【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术实施方案属于化学机械抛光(CMP)领域且尤其为用于抛光半导体基材的软性抛光垫。
技术介绍
通常简写为CMP的化学机械平坦化或化学机械抛光为一种用于使半导体晶片或其它基材平坦化的半导体制造技术。本专利技术方法使用耐磨且耐腐蚀的化学浆料(通常为胶体)以及抛光垫和通常具有比晶片大的直径的扣环。将抛光垫和晶片通过动力抛光头压在一起并通过塑料扣环保持在原位。动力抛光头围绕不同旋转轴旋转(即非同心的)。这样除去了材料且往往是任何不规则的形状平坦化，使晶片平面或平坦化。为了设置用于形成额外电路元件的晶片，可能必须如此。例如，为使整个表面位于光刻体系的景深内或为选择性除去基于其位置的材料，可能必须如此。景深要求通常低于用于最新的45nm技术节点的埃级。去除材料的方法不仅为磨料刮擦，这类似砂纸在木材上打磨。浆料中的化学物质也与待除去的材料反应和/或弱化该材料。磨料加速了该弱化过程且该抛光垫有助于从表面上擦掉已反应的材料。已将该方法比作孩子吃口香糖的过程。如果口香糖位于舌头上且没被擦掉，则糖果变得被凝胶涂料覆盖，但大部分糖果不受影响。仅仅在激烈刮擦下，糖果才溶解掉。另一类...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.07.08 US 12/832,9081.一种用于抛光半导体基材的软性抛光垫，其中所述软性抛光垫包含模塑均匀抛光体，其包含硬度约为20绍尔D至45绍尔D的热固性闭孔聚氨酯材料。2.根据权利要求1的软性抛光垫，其中所述模塑均匀抛光体包含第一沟槽表面和与第一表面相对的第二平坦表面。3.根据权利要求1的软性抛光垫，其中所述模塑均匀抛光体为不透明的。4.根据权利要求3的软性抛光垫，其中所述模塑均匀抛光体进一步包含乳浊化润滑剂。5.根据权利要求1的软性抛光垫，其进一步包含位于模塑均匀抛光体中且与其共价键接的局部区域透明(LAT)部。6.根据权利要求5的软性抛光垫，其中所述LAT部和模塑均匀抛光体显著交联。7.根据权利要求5的软性抛光垫，其中所述模塑均匀抛光体为不透明的，且其中所述LAT部基本不含乳浊化润滑剂。8.根据权利要求5的软性抛光垫，其中所述模塑均匀抛光体具有比LAT部的绍尔D小的绍尔D。9.根据权利要求5的软 性抛光垫，其中所述模塑均匀抛光体为具有约75-78厘米直径的圆形，LAT部具有约4-6厘米的长度，约1-2厘米的宽度，且定位于离模塑均匀抛光体的中心约16-20厘米处。10.根据权利要求1的软性抛光垫，其进一步包含位于模塑均匀抛光体之上的底膜，其中所述底膜包含聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。11.根据权利要求10的软性抛光垫，其进一步包含位于底膜和模塑均匀抛光体之间的第一压敏粘合剂层，其中第一压敏粘合剂层包含橡胶类材料。12.根据权利要求11的软性抛光垫，其进一步包含位于底膜之上的第二压敏粘合剂层，其中第二压敏粘合剂层包含丙烯酸类材料。13.根据权利要求12的软性抛光垫，其进一步包含位于第二压敏粘合剂层之上的离型衬，其中所述离型衬包含聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。14.根据权利要求1的软性抛光垫,其进一步包含直接位于模塑均匀抛光体上的离型衬。15.一种制造用于抛光半导体基材的软性抛光垫的方法，所述方法包括: 在成型...
【专利技术属性】
技术研发人员：W·阿利森，D·斯科特，R·科普里希，P·黄，R·弗伦泽尔，
申请(专利权)人：内克斯普拉纳公司，
类型：
国别省市：
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