电子电路、电子电路的制造方法和安装部件技术

本发明专利技术公开了电子电路、电子电路的制造方法和安装部件。所述电子电路包括：半导体芯片，所述半导体芯片设置有包含交换单端信号的焊盘的单端I/F；以及安装部，所述安装部上形成有传输差分信号的差分传输路径，并且所述半导体芯片安装在所述安装部上使得所述单端I/F的所述焊盘与构成所述差分传输路径的导体直接电连接。所述安装部件包括差分传输路径和电介质。根据本发明专利技术，能够在抑制电路尺寸增大的同时进行高质量数据传输。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子电路、该电子电路的制造方法和安装部件，特别地涉及例如能够在抑制电路尺寸増大的同时进行质量良好的数据传输的电子电路、该电子电路的制造方法和安装部件。
技术介绍
例如，在诸如电视机、摄像机和录音机等各种电子设备中，在它们的壳体中包含有这样的基板:在该基板上布置有集成电路(Integrated Circuit, IC)(包括大规模集成电路(Large-Scale Integration, LSI)),以作为进行各种信号处理的电子电路。另外，为了在布置于同一基板上的IC间或者布置于不同基板上的IC间进行数据(包括诸如图像和声音等实际数据和控制数据)交換，在IC间和基板间布置有配线。顺便提及地，近年来，借助1C，对诸如3D (3维)图像或高分辨率图像等大容量数据进行信号处理，并且大容量数据可以在IC间高 速交換。此外，为了交换大容量数据，IC间和基板间的配线的导线数量増大，从而配线可能难以处理高频。因此，已经提出了以无线方式进行IC间的数据交換。也即是，例如，在非专利文献AMillimeter-ffave Intra-ConnectSolution (Kenichi, Kawasaki et.al., IEEE J.Solid-State Circuits, vol.45, n0.12,即 2655-2666，Dec.2010)和非专利文献A 60-GHz 38-pJ/bit 3.5-Gb/s90_nm CMOS00K Digital Radio (Eric Juntunen et.al., IEEE Trans.Microwave Theory Tech.,vol.58, n0.2，Feb.2010)中披露了用于高速地交换数据的互补型金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS)电路(IC),该 CMOS 电路将数据调制成毫米波段信号(毫米波)并且传送该数据。顺便提及地，对于在非专利文献A Millimeter-ffave Intra-ConnectSolution (Kenichi, Kawasaki et.al., IEEE J.Solid-State Circuits, vol.45, n0.12,pp.2655-2666，Dec.2010)和非专利文献A 60-GHz 38-pJ/bit 3.5-Gb/s90_nm CMOS 00KDigital Radio (Eric Juntunen et.al., IEEE Trans.Microwave Theory Tech., vol.58,n0.2,Feb.2010)等中披露的将数据调制为射频(Radio Frequency,RF)信号并且传送该数据的互补型金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)电路，用于处理RF信号的RF部的接ロ是用于交换单端信号的单端I/F(接ロ)。也即是，将单端I/F用作RF部的理由在于:例如，这样的RF部输出的RF信号易于測量(用于测量毫米波的測量设备的探针与单端信号相兼容)，CMOS的电路结构得到简化以及降低了能耗。另ー方面，由单端信号实现的数据传输的质量低于由差分信号实现的数据传输的质量。也即是，虽然在传输单端信号的情况下，例如，当在CMOS电路(其上安装有RF部)、转接器(interposer)或印刷基板(PCB (印刷电路板))等上形成有微带印刷线(micro strip track)的情况下，理想地使用无限大的接地导体(unlimited groundedconductor)，但是难以提供无限大的接地导体，因此数据传输的质量劣化。此外，对于使用单端信号的数据传输，由干与用于使用差分信号的数据传输相比，存在着更多的不必要的辐射，并且对来自外部(用于传输单端信号的传输路径的外部)的噪声的抗噪性弱，所以数据传输的质量劣化。因此，存在着如下进行高质量数据传输的方法，该方法将单端信号转换为差分信号并且用该差分信号进行数据传输。单端信号与差分信号之间的转换被称为平衡-不平衡转换，并且进行平衡-不平衡转换的电路被称为平衡-不平衡变换器(balun)。例如，在日本专利申请特开2004-104651号公报中披露了如下平衡-不平衡变换器，该平衡-不平衡变换器将共面印刷线(coplanar track)上的单端信号(不平衡输入)转换为差分信号(平衡输出)，并且从共面带状印刷线(coplanar strip track)输出转换后的信号。通过使用平衡-不平衡变换器将RF部的单端信号转换为差分信号能够进行高质量的数据传输。然而，当使用平衡-不平衡变换器将RF部的单端信号转换为差分信号时，在CMOS电路等中设置有平衡-不平衡变换器，这增大了电路尺寸。
技术实现思路
期望在抑制电路尺寸増大的同时进行高质量数据传输。本专利技术第一实施形式的电子电路包括:半导体芯片，所述半导体芯片设置有单端I/F，所述单端I/F包括用于交换单端信号的焊盘；以及安装部，所述安装部上形成有用于传输差分信号的差分传输路径，并且所述半导体芯片安装在所述安装部上，使得所述单端I/F的所述焊盘与用于构成所述差分传输路径的导体直接电连接。本专利技术第二实施形式的电子电路的制造方法包括:当将设置有单端I/F的半导体芯片安装到上面形成有用于传输差分信号的差分传输路径的安装部上时，将所述单端I/F包括的焊盘直接电连接到用于构成所述差分传输路径的导体。根据本专利技术第二实施形式，在所述半导体芯片上可以设置包含用于交换单端信号的焊盘的单端I/F，并且在所述安装部上可以形成用于传输差分信号的差分传输路径。此夕卜，所述半导体芯片安装在所述安装部上，使得所述单端I/F的所述焊盘与用于构成所述差分传输路径的导体直接电连接。根据本专利技术第三实施形式的安装部件，在所述安装部件上形成有传输差分信号的差分传输路径；在所述差分传输路径上布置有电介质，并且在所述安装部件上安装设有包含用于交换单端信号的焊盘的单端I/F的半导体芯片。根据本专利技术第三实施形式，用于传输差分信号的差分传输路径可以形成在安装半导体芯片的安装部件上，在所述半导体芯片上设置有包含用于交换单端信号的焊盘的单端I/F。此外，在所述差分传输路径上布置有电介质。根据本专利技术实施例，能够在抑制电路尺寸増大的同时进行高质量数据传输。附图说明图1表示用于交换单端信号毫米波的毫米波传输系统的结构示例；图2表示用于交换单端信号毫米波的毫米波传输系统的另一结构示例；图3是表示在安装部是转接器的情况下转接器的结构示例的平面图；图4是表示采用了本专利技术实施形式的电子电路的第一实施例的结构示例的立体图；图5是表示采用了本专利技术实施形式的电子电路的第一实施例的结构示例的横截面图；图6是表示采用了本专利技术实施形式的电子电路的第二实施例的结构示例立体图；图7是表示采用了本专利技术实施形式的电子电路的第二实施例的结构示例的横截面图；图8是表不差分传输路径的横截面图；图9是表示作为差分传输路径的共面帯状印刷线的立体图和横截面图；图10是表示采用了本专利技术实施形式的电子电路的第三实施例的结构示例的立体图；图1lA至图1lC表示在共面带状印刷线上布置电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子电路，所述电子电路包括：半导体芯片，所述半导体芯片设置有单端I/F，所述单端I/F包括用于交换单端信号的焊盘；以及安装部，所述安装部上形成有用于传输差分信号的差分传输路径，并且所述半导体芯片安装在所述安装部上，使得所述单端I/F的所述焊盘与用于构成所述差分传输路径的导体直接电连接。

