等离子体处理装置及其包含的法拉第屏蔽装置制造方法及图纸

一种等离子体处理装置及其包含的法拉第屏蔽装置，用于等离子体处理设备中，等离子体处理设备包括至少一个反应腔室和与每个反应腔室成对设置的射频线圈，该法拉第屏蔽装置设置于反应腔室和相对应的射频线圈之间，其包括一块圆形屏蔽板，屏蔽板上设置有至少一个径向槽，用于使线圈产生的电磁场均匀地分布在反应腔室中，其中径向槽在靠近屏蔽板的中心部所具有的宽度小于其在靠近该屏蔽板的边缘部所具有的宽度。本实用新型专利技术使通过射频线圈进行的能量耦合均匀，实现了基片从中央到边缘区域的均一性，且结构简单、行之有效，可广泛地应用在等离子体处理工艺场合。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及等离子体处理工艺设备，更具体地说，涉及一种法拉第屏蔽装置。
技术介绍
利用射频电感式耦合等离子体进行刻蚀或沉积是制备半导体薄膜器件的一种关键工艺，包括各种微电子器件、薄膜光伏电池、发光二极管等的制备都离不开刻蚀或沉积工艺。等离子体刻蚀或沉积的基本过程是将反应气体从气源引入反应腔室，在等离子体中进行电离和分解形成离子和自由基。这些具有高度反应活性的粒子依靠气体运输到达待加工物体表面进行表面反应。在等离子体中进行的表面刻蚀或沉积反应的均匀性，与等离子体的均匀性直接相关。而等离子体的均匀性又取决于通过射频线圈进行的能量耦合的均匀性以及反应腔的尺寸及形状。通过射频线圈进行的能量耦合一般包括交流和直流两部分，交流部分用于产生等离子体，而直流部分用于增加离 子对反应腔表面的轰击能量。现有技术中的法拉第屏蔽装置的主要用途，是减少或消除直流部分的能量耦合。半导体工艺件的边缘效应是困扰半导体产业的一个问题。所谓半导体工艺件的边缘效应是指在等离子体处理工艺过程中，由于等离子体受电磁场控制，而上下两极边缘处的场强会受边缘条件的影响，总有一部分电磁场线弯曲，而导致电磁场边缘部分场强不均，进而导致本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种法拉第屏蔽装置，用于等离子体处理设备中，所述等离子体处理设备包括至少一个反应腔室和与每个所述反应腔室成对设置的射频线圈，该法拉第屏蔽装置设置于所述反应腔室和相对应的射频线圈之间，其包括一块圆形屏蔽板，所述屏蔽板上设置有至少一个径向槽，用于使线圈产生的电磁场均匀地分布在所述反应腔室中，其特征在于，所述径向槽在靠近所述屏蔽板的中心部所具有的宽度小于其在靠近该屏蔽板的边缘部所具有的宽度。

【技术特征摘要】
1.一种法拉第屏蔽装置，用于等离子体处理设备中，所述等离子体处理设备包括至少一个反应腔室和与每个所述反应腔室成对设置的射频线圈，该法拉第屏蔽装置设置于所述反应腔室和相对应的射频线圈之间，其包括一块圆形屏蔽板，所述屏蔽板上设置有至少一个径向槽，用于使线圈产生的电磁场均匀地分布在所述反应腔室中，其特征在于，所述径向槽在靠近所述屏蔽板的中心部所具有的宽度小于其在靠近该屏蔽板的边缘部所具有的宽度。2.如权利要求1所述的法拉第屏蔽装置，其特征在于，所述径向槽的宽度从所述屏蔽板的中心部到其边缘部递增。3.如权利要求2所述的法拉第屏蔽装置，其特征在于，所述径向槽的宽度从所述屏蔽板的中心部到其边缘部的递增为线性递增。4.如权利要求3所述的法...

【专利技术属性】
技术研发人员：许颂临，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：