霍尔开关电路及其启动与偏置电路制造技术

本实用新型专利技术揭示了一种霍尔开关电路及其启动与偏置电路，所述开关电路包括：启动与偏置电路、稳压器、霍尔感应元件；所述启动与偏置电路包括至少一个与所述霍尔感应元件同材料制成的电阻或电阻等效元件；启动与偏置电路的输出电流提供至所述稳压器。所述启动与偏置电路包括至少一个电流镜，用以使启动与偏置电路的输出电流按照设定比例放大或缩小。本实用新型专利技术提出的霍尔开关电路及其启动与偏置电路，解决了霍尔开关集成电路中稳压器的输出电压随着温度的变化而变化的问题，通过补偿稳压器的偏置电流，提高了稳压器的温度特性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于集成电路设计
，涉及一种开关电路，尤其涉及一种霍尔开关电路；同时，本技术还涉及一种霍尔开关电路的启动与偏置电路。
技术介绍
霍尔传感器是利用霍尔效应原理将霍尔感应元件、放大器、补偿电路和其他电子线路、利用集成电路工艺技术集成在一个芯片上而制成，它具有体积小、寿命长、非接触式感应以及频率高等有点被广泛应用于无刷电机、电子仪器仪表、工业控制等领域。霍尔开关集成电路是霍尔传感器家族的重要成员，它根据外界磁场的变化输出具有一定窗口的数字信号，可被用于接近开关、位置传感器、和速度角度测量等领域。霍尔集成电路一般有恒流和恒压两种模式，由于恒流模式对半导体工艺的一致性特别敏感，很难批量生产，所以现今的霍尔集成电路大多采用恒压模式，即在芯片内部集成一个稳压器产生恒定的电压为霍尔感应元件和其他电子电路供电。为了增加霍尔感应磁场的灵敏度，霍尔感应元件在双极工艺中由N型外延制成，在MOS工艺中则由N型阱制成，N型外延或者阱的参杂浓度都比较淡，约为lX10E15/cm3;如图1所示，霍尔感应元件大多为正方形或长方形，电源与地连接在一个对角线接触点，而感应电压输出连接在另一个对角线接触点。为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种霍尔开关电路，其特征在于，所述开关电路包括：启动与偏置电路、稳压器、霍尔感应元件；所述启动与偏置电路包括至少一个与所述霍尔感应元件同材料制成的电阻或电阻等效元件；启动与偏置电路的输出电流提供至所述稳压器。

【技术特征摘要】
1.一种霍尔开关电路，其特征在于，所述开关电路包括启动与偏置电路、稳压器、霍尔感应兀件；所述启动与偏置电路包括至少一个与所述霍尔感应元件同材料制成的电阻或电阻等效元件；启动与偏置电路的输出电流提供至所述稳压器。2 .根据权利要求1所述的霍尔开关电路，其特征在于所述启动与偏置电路包括至少一个电流镜，用以使启动与偏置电路的输出电流按照设定比例放大或缩小。3.根据权利要求2所述的霍尔开关电路，其特征在于所述电流镜由至少两个NPN晶体管或至少两个PNP晶体管或至少两个NMOS管或至少两个PMOS管组成。4.根据权利要求2所述的霍尔开关电路，其特征在于启动与偏置电路连接在电源VCC与公共地线GND之间；稳压器连接在电源VCC与公共地GND之间，稳压器的偏置由启动与偏置电路的输出电流提供，稳压器的输出为稳压信号 VR ;霍尔感应元件连接在稳压器的输出VR与公共地GND之间，其输出连接到下级放大器； 所述启动与偏置电路包括电阻R11、电阻R12、晶体管Q21、晶体管Q22、晶体管Q24、晶体管Q25 ;所述稳压器包括晶体管Q23 ;其中，晶体管Q21、晶体管Q22为PNP晶体管，晶体管 Q23、晶体管Q24、晶体管Q25为NPN晶体管；电阻Rll连接在电源VCC与NPN晶体管Q25的集电极之间，电阻Rll提供上电启动电流，确保在上电后晶体管Q25工作在放大区；电阻R12为跟踪所述霍尔感应元件电流的电阻，选用与霍尔感应元件相同材料的电阻类型，连接在晶体管Q25的基极与公共地GND之间；晶体管Q25与电阻R12共同产生启动与偏置电路的基准电流，电阻R12由N型外延层制成；晶体管Q21和晶体管Q22的发射极都接在电源VCC，基极连接在一起，晶体管Q22与晶体管Q21的集电极共同连接到晶体管Q24的集电极，晶体管Q24的基极与晶体管Q25的集电极相连；PNP晶体管Q21和Q22组成电流镜，对晶体管Q25和电阻R12产生的基准电流进行放大；晶体管Q23是稳压器的输出调整NPN晶体管，其集电极与电源VCC相连，发射极即为稳压器的输出VR，晶体管Q23的基极与晶体管Q22的集电极相连，接收晶体管Q22的一部分集电极电流。5.根据权利要求2所述的霍尔开关电路，其特征在于启动与偏置电路连接在电源VCC与公共地线GND之间；稳压器连接在电源VCC与公共地GND之间，稳压器的偏置由启动与偏置电路的输出电流提供，稳压器的输出为稳压信号 VR ;霍尔感应元件连接在稳压器的输出V...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋红刚，陈俊，
申请(专利权)人：赛卓电子科技上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：