将MEMS连接到接合晶片制造技术

通过在MEMS上形成支撑层将MEMS(12)部分地连接到接合晶片(32)上。所述支撑层上形成第一共晶层(16，18)。将所述共晶层图案化为区段(24，26，28，30)以缓解应力。在所述接合晶片上形成第二共晶层(34)。在所述区段与所述第二共晶层之间形成共晶键合(36)以将所述接合晶片连接到所述MEMS上。

【技术实现步骤摘要】
将MEMS连接到接合晶片
该公开一般地涉及微机电系统(MEMS)，而且更具体地涉及形成MEMS到接合晶片的接触。
技术介绍
微机电系统(MEMS)作为变换器方面已经变得更加重要。一个例子就是加速计，其中首先通过在MEMS内部的移动探测到加速度，该加速度依次被转换成例如电容值的电特性变化，。此电容值的变化被转换为提供加速度度量的电信号。该电信号可以具有各种用途，其中之一是触发安全气囊。这种类型的应用可能是关键性的，因此正确地发挥作用是重要的。因为在MEMS之内存在移动，所以可动结构必须具有完整性。从而，与可动结构以及与其相关的那些结构有关的应力务必不能剧烈到导致可动结构失灵。因此，需要改善MEMS制造中的应力管理。附图说明本专利技术以示例的方式进行图解且不限于附图，其中相同的附图标记指代相同的部件。附图中的部件被简单明确的图解且不必按比例绘制。图1示出了根据实施例的加工阶段中MEMS器件的横截面；图2示出了后续加工阶段的图1所示的MEMS器件的横截面；图3示出了图2中的MEMS器件的顶视图；图4示出了形成MEMS器件与接合晶片之间的共晶键合之前，图2中的MEMS器件和接合晶片的横截面；本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种将MEMS(12)连接到接合晶片的方法，包括：在所述MEMS上形成第一材料的第一共晶层；将所述第一共晶层图案化为方格形图案；在所述接合晶片上形成第二材料的第二共晶层，其中所述第一材料和第二材料是共晶对；以及在所述第一共晶层和第二共晶层相接触的状态下施加热量和压力，以在所述MEMS和所述接合晶片之间形成共晶键合。

【技术特征摘要】
2011.08.16 US 13/210,5631.一种将MEMS连接到接合晶片的方法，包括：在所述MEMS上形成粘着层，其中所述粘着层包括硅层和硅层上的第一硅锗层；在所述MEMS上形成第一共晶层，所述第一共晶层包括所述第一硅锗层上的第二硅锗层，其中所述第一硅锗层的平均锗浓度小于所述第二硅锗层的平均锗浓度；将所述第一共晶层图案化为方格形图案；在所述接合晶片上形成包括铝的第二共晶层，其中所述铝和所述第二硅锗层是共晶对；以及在所述第一共晶层和第二共晶层相接触的状态下施加热量和压力，以在所述MEMS和所述接合晶片之间形成共晶键合。2.如权利要求1的方法，其中所述第一硅锗层具有渐变的锗浓度。3.如权利要求2的方法，其中所述渐变的锗浓度的特征在于，在与所述第一共晶层的界面处具有比在与所述硅层的界面处更高的锗浓度。4.如权利要求1的方法，其中所述图案化包括执行硅锗蚀刻。5.如权利要求1的方法，其中所述方格形图案包括所述第一共晶层的各区段的各行和各列。6.一种将MEMS连接到接合晶片的方法，包括：在所述MEMS上形成支撑层，其中所述支撑层包括硅；在所述支撑层上形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：L·H·卡尔林，H·D·德赛，
申请(专利权)人：飞思卡尔半导体公司，
类型：发明
国别省市：