酯化物的制造方法技术

根据本发明专利技术，提供一种酯化物的制造方法，包括：将碳原子数为5～80的1-烯烃与马来酸酐共聚而得到共聚物的工序，使上述共聚物与碳原子数为5～25的醇在三氟甲磺酸的存在下发生酯化反应而得到含有含选自式（c）～（f）中的至少一个重复单元的酯化物的反应混合物的工序；其中，式（c）～（f）中，R表示碳原子数为3～78的脂肪族烃基，R2表示碳原子数为5～25的烃基，m表示上述1-烯烃（X）与上述马来酸酐（Y）的共聚摩尔比X/Y、且为1/2～10/1，n为1以上的整数。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。更详细而言，涉及用于在半导体元件的密封材料中使用的。
技术介绍
半导体元件的密封材料中，使用酯化物作为用于改善连续成型性和耐回焊性的添加剂。这样的酯化物，可由酸酐与1-烯烃的聚合物和醇合成(专利文献I)。由于酸酐与1-烯烃的聚合物和醇反应而得到酯化物的反应迟缓，因此需要催化齐U。专利文献I中使用对甲苯磺酸作为催化剂，进行该反应。但是，这样的磺酸有时残留在得到的反应生成物中。将这样的残留有对甲苯磺酸的酯化物用作半导体元件的密封材料时，成为半导体元件的绝缘不良的原因。因此，为了将用专利文献I的方法得到的酯化物用作半导体元件的密封材料，需要将残留的磺酸类减少至不发生半导体元件的绝缘不良等不良情况的水平。磺酸类可通过对反应生成物进行清洗而除去，但利用清洗的除去，其操作繁琐，并且磺酸类的除去效率也不高。另外，进一步进行过度清洗的情况下，有时能够将半导体元件密封所需要的有助于耐回焊性、脱模性的低分子量的酯化物、1-烯烃除去。专利文献1:日本特愿2010-12219
技术实现思路
本专利技术鉴于上述情况而完成，提供一种精制效率优异的作为半导体元件的密封材料有用的。根据本专利技术，能够提供一种`，其中，包括:将碳原子数为5 80的1-烯烃与马来酸酐共聚而得到共聚`物的工序，使上述共聚物与碳原子数为5 25的醇在三氟甲磺酸的存在下发生酯化反应而得到含有包含选自式(c) (f )中的至少一个重复单元的酯化物的反应混合物的工序。

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.05.28 JP 2010-1221911.一种酯化物的制造方法，其中，包括: 将碳原子数为5 80的1-烯烃与马来酸酐共聚而得到共聚物的工序， 使所述共聚物与碳原子数为5 25的醇在三氟甲磺酸的存在下发生酯化反应，得到含有包含选自式(c) (f)中的至少一个重复单元的酯化物的反应混合物的工序；2.根据权利要求1所述的方法，其中，还包括在得到含有酯化物的反应混合物的所述工序后，通过减压处理 除去游离三氟甲磺酸的工序。3.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：田部井纯一，曾根嘉久，村田清贵，高桥航，
申请(专利权)人：住友电木株式会社，爱沃特株式会社，
类型：
国别省市：