【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及NOR闪存器件领域，尤其涉及一种NOR闪存器件的退火工艺以及采用该工艺制作的NOR闪存器件。
技术介绍
NOR闪存是市场上主要的非易失闪存技术之一。NOR闪存器件提供了高可靠性和快速读取性能，是在手机和其他电子器件中进行代码存储与直接执行的理想之选。NOR闪存器件对ICCSB(静态工作电流)的要求很高(ICCSB < 5uA,其他类似产品< 15yA)。但在NOR闪存器件的制备过程中较多的退火工艺，退火有减少应力的作用，但是退火工艺中的L温降温过程同时又会对晶片产生应力，导致器件的ICCSB比较大，造成较高的ICCSB失效率。目前基本是通过客户端更改光罩的相关电路版图设计来降低ICCSB。而通过客户端更改光罩的相关电路版图设计来降低ICCSB的缺点在于涉及到新版光罩的功能验证，需要的周期比较长，而且设计输出新的光罩，成本比较高。另外，有的客户设计能力相对薄弱，电路设计方面并不能有效的降低ICCSB。如授权公告号为CN100514607C的中国专利公开了一种快闪存储器的制作方法，包括将硅基底分为隔离区和有缘区，在有源区和隔离区交界处的硅基...
【技术保护点】
一种NOR闪存器件的退火工艺，包括：在半导体衬底上形成阱区，对所述阱区进行退火，其特征在于，所述退火是变温退火，即是在退火气氛下，将温度从900?1000℃中的第一温度降温至700?800℃中的第二温度，完成对所述阱区的退火,并且所述退火气氛中不含O2。
【技术特征摘要】
1.一种NOR闪存器件的退火工艺，包括: 在半导体衬底上形成阱区， 对所述阱区进行退火，其特征在于，所述退火是变温退火，即是在退火气氛下，将温度从900-100(TC中的第一温度降温至700-800°C中的第二温度，完成对所述阱区的退火，并且所述退火气氛中不含O2。2.根据权利要求1所述的退火工艺，其特征在于，所述降温是从950°C降至750°C。3.根据权利要求1所述的退火工艺，其特征在于，所述降温是从1000°C降至800°C。4.根据权利要求1所述的退火工艺，其特征在于，所述降温是从900°C降至700°C。5.根据权利要求1-4中任一项所述的退火工艺，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：王辉，黄兆兴，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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