【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种专用夹具,特别涉及在半导体以及微电子行业生产流程中夹持晶片却不与晶片表面接触,仅通过三夹头与晶片侧边缘的接触,完成晶片夹持操作的夹具。
技术介绍
半导体行业以及微电子产业对生产车间环境、生产用具均有非常高的要求。夹具是在生产过程中传递晶片操作时最常用的工具。随着半导体行业以及微电子产业日益发展,生产中使用夹具对产品所产生的影响以及怎样更适用于生产,也引起了广大用户的关注。目前夹取直径为两英寸、三英寸、四英寸等尺寸的半导体晶片,最常用的主要有两种方式:一种是用普通的镊子,普通镊子一般由两个夹臂和两个夹头组成,目前市场上此类镊子样式较多,但一般都是在两个夹臂和两个夹头组成形式下,改变夹臂、夹头的形状或制成材料,以达到方便夹持操作及减小污染的目的。此类夹具通过施力于两夹臂,利用两夹头与晶片正反两面相互作用完成夹持操作。且此类镊子的夹臂与夹头大部分为同一材料制成,较坚硬,操作人员在夹取晶片的过程中为了不损坏样品的表面,通常采取小面积夹取的方式,仅夹住样品边缘约Imm部分,由于样品较大或操作失误等原因时常出现夹不牢的情况;然而用力稍大又会夹碎样品的边缘,夹取面积稍大会造成表面污染,很难达到两全其美的目的。目前技术缺陷在于夹头直接作用晶面易导致晶片损伤且易污染晶面,并且难以在高温环境使用。另一种通过负压吸取的真空吸持。此类夹持工具一般设有吸附部,形成负压后通过吸附部与晶片表面接触,完成吸持操作。但其吸附部通常采用橡胶材料制成,不耐高温,在吸取环境温度高达200°C以上时,易发生形变漏气而夹持不住,甚至橡胶熔化易残留在样品表面导致样品污染更严重。综上 ...
【技术保护点】
一种晶片专用三夹头夹具,包含有:夹臂、三个夹头,其特征在于,所述夹臂末端设有夹头,所述夹头形状为扁平状、倒三角状、尖峰状、鸭嘴状,其中一个夹臂上安装1或2个夹头,所述夹具设有3条或2条夹臂,各夹臂间相互连接,所述夹臂间相互连接处在夹臂中部或夹臂首端,其夹臂间相互连接方式为一体成型、碾压、螺丝结合、黏合、焊接、钳夹,所述夹臂的形状为扁平柱、柱形、锥形、条形,所述夹头与夹臂末端的安装方式为一体成型、碾压、螺丝结合、黏合、焊接、钳夹。
【技术特征摘要】
1.一种晶片专用三夹头夹具,包含有:夹臂、三个夹头,其特征在于,所述夹臂末端设有夹头,所述夹头形状为扁平状、倒三角状、尖峰状、鸭嘴状,其中一个夹臂上安装I或2个夹头,所述夹具设有3条或2条夹臂,各夹臂间相互连接,所述夹臂间相互连接处在夹臂中部或夹臂首端,其夹臂间相互连接方式为一体成型、碾压、螺丝结合、黏合、焊接、钳夹,所述夹臂的形状为扁平柱、柱形、锥形、条形,所述夹头与夹臂末端的安装方式为一体成型、碾压、螺丝结合、黏合、焊接、钳夹。2.根据权利要求1所述的一种晶片专用三夹头夹具,其特征在于,所述三个夹头的形状大小相同;或其中两个夹头大小相同而另一个与它们大小不同;或三个夹头大小不相同; 所述夹头材质采用:不锈钢、碳素、陶瓷、钛、钥、钨、铝合金以及复合型材料。3.根据权利要求1所述的一种晶片专用三夹头夹具,其特征在于,所述3条夹臂大小相同;或其中两个夹臂大小相同而另一个与它们大小不同;或三个大小均不相同。4.根据权利要求1所述的一种晶片专用三夹头夹具,其特征在于,所述2条夹臂大小相同;或两个夹臂大小不同;所述夹臂材质采用:铁、不锈钢、碳素、陶瓷、钛、钥、钨、铝合金以及复合型材料。5.根据权利要求1所述的一种晶片专用三夹头夹具,其特征在于,所述2条夹臂是A夹臂(1)、B夹臂(2),所述A夹臂(1)、B夹臂(2)形状、大小相同且相互对称,所述A夹臂(I)、B夹臂(2)首端通过辗压相互连接并互成角度,所述A夹臂(I )、B夹臂(2)是具有一定运动弹性的运动夹臂,所述A夹臂(I)末端设有A夹头(11 ),所述B夹臂(2)末端设有BI夹头(21)、B2夹头(22),所述A夹臂(1)、B夹臂(2)末端的A夹头(11)与BI夹头(21)、B2夹头(22)之间的间距大于晶片直径 。6.根据权利要求5所述的一种晶片专用三夹头夹具,其特征在于,所述A夹头(11)、B1夹头(21)、B2夹头(22)三个形状相同,竖直向下的A夹头(11)与A夹臂(I)末端一体成型,所述A夹头(11)与A夹臂(I)连接处呈向外凸的弧形,所述B夹臂(2 )末端与两个互成角度的BI夹头(21)、B2夹头(22) —体成型连接; 所述A夹臂(I)与A夹头(11)连接后的垂直高度和B夹臂(2)与BI夹头(21)、B2夹头(22)连接后的垂直高度相等,所述A夹头(11)、B1夹头(21)、B2夹头(22)的末端处于同一平面。7.根据权利要求1所述的一种晶片专用三夹头夹具,其特征在于,所述3条夹臂是A夹臂(I)、B夹臂(2)、C夹臂(3),所述A夹臂(I)、B夹臂(2)、C夹臂(3)...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘鹏,毕绿燕,赵红军,张国义,童玉珍,廉宗隅,
申请(专利权)人:东莞市中镓半导体科技有限公司,北京大学,
类型:发明
国别省市:
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