【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体测试
,尤其涉及一种利用二次扎针的半导体测试方法。
技术介绍
在半导体产品生产或使用过程中,可能需要先测试半导体产品的电性特性。现行的测试方法通常采用下压式,即测试头具有向下突出的探针,当需要测试半导体产品时,产品上的测试接触焊垫(PAD)位于测试头的下方,测试头向下压使探针接触测试接触焊垫以进行测试。一般,电性参数测试过程主要由6个步骤构成,第一步,选择测试模块;第二步,测试模块扎针,通常在测试台上进行;第三步,选择量测端口,例如选择信号发送测量单元SMU、电容测量单元CMU或脉冲测量单元PGU ;第四步,通过测试仪加上电流、电压或脉冲测量信号;第五步,通过测试仪测量电压、电流或电容信号;第六步,控制终端进行数据处理。然而,在测试模块扎针过程中,E-TEST常常出现针尖和测试焊垫之间存在接触不良的情况。一般说来,测试接触电阻与探针和PAD接触面成反比,接触面越大接触电阻就越小,反之接触面积越小接触电阻就越大。接触不良导致加到器件上的电压和电流信号实际值与理论值不符,信号失真比较严重,从而测量到的电压和电流信号也不是真实值,尤其对小电阻和小电流的参数测试值影响比较大,影响E-TEST参数测试值的真实性。一种减小接触电阻的方法是加重针压,这样针尖在PAD上划动距离变大,增加针尖与PAD表面的接触面,但该方法可能出现针尖会划到PAD外面,测试值只会更异常,针卡损耗也会增加。因此,现有技术的主要缺点是探针与PAD之间接触不良导致接触电阻过大,从而接触电阻过大导致测试值异常,进一步增加了测试工程师的工作负担,影响工厂机台的产倉泛。专利技 ...
【技术保护点】
一种半导体测试方法,所述方法包括,测试头具有探针,当需要测试半导体产品时,产品上的测试接触焊垫位于测试头的下方,测试头向下压使探针接触测试接触焊垫以进行测试,其特征在于,在第一次扎针的基础上还进行第二次扎针从而增加探针与所述焊垫纵向的接触面积。
【技术特征摘要】
1.种半导体测试方法,所述方法包括,测试头具有探针,当需要测试半导体产品时,产品上的测试接触焊垫位于测试头的下方,测试头向下压使探针接触测试接触焊垫以进行测试,其特征在于,在第一次扎针的基础上还进行第二次扎针从而增加探针与所述焊垫纵向的接触面积。2.权利要求1所述的方法,所述第一次扎针的深度作为第二次扎针的起始接触点,第一次扎针与第二次扎针的扎针位置和针压保持不变,其中所述针压以圆片和针尖刚接触时针尖再往下扎的深度来表示。3.权利要求1所述的方法,包括步骤: 步骤I,选择测试模块...
【专利技术属性】
技术研发人员:连晓谦,凌耀君,王明,陈寒顺,许文慧,
申请(专利权)人:无锡华润上华科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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