透明显示装置及其制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种透明显示装置，包括TFT阵列基板和设置在基板上的显示单元，所述显示单元包括发光区和所述发光区以外的透光区，其中，所述发光区设置有发光元器件，所述发光元器件包括依次层叠设置在所述TFT阵列基板上的透明电极、发光层和反射电极；所述透光区在所述TFT阵列基板上依次设置有透明像素Bank和透明电极隔离柱；且所述透明电极隔离柱将相邻的所述发光元器件的反射电极隔离，形成相隔的线状反射电极；所述TFT阵列基板中，TFT的栅极、S/D电极及驱动电路均采用透明导电材料制作。

Transparent display device and preparation method thereof

The present invention provides a transparent display device includes a display unit, a TFT array substrate and disposed on a substrate, the display unit comprises a transparent area, a light-emitting region and the light emitting region outside the light emitting region is provided with a light emitting device, the light emitting component comprises a luminous transparent electrode, are stacked in turn the TFT array substrate layer and a reflecting electrode; the transparent area in the TFT array substrate is provided with transparent pixels and Bank transparent electrode isolation column; and the transparent electrode isolation column will reflect the electrode isolation and the adjacent light-emitting devices, forming linear reflection electrodes separated by the TFT; the array substrate, the gate of the TFT and S/D electrodes and a driving circuit are made of transparent conductive material.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于平板显示
，尤其涉及一种透明显示装置及其制备方法。
技术介绍
在信息社会的当代，作为可视信息传输媒介的显示器的重要性在进一步加强，为了在未来占据主导地位，显示器正朝着更轻、更薄、更低能耗、更低成本以及更好图像质量的趋势发展。有机电致发光二极管(OLED)由于其具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点，其潜在的市场前景被业界看好。量子点发光二极管(QLED)由于其光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色易调等优点，近年来成了OLED的有力竞争者。因此，这两种显示技术是目前显示领域发展的两个主要方向。由于OLED、QLED具有自主发光特性，其不需要背光源，因此可以实现透明显示。透明OLED或QLED显示器，具有可自发光同时光线可穿透的优点，有望成为未来新型显示技术的主流。现有的透明显示装置主要通过阴极和阳极均采用透明导电层来制备，一方面，在有机层上制备透明导电层的工艺较为复杂；另一方面，阴极和阳极均采用透明导电层来制备得到的显示面板透光性较强，同时也会造成显示端的亮度大幅降低，从而导致透明显示装置的对比度降低。此外，也有采用光栅式反射电极来实现透明显示，但光栅式反射电极的制备往往需要精细掩膜，不适用于大面积生产。因此，现有技术有待进一步改进和发展。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种透明显示装置及其制备方法，旨在解决现有透明显示装置制备工艺复杂或条件苛刻，不适于大面积生产，以及现有透明显示装置影响器件对比度的问题。本专利技术是这样实现的，一种透明显示装置，包括TFT阵列基板和设置在基板上的显示单元，所述显示单元包括发光区和所述发光区以外的透光区，其中，所述发光区设置有发光元器件，所述发光元器件包括依次层叠设置在所述TFT阵列基板上的透明电极、发光层和反射电极；所述透光区在所述TFT阵列基板上依次设置有透明像素Bank和透明电极隔离柱；且所述透明电极隔离柱将相邻的所述发光元器件的反射电极隔离，形成相隔的线状反射电极；所述TFT阵列基板中，TFT的栅极、S/D电极及驱动电路均采用透明导电材料制作。以及，一种透明显示装置的制备方法，包括以下步骤：提供TFT阵列基板，且所述TFT阵列基板中，TFT的栅极、S/D电极及驱动电路均采用透明导电材料制作；在所述TFT阵列基板上制作图案化透明电极和透明像素Bank；在所述透明像素Bank上制作透明电极隔离柱；在所述图案化透明电极上沉积发光层；在所述发光层、所述透明电极隔离柱上沉积一层反射电极，采用电极剥离膜剥离所述透明电极隔离柱上的反射电极。本专利技术提供的透明显示装置，在所述透明像素Bank上制作所述透明电极隔离柱，通过所述透明电极隔离柱将所述反射电极结构化，形成相隔的线状反射电极，同时所述透明电极隔离柱表面不含反射电极。具有该结构的显示装置，由于非发光区(发光区以外的区域)均采用透明材料制成，因此可实现非发光区透光，形成透光区，得到透明显示装置。此外，本专利技术提供的透明显示装置，制备过程中不需要采用精细掩膜，因此，可以简化制作工艺，实现大面积生产。本专利技术提供的透明显示装置的制备方法，只需要在所述透明像素Bank上制备透明电极隔离柱，然后采用电极剥离膜将沉积在所述透明电极隔离柱上的所述反射电极剥离去除即可实现非发光区的透光，得到透明显示装置。该方法采用类似转印的剥离工艺去除所述透明电极隔离柱上的所述反射电极，不仅工艺简单，而且不需要采用精细掩膜，因此，可以实现大面积生产。附图说明图1是本专利技术实施例提供的透明显示装置的结构效果示意图；图2是本专利技术实施例提供的制作完电极隔离柱后的结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的制作完发光层后的结构示意图；图4是本专利技术实施例提供的制作完反射电极后的结构示意图；图5是本专利技术实施例提供的沉积电极玻璃膜后的结构示意图；图6是本专利技术实施例提供的透明显示装置的结构示意图。具体实施方式为了使本专利技术要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。结合图1，本专利技术实施例提供了一种透明显示装置，包括TFT阵列基板1和设置在基板上的显示单元，所述显示单元包括发光区a和所述发光区a以外的透光区b，其中，所述发光区a设置有发光元器件，所述发光元器件包括依次层叠设置在所述TFT阵列基板1上的透明电极2、发光层3和反射电极4；所述透光区b在所述TFT阵列基板1上依次设置有透明像素Bank5和透明电极隔离柱6；且所述透明电极隔离柱6将相邻的所述发光元器件的反射电极4隔离，形成相隔的线状反射电极；所述TFT阵列基板1中，TFT的栅极、S/D电极及驱动电路均采用透明导电材料制作。具体的，本专利技术实施例中，所述透明显示装置包括TFT阵列基板1和设置在基板上的显示单元。其中，所述TFT阵列基板1中，TFT的栅极(图中未标示)、S/D电极(图中未标示)及驱动电路(图中未标示)均采用透明导电材料制作，从而保证所述透明区整体的透明性。本专利技术实施例中，所述显示单元包括发光区a和所述发光区a以外的透光区b。其中，所述发光区a是指发光元器件所在的区域，即所述发光区a设置有发光元器件。具体的，所述发光元器件包括依次层叠设置在所述TFT阵列基板1上的透明电极2、发光层3和反射电极4。其中，所述透明电极2与所述TFT的S/D电极相连。优选的，所述透明电极2可以采用导电金属氧化物制成。具体的，所述导电金属氧化物包括但不限于ITO、IZO、FTO。所述发光层3根据具体的发光元器件类型而定，可以是量子点发光层3，也可以是无机发光层3。所述反射电极4为金属反射电极4，包括但不限于Al、Ag、Au、Cu、Mg、Ba以及它们的合金材料。进一步的，所述发光元器件为QLED或OLED。优选的，所述QLED中，所述发光层3包括依次层叠设置在所述透明电极2上的空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层3、电子传输层；进一步优选的，所述QLED中，所述发光层3还包括电子阻挡层、空穴阻挡层、电子注入层中的至少一层。优选的，所述OLED中，所述发光层3包括依次层叠设置在所述透明电极2上的空穴注入层、空穴传输层、有机发光层3、电子传输层、电子注入层；进一步优选的，所述OLED中，所述发光层3还包括电子阻挡层、空穴阻挡层、激子限定层中的至少一层。所述显示单元中，所述透光区b包括所述发光区a以外的区域。且所述透光区b在所述TFT阵列基板1上依次设置有透明像素Bank5和透明电极隔离柱6。其中，所述透明像素Bank5用来限定像素发光区域。优选的，所述透明像素Bank5的高度为100-1000nm，以便有充足的高度沉积所述发光元器件的发光层3。本专利技术实施例中，在所述透明像素Bank5上设置所述透明电极隔离柱6，来取代原本覆盖在像素Bank上的反射电极，从而实现非发光区a的透明化。优选的，所述透明电极隔离柱6的高度高于所述发光区a中反射电极4的高度，以便于制备过程中，沉积反射电极时，所述发光区a的反射电极4与所述透光区b中覆盖在所述透明电极隔离柱6上的反射电极有效隔断，所述透明电极隔离柱6上的反射电极4与所述发光区a的反射电极完全分开，形成结构化的线状反射电极，进而有利于在不影响所述发光区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透明显示装置，包括TFT阵列基板和设置在基板上的显示单元，其特征在于，所述显示单元包括发光区和所述发光区以外的透光区，其中，所述发光区设置有发光元器件，所述发光元器件包括依次层叠设置在所述TFT阵列基板上的透明电极、发光层和反射电极；所述透光区在所述TFT阵列基板上依次设置有透明像素Bank和透明电极隔离柱；且所述透明电极隔离柱将相邻的所述发光元器件的反射电极隔离，形成相隔的线状反射电极；所述TFT阵列基板中，TFT的栅极、S/D电极及驱动电路均采用透明导电材料制作。

