【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及LED
，特别涉及LED外延结构。
技术介绍
自GaN基第三代半导体材料的兴起，蓝光LED外延结构研制成功，LED芯片的发光强度和白光发光效率不断提高。LED光源被认为是下一代进入通用照明领域的新型固态光源，因此得到广泛关注。现有的LED外延结构请参考图1，图1为现有技术的LED外延结构的剖面结构示意图。现有的LED外延结构包括:蓝宝石衬底10 ;缓冲层11，位于所述蓝宝石衬底10上；第一半导体层12，位于所述缓冲层11上，所述第一半导体层12为N型GaN ;多量子阱层13，位于所述N-GaN层12上；第二半导体层14，所述第二半导体层14的材质为P型GaN ; ITO层15，位于所述第二半导体层14上；第一导电电极16，与第一半导体层12电连接；第二导电电极17，与ITO层15电连接。通常，为了将现有的LED外延结构封装制作形成LED芯片，通常，ITO层15上还会覆盖氧化硅等封装材料层(图中未示出)。利用现有的LED外延结构制作的LED芯片的量子效率偏低，有待进一步的提高。
技术实现思路
本专利技术实施例解决的问题是提供了一种LED外延结构提高...
【技术保护点】
一种LED外延结构，包括：衬底，所述衬底上形成有第一半导体层；多量子阱层，位于所述第一半导体层上；第二半导体层，位于所述多量子阱层上，所述第二半导体层与第一半导体层的导电类型相反，其特征在于，还包括：透明粗化层，位于所述第二半导体层上，所述透明粗化层用于使得光线透出，所述透明粗化层至少有一个表面为粗糙的表面以使得更多的光线透过，所述透明粗化层的折射率介于所述第二半导体层与其上表面面对的介质层的折射率之间以减小光线的全反射。
【技术特征摘要】
1.一种LED外延结构,包括:衬底,所述衬底上形成有第一半导体层；多量子讲层，位于所述第一半导体层上；第二半导体层，位于所述多量子阱层上，所述第二半导体层与第一半导体层的导电类型相反，其特征在于，还包括: 透明粗化层，位于所述第二半导体层上，所述透明粗化层用于使得光线透出，所述透明粗化层至少有一个表面为粗糙的表面以使得更多的光线透过，所述透明粗化层的折射率介于所述第二半导体层与其上表面面对的介质层的折射率之间以减小光线的全反射。2.如权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述透明粗化层的一个表面为粗糙的表面，所述一个表面为该透明粗化层的上表面。3.如权利要求2所述的LED外延结构，其特征在于，还包括:第三半导体层，位于所述第二半导体层与透明粗化层之间，所述第三半导体层作为LED外延结构的电流扩展层，所述第三半导体层的导电类型与所述第一半导体层的导电类型相同，所述透明粗化层的折射率介于所述第三半导体层与其上表面面对的介质层的折射率之间。4.如权利要求3所述的LED外延结构，其特征在于，所述第三半导体层的电阻为第一半导体层的电阻的0.8 1.2倍。5.如权利要求3所述的LED外延结构，其特征在于，还包括:封装材料层，位于所述透明粗化层上，所述透明粗化层的折射率介于所述第三半导体层与所述封装材料层的折射率之间。6.如权利要求5所述的LED外延结构，其特征在于，所述封装材料层的材质为氧化硅、环氧树脂或者两者构成的复合材料。7.如权利要求6所述的LED外延结构，其特征在于，所述透明粗化层的折射率范围为1.6 2.1。8.如权利要求1或7所述的LED外延结构，其特征在于，所述透明粗化层的材质为氧化锡铟、氧化锌、氧化铝锌或者上述材料中的至少两种构成的复合材料。9.如权利要求3所述的LED外延结构，其特征在于，所述第一半导体层的导电类型和第三半导体层的导电类型为N型，所述第二半导体层的导电类型为P型。10.如权利要求3所述的LED外延结构，其特征在于，还包括:第一重掺杂半导体层，位于所述第二半导体层与所述第三半导体层之间。11.如权利要求10所述的LED外延结构，其特征在于，所述第一重掺杂半导体层与所述第二半导体层的导电类型相同。12.如权利要求11所述的LED外延结构,其特征在于，所述第一重掺杂半...
【专利技术属性】
技术研发人员：林翔，马培培，陈勇，梁秉文，
申请(专利权)人：光达光电设备科技嘉兴有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。