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本发明涉及发光元件、制造该发光元件的方法以及包含该发光元件的发光装置。发光元件包括：层叠体，其依次包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层，所述第二导电半导体层具有光提取表面；以及复合抑制结构，其设置在所述有源层的端面附近，所述复合...
该专利属于索尼公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司授权不得商用。

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