【技术特征摘要】
2011.11.04 JP 2011-2419431.一种电子电路，所述电子电路包括: 半导体芯片，所述半导体芯片设置有单端I/F，所述单端I/F包括用于交换单端信号的焊盘；以及 安装部，所述安装部上形成有用于传输差分信号的差分传输路径，并且所述半导体芯片安装在所述安装部上，使得所述单端I/F的所述焊盘与用于构成所述差分传输路径的导体直接电连接。2.根据权利要求1所述的电子电路，其中， 所述单端I/F包括用于交换单端信号的信号焊盘和接地的接地焊盘， 所述差分传输路径包括两个平行布置的导体，并且 所述半导体芯片安装在所述安装部上，使得所述信号焊盘与所述两个导体中的ー个导体连接，并且所述两个导体中的另ー个导体与所述接地焊盘连接。3.根据权利要求2所述的电子电路，其中，在所述差分传输路径上布置有电介质。4.根据权利要求3所述的电子电路，其中，所述电介质的介电常数使所述单端I/F的阻抗与所述差分传输路径的阻抗相匹配。5.根据权利要求3所述的电子电路，其中，所述电介质的介电常数大于所述安装部的介电常数。6.根据权利要求3所述的电子电路，其中，所述电介质沿着所述差分传输路径的所述两个导体布置，并且所述电介质的宽度覆盖从所述两个导体中的一个导体到另ー个导体的全部区域。7.根据权利要求3所述的电子电路，其中，所述电介质沿着所述差分传输路径的所述两个导体布置，并且所述电介质的宽度与所述两个导体之间的包括所述两个导体自身的距离相同。8.根据权利要求3所述的电子电路，其中，所述电介质沿着所述差分传输路径的所述两个导体布置于所述两个导体之间，并且所述电介质的宽度与所述两个导体之间的不包括所述两个导体自身的距离相同。9.根据权利要求2所述的电子电路，其中，所述差分传输路径的所述两个导体的厚度被调整为使得所述单端I/F的阻抗与所述差分...

【专利技术属性】
技术研发人员：板垣智有，川崎研一，安仲健太郎，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：