发光元件、制造发光元件的方法以及发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及发光元件、制造该发光元件的方法以及包含该发光元件的发光装置。发光元件包括：层叠体，其依次包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层，所述第二导电半导体层具有光提取表面；以及复合抑制结构，其设置在所述有源层的端面附近，所述复合抑制结构的带隙大于所述有源层的带隙。根据本发明专利技术，能够抑制有源层的端面处的非发光复合并提高发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光元件、制造该发光元件的方法以及发光装置，所述发光元件适用于例如具有2500 μ m2或更小发光区域的微型LED (发光二极管)。
技术介绍
为将发光元件应用于打印机及显示器，已对例如发光二极管(LED)等发光元件的小型化进行了研究(例如，参见Tomohiko Sagimori等人的OKI技术综论(OKI TechnicalReview)第216期，第77卷，第I号(2010)以及Oki数据公司等人的新闻稿第091102号(2009))。此种LED具有层叠结构，所述层叠结构包括第一导电半导体层、有源层及第二导电半导体层。有源层(发光区域)的面积等于或小于2500 μ m2。在打印机中，通过设置许多如上所述被小型化的LED并提高设置密度，可实现高分辨率。此外，通过增加LED的光量，可实现高速打印。与在打印机中一样，在显示器中，其显示图像的高分辨率是通过使LED小型化来实现的。此外，在使用自发光元件(例如LED)的显示器中，其响应速度高于液晶显示器的响应速度，并能够降低其耗电量。然而，随着发光元件向小型化发展，有源层的端面处的非发光复合(nonradiativereco本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光元件，其包括：层叠体，其依次包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层，所述第二导电半导体层具有光提取表面；以及复合抑制结构，其至少设置在所述有源层的端面附近，所述复合抑制结构的带隙大于所述有源层的带隙。

【技术特征摘要】
2011.10.26 JP 2011-234637;2011.12.26 JP 2011-28351.一种发光兀件，其包括: 层叠体，其依次包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层，所述第二导电半导体层具有光提取表面；以及 复合抑制结构，其至少设置在所述有源层的端面附近，所述复合抑制结构的带隙大于所述有源层的带隙。2.如权利要求1所述的发光元件，其中，用于制成所述复合抑制结构的组成材料的带隙大于所述有源层的组成材料的带隙，所述复合抑制结构是由结晶膜构成，所述结晶膜自外部覆盖所述有源层的所述端面。3.如权利要求2所述的发光元件，其中，所述结晶膜覆盖整个所述层叠体的端面。4.如权利要求2所述的发光元件，其中， 所述有源层包括Al、In、Ga、P及As中的一种或多种元素，以及 所述结晶膜包括所述有源层中所包含的一种或多种元素。5.如权利要求2所述的发光元件，其中， 所述结晶膜包括Al2O3，以及 所述Al2O3是通过氧化包含Al的膜而获得的。6.如权利要求5所述的发光元件，其中，所述包含Al的膜为AlAs膜。7.如权利要求2所述的发光元件，其中，所述结晶膜的膜厚度等于或小于100纳米。8.如权利要求2所述的发光元件，其中，所述结晶膜包括具有不同带隙大小的多层膜。9.如权利要求8所述的发光元件，其中， 在所述多层膜中，距所述有源层最远的膜包括Al2O3,以及 所述Al2O3是通过形成包含Al的膜并随后氧化所述包含Al的膜而获得的。10.如权利要求2所述的发光元件，其包括: 位于所述有源层的端部中的扩散部，所述扩散部包括用于扩大所述有源层的带隙的材料。11.如权利要求10所述的发光元件，其中，所述扩散部所包括的材料为锌。12.如权利要求1所述的发光元件，其包括: 位于所述层叠体的端部中的绝缘部。13.如权利要求12所述的发光元件，其包括: 设置在第一绝缘部与第二绝缘部之间的扩散部，所述扩散部包括用于扩大所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：横关弥树博，小山享宏，成井启修，青柳秀和，塩见治典，河崎孝彦，伊藤胜利，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：