发光二极管装置制造方法及图纸

技术编号:8684143 阅读:136 留言:0更新日期:2013-05-09 03:59
一种发光二极管,包括一基板、位于基板上的若干蓝光LED芯片、封装所述蓝光LED芯片于其内部的封装体及荧光粉,所述若干蓝光LED芯片的波长不同,最长波长与最短波长的波长差小于单一波长的蓝光LED芯片的最小半幅宽,一部分蓝光LED芯片发出的光线被荧光粉吸收后,荧光粉发出荧光光线,一部分蓝光LED芯片发出的光线直接穿透荧光粉,并与荧光光线混光形成白光。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体装置,尤其涉及一种发光二极管装置
技术介绍
相比于传统的发光源,发光二极管(Light Emitting Diode, LED)具有重量轻、体积小、污染低、寿命长等优点,其作为一种新型的发光源,已经被越来越广泛地应用。现有的多芯片白光LED通常采用多个蓝光LED芯片加上黄色荧光粉来制作。但是同一批蓝光LED芯片,其波长差可能较大,从而导致做出的多芯片白光LED产生较大的色偏。一般,在人眼可辨识的状况下,对高品质光源色偏的要求是限制其色品坐标(CIE)X,Y值的可容许误差在+/-0.005内。
技术实现思路
有鉴于此,有必要提供一种 具有较低色偏的发光二极管装置。一种发光二极管装置,包括一基板、位于基板上的若干蓝光LED芯片、封装所述蓝光LED芯片于其内部的封装体及突光粉,所述若干蓝光LED芯片的波长不同,最长波长与最短波长的波长差小于单一波长的蓝光LED芯片的最小半幅宽,一部分蓝光LED芯片发出的光线被荧光粉吸收后,荧光粉发出荧光光线,一部分蓝光LED芯片发出的光线直接穿透荧光粉,并与突光光线混光形成白光。与现有技术相比,将多个具有不同波长的蓝光LED混光,其中各蓝光LED之间的最大波长差不大于单一波长的蓝光LED的半幅宽,可有效的降低色偏差异。下面参照附图,结合具体实施例对本专利技术作进一步的描述。附图说明图1为本专利技术一实施例的发光二极管装置示意图。图2为多个LED芯片形成一个多波长芯片的发光二极管装置示意图。图3为突光粉不同设置方式不意图。图4为本专利技术的不同实施例的发光二极管芯片的发光光谱图。图5为本专利技术不同实施例的发光二极管装置的波峰值的波长范围在IOnm以下时的色品坐标分布图。图6为本专利技术不同实施例的发光二极管装置的波峰值的波长范围在40nm以下时的色品坐标分布图。主要元件符号说明本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管装置,包括一基板、位于基板上的若干蓝光LED芯片、封装所述蓝光LED芯片于其内部的一封装体及荧光粉,其特征在于,所述若干蓝光LED芯片的波长中最长波长与最短波长的波长差小于任一蓝光LED芯片的最小半幅宽,一部分蓝光LED芯片发出的光线被荧光粉吸收后,荧光粉发出荧光光线,一部分蓝光LED芯片发出的光线直接穿透荧光粉,并与荧光光线混光形成白光。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管装置,包括一基板、位于基板上的若干蓝光LED芯片、封装所述蓝光LED芯片于其内部的一封装体及荧光粉,其特征在于,所述若干蓝光LED芯片的波长中最长波长与最短波长的波长差小于任一蓝光LED芯片的最小半幅宽,一部分蓝光LED芯片发出的光线被荧光粉吸收后,荧光粉发出荧光光线,一部分蓝光LED芯片发出的光线直接穿透突光粉,并与突光光线混光形成白光。2.按权利要求1所述的发光二极管装置,其特征在于:所述蓝光LED芯片的波长差的范围在25nm以内。3.按权利要求1所述的发光二极管装置,其特征在于:所述蓝光LED芯片的波长是不连续变化。4.按权利要求3所述的发光二极管装置,其特征在于:所述蓝光LED芯片的波长差为非固定变化。5.按权利要求1所述的发光二极管装置,其特征在于:所述蓝光LED芯片也可以是相互电性连结形成一个蓝光芯片,其电性连结的方式可以是串联、并联,或串并联混...

【专利技术属性】
技术研发人员:曾坚信
申请(专利权)人:鸿富锦精密工业深圳有限公司鸿海精密工业股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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