【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于基板领域,尤其涉及。
技术介绍
随着大功率、高密度电子器件的发展,电子器件的散热问题日益突出。特别是近年来大功率半导体照明器件的应用,例如发光二级管(LED),使得解决其散热问题显得异常重要。由于LED的光谱中不含红外部分,LED芯片产生的热量只能以热传导的形式通过基板进行散热。通常,这些电子器件一般安装在具有绝缘基底的线路板上,例如,采用导热系数低的环氧树脂作为绝缘、粘接层的金属基覆铜板,散热效果不够理想,已远远无法满足使用的要求。为了改进上述问题,业界采用过多种不同的方法。例如,一种方法就是在传统的印刷电路板上嵌入金属核心以改善电路板层面的散热,形成金属基印刷电路板(Metal CorePCB, MCPCB),然而,MCPCB存在一些限制,在电路系统运作时不能超过140°C以及在制造过程中不得超过250°C 300°C,而且其聚合物绝缘层的导热性较差,无法获得良好的导热效果;另一种方法是采用陶瓷材料作为基板材料,即将铜箔在高温下直接键合到氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)陶瓷基片表面(单面或双面)上以形成陶瓷基板,虽然这类陶瓷基板具有良好的 ...
【技术保护点】
一种金属陶瓷复合基板,包括金属基体、设置于所述金属基体之第一表面的陶瓷层以及设置于所述陶瓷层之背离所述金属基体的表面的金属线路层,所述陶瓷层位于所述金属基体与所述金属线路层之间,其特征在于,还包括通过在所述金属基体之第一表面上注入氮形成的并连接所述陶瓷层的金属陶瓷过渡层,所述金属陶瓷过渡层为金属和金属氮化物的混合物构成,所述陶瓷层由陶瓷薄膜构成。
【技术特征摘要】
1.一种金属陶瓷复合基板,包括金属基体、设置于所述金属基体之第一表面的陶瓷层以及设置于所述陶瓷层之背离所述金属基体的表面的金属线路层,所述陶瓷层位于所述金属基体与所述金属线路层之间,其特征在于,还包括通过在所述金属基体之第一表面上注入氮形成的并连接所述陶瓷层的金属陶瓷过渡层,所述金属陶瓷过渡层为金属和金属氮化物的混合物构成,所述陶瓷层由陶瓷薄膜构成。2.如权利要求1所述的金属陶瓷复合基板,其特征在于,所述金属基体由铝或者铝合金材料制成。3.如权利要求2所述的金属陶瓷复合基板,其特征在于,所述金属陶瓷过渡层为铝和氮化铝的混合物构成,所述氮化铝的重量比例范围为209Γ80%,所述金属陶瓷过渡层的厚度范围为lnm 1000nm。4.如权利要求1所述的金属陶瓷复合基板,其特征在于,所述陶瓷薄膜为氮化物薄膜。5.如权利要求1至4中任意 一项所述的金属陶瓷复合基板,其特征在于,所述金属线路层由铜箔层、铜箔层和在所述铜箔层之表面形成的镀银或者铜箔层和在所述铜箔层之表面形成的镀镍钯金构成,所述铜箔层上设有通过蚀刻方式形成的电路结构。6.一种金属陶瓷复合基板的制造方法,其特征在于,包括以下...
【专利技术属性】
技术研发人员:王新中,廖秋荣,董山山,杨向红,
申请(专利权)人:深圳市泓亚光电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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