石墨膜以及石墨膜的制造方法技术

本发明专利技术能通过对构成石墨膜原料即聚酰亚胺膜的酸二酐和二胺加以适当选择，来制造较少产生石墨粉末的石墨膜。具体而言，可以通过方案（1）或（2）来获得较少产生石墨粉末的石墨膜。方案（1）：以PMDA为酸二酐，以ODA/PDA（摩尔比率为100/0～80/20）为二胺；方案（2）：以PMDA/BPDA（摩尔比率为80/20～50/50）为酸二酐，以ODA/PDA（摩尔比率为30/70～90/10）为二胺。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种石墨膜及其制造方法。
技术介绍
石墨膜作为散热部件，而用于电脑等各种电子/电气设备中装载的半导体元件或者其他发热部件等。通过在氮气中将厚度75 μ m的高分子膜升温至1000°C来获得碳化膜，然后将该碳化膜在氩气环境下加热至300(TC而获得石墨化膜，之后对该石漠化膜实施压延处理，如此便可获得机械强度优异且如图1所示那样具有柔软性的石墨膜(专利文献I)。[现有技术文献] 专利文献1:日本国专利申请公开公报“特表特开平3-75211号”
技术实现思路
[本专利技术所要解决的课题]石墨膜用在电子设备等中时，因石墨膜而产生的石墨粉末会污染设备内部而导致短路等，所以对此状况予以改善一直是本领域的一个课题。[用以解决课题的技术方案]S卩，本专利技术包括下述专利技术方案。(I) 一种石墨膜，其是以聚酰亚胺膜为原料来制造的，所述聚酰亚胺膜是通过使作为酸二酐的PMDA/BPDA (摩尔比率为80/20 50/50)、与作为二胺的0DA/PDA (摩尔比率为30/70 90/10)进行反应而获得的。(2)根据(I)所述的石墨膜，其中所述酸二酐为PMDA/BPDA (摩尔比率为70/30本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.08.25 JP 2010-1886081.一种石墨膜，其是以聚酰亚胺膜为原料来制造的，其特征在于: 所述聚酰亚胺膜，是通过使作为酸二酐的PMDA/BPDA与作为二胺的ODA/PDA进行反应而获得的，其中， PMDA/BPDA的摩尔比率为80/20 50/50，ODA/PDA的摩尔比率为30/70 90/10。2.根据权利要求1所述的石墨膜，其特征在于: 所述酸二酐是摩尔比率为70/30 60/40的PMDA/BPDA， 所述二胺是摩尔比率为40/60 85/15的ODA/PDA。3.—种石墨膜的制造方法，其特征在于包括如下步骤: 对使作为酸二酐(I)的PMDA/BPDA与作为二胺(2)的ODA/PDA进行反应而得的聚酰亚胺膜，在2600°C以上的温度下实施热处理，其中， PMDA/BPDA的摩尔比率为80/20 50/50，ODA/PDA的摩尔比率为30/70 90/10。4.根据权利要求3所述的石墨膜的制造方法，其特征在于: 所述聚酰亚胺膜，是通过使作为所述酸二酐(I)的PMDA/BPDA与作为所述二胺(2)的ODA/PDA进行反应而获得的，其中， PMDA/BPDA的摩尔比率为70/30 60/40，ODA/PDA的摩尔比率为40/60 85/15。5.一种石墨膜，其是以聚酰亚胺膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：太田雄介，稻田敬，三代真琴，西川泰司，
申请(专利权)人：株式会社钟化，
类型：
国别省市：