具有基层和抛光表面层的抛光垫制造技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术描述了具有基层和抛光表面层的抛光垫。在实施例中，用于抛光衬底的抛光垫包括基层。抛光表面层与基层结合。还描述了用于制作具有与基层结合的抛光表面层的抛光垫的方法。【专利说明】具有基层和抛光表面层的抛光垫
本专利技术的实施例属于化学机械抛光（CMP)且特别是具有基层和抛光表面层的抛 光垫的领域。
技术介绍
化学-机械平面化或化学-机械抛光（通常简写为CMP)是一种在半导体制作中 用于使半导体晶片或其它衬底平面化的技术。 该过程使用研磨和腐蚀性的化学浆体（通常称为胶质），并且还结合地使用直径 典型地大于晶片的挡圈及抛光垫。抛光垫和晶片由动态抛光头迫压在一起并由塑料挡圈保 持在适当位置。在抛光期间动态抛光头旋转。该方法有助于材料的去除并趋于使任何不规 则的形貌平坦，从而使晶片平直或平坦。该方法对于设置晶片以形成另外的电路元件可能 是必要的。例如，可能需要该方法来使整个表面位于光刻系统的景深内，或基于其位置选择 性地去除材料。对于最近的低于50纳米技术节点，典型的景深要求低至埃级。 材料去除的过程并非仅仅是像砂纸在木材...
【技术保护点】
一种用于抛光衬底的抛光垫，所述抛光垫包括：具有第一硬度的基层；和与所述基层直接结合的抛光表面层，所述抛光表面层具有小于所述第一硬度的第二硬度。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：W·C·阿里森，D·斯科特，P·A·勒菲弗，J·P·拉卡斯，A·W·辛普森，
申请(专利权)人：内克斯普拉纳公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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