
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