对石墨烯进行后处理的方法和使用该方法制造石墨烯的方法技术

提供了一种对石墨烯进行后处理的方法和一种使用后处理方法来制造石墨烯的方法。所述方法包括：提供其上形成有石墨烯的金属薄膜；在石墨烯上设置液相载体；使载体硬化；以及将载体和石墨烯与金属薄膜分离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种对石墨稀进彳丁后处理的方法和一种使用对石墨稀进彳丁后处理的所述方法来制造石墨烯的方法。
技术介绍
当如,在各种纳米
中研究了基于诸如纳米管、钻石、石墨和石墨稀的碳的材料。这些材料可以用在场效应晶体管(FET)、生物传感器、纳米复合物或量子器件中。石墨烯是二维材料，并且是带隙为零的半导体材料。在过去的几年里，已经了解到关于石墨烯的电特性的各种研究。石墨烯的电特性包括两极超电流、自旋输送和量子空穴效应。当前，石墨烯作为可用于集成基于碳的纳米电子器件的基本单元的材料而受到关注。 随着对石墨稀的关注增加，需要开发一种制造闻品质石墨稀的方法。
技术实现思路
技术问题本专利技术提供了一种通过极大地减小电阻来制造具有高电学特性的高品质石墨烯的方法。本专利技术还提供了一种大规模制造高品质石墨烯的方法。问题的解决方案根据本专利技术的一方面，提供了一种对石墨烯进行后处理的方法，所述方法包括:提供其上形成有石墨烯的金属薄膜；在石墨烯上设置液相载体；使载体硬化；以及将载体和石墨烯与金属薄膜分离。可以在根据卷对卷方法沿一定方向传送金属薄膜的同时，执行每个操作。其上形成有石墨烯的金属薄膜具本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.08.11 KR 10-2010-00774911.一种对石墨烯进行后处理的方法，所述方法包括: 提供其上形成有石墨烯的金属薄膜； 在石墨烯上设置液相载体； 使载体硬化；以及 将载体和石墨烯与金属薄膜分离。2.根据权利要求1所述的方法，其中，在根据卷对卷方法沿一定方向传送金属薄膜的同时，执行每个操作。3.根据权利要求1所述的方法，其中，其上形成有石墨烯的金属薄膜具有板状形状， 在通过传送单元沿一定方向传送金属薄膜的同时，执行每个操作。4.根据权利要求3所述的方法，其中，其上形成有石墨烯的金属薄膜由围绕其上形成有石墨烯的金属薄膜的框架支撑。5.根据权利要求3所述的方法，其中，其上形成有石墨烯的金属薄膜由布置在与其上形成有石墨稀的表面相反的表面上的基体构件支撑。6.根据权利要求1所述的方法，其中，设置载体的步骤包括: 将载体提供到涂覆辊的外表面上，涂覆辊与金属薄膜隔开预定的距离；以及 在使涂覆辊旋转的同时，将载体涂覆到金属薄膜上。7.根据权利要求1所述的方法，其中，设置载体的步骤包括将液相载体印刷或涂覆在石墨烯上。8.根据权利要求1所述的方法，其中，载体是从由丙烯酸材料、硅类材料和环氧类材料组成的组中选择的一种。9.根据权利要求8所述的方法，其中，当载体是从由丙烯酸材料组成的组中选择的一种时，载体是PMMA或水溶性丙烯酸树脂。10.根据权利要求8所述的方法，其中，当载体是从由硅类材料组成的组中选择的一种时，载体是聚二甲基硅氧烷或硅粘结剂。11.根据权利要求1所述的方法，其中，使载体硬化的步骤包括:使用硬化装置来使载体硬化，硬化装置与液相载体隔开预定的距离并向液相载体发出热或光。12.根据权利要求1所述的方法，其中，将载体和石墨烯与金属薄膜分离的步骤包括通过蚀刻来去除金属薄膜。13.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括:在将...

【专利技术属性】
技术研发人员：元栋观，曹承旻，尹钟赫，罗德和，
申请(专利权)人：三星泰科威株式会社，
类型：
国别省市：