【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种气固反应发生装置，尤其是一种刻蚀碳化物制备碳材料的装置，具体地说是一种S⑶D及⑶C的制备装置。
技术介绍
众所周知，碳元素在自然界含量丰富，“碳材料”具有众多特性可为人们所使用。近年来“碳材料”的应用越来越广泛，各种“碳材料”的制备工艺以及设备一直是研究热点，人类或将步入“碳材料时代”。Q)C(carbide derived carbon碳化物衍生碳)与SO)D(siliconcarbide derived diamond碳化物衍生金刚石)作为两种较新的“碳材料”,最近几年才引起人们的重视，在国际上关于CDC与SCDD的研究文献还不多，国内相关研究还未起步。CDC材料作为一种新的多孔碳材料在超级电容、储气、电池电极、物质吸附等方面大有可为，SCDD材料在涂层刀具、耐磨涂层等领域应用前景广阔。CDC与SCDD材料的制备工艺都涉及到一种卤素(一般使用氯气)的选择性刻蚀工艺，本专利技术所涉及的就是一种CDC及SCDD的制备装置。 由于氯气高温下腐蚀性极强，对反应腔的材料具有特殊的要求，并且氯气可对人体造成很大伤害，一旦泄露危害极大。常规的加热方式都不...
【技术保护点】
一种SCDD及CDC制备装置，它包括底座（2）和钟罩（12），钟罩（12）安装在底座（2）上并形成一个真空保护腔（30），其特征是在所述的真空保护腔（30）中安装有反应管（13），反应管（13）中安装有放置反应试样的工作台（15），在反应管（13）外与工作台（15）对应位置处套装金属套（11），金属套（11）上套装有感应加热线圈（25）；所述反应管（13）的一端安装有密封堵头（9），密封堵头（9）的中心设有反应气进气孔，反应气进气孔通过反应气进气管（4）与位于真空保护腔外的气源相连，反应管（13）的另一端连接有一端伸出真空保护腔的反应气出气管（20）；在反应管（13）的一端...
【技术特征摘要】
1.一种S⑶D及⑶C制备装置，它包括底座(2)和钟罩(12)，钟罩(12)安装在底座(2)上并形成一个真空保护腔(30)，其特征是在所述的真空保护腔(30)中安装有反应管(13)，反应管(13 )中安装有放置反应试样的工作台(15 )，在反应管(13 )外与工作台(15 )对应位置处套装金属套(11 )，金属套(11)上套装有感应加热线圈(25);所述反应管(13)的一端安装有密封堵头(9)，密封堵头(9)的中心设有反应气进气孔，反应气进气孔通过反应气进气管(4)与位于真空保护腔外的气源相连，反应管(13)的另一端连接有一端伸出真空保护腔的反应气出气管(20);在反应管(13)的一端或两端还套装有冷却座(10)，冷却座(10)连接有通向真空保护腔外的用于连接冷却装置或冷源的冷却管(5)。2.根据权利要求1所述的SCDD及CDC制备装置，其特征是所述的工作台(15)的侧面有小块凸缘，底面呈与反应管(13)壁贴合的圆弧状结构，工作台(15)的上表面呈倾斜状斜面结构，斜面面向进气口处，与水平线夹角α =5° 45° ;所述的反应管(13)进气端的进气孔与另一端的出气端的出气口不在同一轴线上，且出气端的出气口中心高度低于进气孔中心高度。3.根据权利要求1所述的S⑶D及⑶C制备装置，其特征是所述的金属套(11)的位置可调；所述的反应管(13)的长度L1、外径D1，满足关系:L1MD1 ;所述的金属套(11)的长度L2与反应管(13)长度1^满足关系:L2 ^ 0.4Q ;所述的感应线圈(25)的内径D3与金属套(11)的外径D2满足关系=D3=D2+ (Γ10) mm。4.根据权利要求1所述的SCDD及CDC制备装置，其特征是所述的反应管(13)和工作台(15)为石英或其它耐卤族元素刻蚀的材料,工作台(15)放置于反应管(13)中被金属套`(11)覆盖的区域，工作台(15)任意一端超出金属套(11)边缘的距离C与金属套(11)的长度L2满足关系:C< L2。5.根据权利要求1所述的SCDD及CDC制备装置，其特征是所述的感应线圈(25)不直接固定于底座(2)上，而是通过...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢文壮，王正鑫，黄群超，左敦稳，孙玉利，徐锋，艾国平，陈瑶光，蔡文俊，冯森，左杨平，
申请(专利权)人：南京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：
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