【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种碳纳米管复合结构。
技术介绍
1991年，日本NEC公司研究人员意外发现碳纳米管，请参见:〃Helicalmicrotubules of graphitic carbon〃，S.1i jima, Nature, vol.354, p56 (1991),因为碳纳米管的优异特性，其潜在的应用一直受到人们广泛关注，尤其是在电子领域，由于碳纳米管的直径极小，大约几纳米至十几纳米，在较小的电场作用下就可以从其尖端发射电子，因而可用作场发射阴极。近年来，人们在纳米材料及其应用领域进行各种研究，尤其是对碳纳米管的生长方法及其应用。例如，李康雨等人于2005年10月12日申请于2009年12月9日公告的公告号为CN100568436的中国专利揭示了一种碳纳米管发射器件的制备方法，此专利技术利用PECVD (等离子体增强化学气相沉积)法在第一碳纳米管表面生长出垂直第一碳纳米管表面的第二碳纳米管，其包括下列步骤:先在形成有催化剂材料层的第一基板上生长多个第一碳纳米管，然后，从所述第一基板分离所述第一碳纳米管并将分离的碳纳米管浸入分散溶液，最后用所述分散溶液涂覆第二...
【技术保护点】
一种碳纳米管复合结构，其特征在于，所述碳纳米管复合结构包括一第一碳纳米管结构及第二碳纳米管结构，所述第一碳纳米管结构包括多个碳纳米管沿同一方向择优取向延伸并通过范德华力首尾相连，且所述第一碳纳米管结构中分散有多个催化剂颗粒，所述第二碳纳米管结构包括多个碳纳米管设置于所述第一碳纳米管结构的一表面，并且所述第二碳纳米管结构中每一碳纳米管的根部与所述第一碳纳米管结构表面相连，端部向远离所述第一碳纳米管结构的方向延伸。
【技术特征摘要】
1.一种碳纳米管复合结构，其特征在于，所述碳纳米管复合结构包括一第一碳纳米管结构及第二碳纳米管结构，所述第一碳纳米管结构包括多个碳纳米管沿同一方向择优取向延伸并通过范德华力首尾相连，且所述第一碳纳米管结构中分散有多个催化剂颗粒，所述第二碳纳米管结构包括多个碳纳米管设置于所述第一碳纳米管结构的一表面，并且所述第二碳纳米管结构中每一碳纳米管的根部与所述第一碳纳米管结构表面相连，端部向远离所述第一碳纳米管结构的方向延伸。2.按权利要求1所述的碳纳米管复合结构，其特征在于，所述多个催化剂颗粒分散于通过范德华力首尾相连的碳纳米管与碳纳米管之间的连接处。3.按权利要求1所述的碳纳米管复合结构，其特征在于，所述催化剂颗粒沿第一碳纳米管结构中碳纳米管的延伸方向上等间距排列。4.按权利要求3所述的碳纳米管复合结构，其特征在于，在沿所述第一碳纳米管结构中碳纳米管的延伸方...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜开利，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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