【技术特征摘要】
1.一种透明显示装置，包括TFT阵列基板和设置在基板上的显示单元，其特征在于，所述显示单元包括发光区和所述发光区以外的透光区，其中，所述发光区设置有发光元器件，所述发光元器件包括依次层叠设置在所述TFT阵列基板上的透明电极、发光层和反射电极；所述透光区在所述TFT阵列基板上依次设置有透明像素Bank和透明电极隔离柱；且所述透明电极隔离柱将相邻的所述发光元器件的反射电极隔离，形成相隔的线状反射电极；所述TFT阵列基板中，TFT的栅极、S/D电极及驱动电路均采用透明导电材料制作。2.如权利要求1所述的透明显示装置，其特征在于，所述透明电极隔离柱的高度高于所述发光区中反射电极的高度。3.如权利要求2所述的透明显示装置，其特征在于，所述透明电极隔离柱的高度为500-5000nm。4.如权利要求1所述的透明显示装置，其特征在于，所述透明电极隔离柱采用透明光阻材料制备。5.如权利要求1所述的透明显示装置，其特征在于，所述透明电极隔离柱为倒梯形结构。6.如权利要求1-5任一所述的透明显示装置，其特征在于，所述发光元器件为QLED或OLED。7.如权利要求6所述的透明显示装置，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈亚文，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44