一种注入机束流引出电极水平校准系统技术方案

本实用新型专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种注入机束流引出电极水平校准系统，通过在离子源反应腔上设置的距离感应件，以感应位于其前方束流引出电极的水平度，若该束流引出电极倾斜时，则通过逻辑运算板和电机控制板控制束流引出电极恢复水平位置，进而避免因出现束流引出电极与离子源发生腔之间出现相对水平的偏移时，导致的束流均匀性变差，造成元素注入后的晶圆电阻值不均，不仅增大了产品的良率，还能实现注入机在开车状态下的自动监测和修复，从而降低了工艺生产成本，且大大提高了工作效率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体集成电路及其制造领域，尤其涉及一种注入机束流引出电极水平校准系统。
技术介绍
随着集成电路的飞速发展，半导体的元器件的结构及其制造工艺都较以前发生了根本性的变化，尤其是现今随着集成度的增大，即在单位面积上的集成更多的电路部件，要求半导体制造设备更加的自动化、可靠和安全。在半导体的元器件制备工艺中离子注入工艺是非常重要的工艺步骤，但在进行离子注入工艺时，但其注入元素的均匀性在掺杂过程中无从发现，若注入元素剂量在晶圆上分布不均匀，将会导致产品良率的下降，尤其是在大尺寸的晶圆上制备元器件，由于离子注入工艺中的注入元素剂量分布不均造成的损失是不可估量的。目前，国内外各种类型的离子注入机，虽然在整机设计上都能得到均匀的束流。但当某些关键功能模块发生水平偏移时，会得到不均匀的束流，如束流引出电极。图1是本技术
技术介绍
中传统的束流引出电极和离子源发生腔的结构示意图，图2是本技术
技术介绍
中当引出电极与离子源发生腔之间出现相对水平的偏移时造成的晶圆出现电阻不均的示意图；如图1所示，由于束流引出电极11在注入设备调整束流过程中，需要经常前后、左右或上下移动，以保证最大束流通过；会造成束本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种注入机束流引出电极水平校准系统，包括束流引出电极和离子源发生腔，所述束流引出电极位于所述离子源发生腔的前方，其特征在于，还包括逻辑计算板、电机控制板和位于同一与所述离子发生腔平行的直线上的至少两距离感应件；所述距离感应件与所述离子源发生腔固定连接，所述逻辑计算板分别与所述电机控制板和所述距离感应件通信连接；所述电机控制板控制所述束流引出电极摆动。

【技术特征摘要】
1.一种注入机束流引出电极水平校准系统，包括束流引出电极和离子源发生腔，所述束流引出电极位于所述离子源发生腔的前方，其特征在于，还包括逻辑计算板、电机控制板和位于同一与所述离子发生腔平行的直线上的至少两距离感应件； 所述距离感应件与所述离子源发生腔固定连接，所述逻辑计算板分别与所述电机控制板和所述距离感应件通信连接； 所述电机控制板控制所述束流弓I出电极摆动。2.根据权利要求1所述的注入机束流引出电极水平校准系统，其特征在于，所述距离感应件为两个，且该两个距离感应件水平对称位于所述离子源发生腔的两侧，测量位于两距离感应件正前方的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张旭昇，邓建宁，谢威，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：