并吡咯二酮-噻吩醌化合物及其制备方法与应用技术

本发明专利技术公开了一种并吡咯二酮-噻吩醌化合物及其制备方法与应用。该并吡咯二酮-噻吩醌化合物如式I所示。其制备方法包括如下步骤：在四(三苯基磷)钯(0)(Pd(PPh3)4)的催化作用下，将氢化钠、式II所示α-溴取代并吡咯二酮-噻吩寡聚物与丙二腈化钠盐混匀进行亲核取代反应生成二负离子中间体后，再向反应体系中加入饱和溴水进行氧化反应，反应完毕得到所述式I所示化合物。该类化合物具有优良的场效应性能，其电子迁移率已经超过0.1cm2V-1s-1(基于实施例1中材料(a)由真空蒸镀法制备半导体层的场效应器件电子迁移率可以高达0.3cm2V-1s-1；基于实施例2中材料(b)由旋涂法制备半导体层的场效应器件电子迁移率可以高达0.35cm2V-1s-1)。其电流开关比达105，且在空气中性质稳定，具有重要的应用价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及场效应晶体管的有机半导体材料，特别是涉及并吡咯二酮-噻吩醌化合物及其制备方法与应用。
技术介绍
有机场效应管(OFET)自从1986年首次出现以来(Tsumura，A. ；Koezuka, H.；Ando, T. App1. Phys. Lett. 1986,49,1210),由于其在大面积传感器、电子射频标签、电子纸、大屏幕显示器等方面的潜在应用价值得到了人们的广泛关注。与无机晶体管相比，有机场效应晶体管具有低成本，重量轻，柔韧性好等特点。近年来，有机场效应管取得了长足的发展，成为最为重要的有机电子器件之一。(Zaumseil,J. , Sirringhaus, H. , Chem. Rev. 2007,107，1296-1323 ；Murphy, A. R.，Frechet, J. M. J.，Chem. Rev. 2007，107，1066-1096 ；Sun Y.，Liu Y. Q.，Zhu D. B.，J. Mater. Chem.，2005，15，53-65.) 0目前，p-型有机半导体不仅场效应迁移率已经达到了与传统无机硅基材料相媲美的程度(K1 auk本文档来自技高网...

【技术保护点】
式I所示并吡咯二酮?噻吩醌化合物，式I所述式I中，R为氢、碳原子总数为8?20烷基或碳原子总数为8?20的烷氧基。FDA0000097789850000011.tif

【技术特征摘要】
1.式I所示并吡咯二酮-噻吩醌化合物，2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于所述式I中，R为碳原子总数为8的支 链烷基或碳原子总数为16的支链烷基。3.一种制备权利要求1或2所述化合物的方法，包括如下步骤在四(三苯基磷)钯 (0)的催化作用下，将氢化钠、式II所示a-溴取代并吡咯二酮-噻吩寡聚物与丙二腈化钠 盐混匀进行亲核取代反应生成二负离子中间体后，再向反应体系中加入饱和溴水进行氧化 反应，反应完毕得到所述式I所示化合物；4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于所述式II中，R为碳原子总数为8的支链 烷基或碳原子总数为16的支链烷基。5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于所述氢化钠、式II所示a-溴取代 并吡咯二酮-噻吩寡聚物、丙二腈化钠盐与饱和溴水的用量比为4. 63-5. 56mmol 0. 58-0. 61 mmol : 1. 39-1. 45mmol : 25_30mL,优选 4. 63mmol : 0. 58mmol : 1. 39mmol : 25mL。6.根据权利要求3-5任一所述的方法，其特征在于所述亲核取代反应步骤中，温度为 90-110°C，优选100°C，时间为4-6小时，优选4. 5小时;所述氧化反应步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔雅丽，张敬，徐伟，朱道本，
申请(专利权)人：中国科学院化学研究所，
类型：发明
国别省市：