【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
随着科技的发展和进步，场发射显示技术得到了极大关注，尤其是场发射阴极的结构和性能成为研究的热点，虽然目前市场上的场发射阴极种类繁多，但是目前方法制备的场发射阴极还存在着各种缺点和不足。因此，寻找一种工艺简单、成本低廉、性能良好的新型场发射阴极制备方法成为亟需解决的问题。
技术实现思路
本专利技术提供，提供基板，清洗并烘干该基板，在烘干后的基板表面上形成Zn材料层，将该Zn材料层热处理1-12小时，热处理温度为500-700°C，然后冷却，制得ZnO纳米线型场发射阴极。有益效果 本专利技术制备的氧化锌纳米线阵列经过光谱分析，显示纳米结构有序，而且该方法工艺要求简单，制造成本低。具体实施例方式下面结合具体实施例，进一步阐述本专利技术。应理解，这些实施例仅用于说明本专利技术而不用于限制本专利技术的范围。此外应理解，在阅读了本专利技术讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本专利技术作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。实施例1该新型场发射阴极的制备方法，提供基板，清洗并烘干该基板，在烘干后的基板表面上形成Zn材料层，将该Zn材料层热处理I小时，热处理温度为700°C，然后冷却，制得ZnO纳米线型场发射阴极。实施例2该新型场发射阴极的制备方法，提供基板，清洗并烘干该基板，在烘干后的基板表面上形成Zn材料层，将该Zn材料层热处理12小时，热处理温度为500°C，然后冷却，制得ZnO纳米线型场发射阴极。实施例3该新型场发射阴极的制备方法，提供基板，清洗并烘干该基板，在烘干后的基板表面上形成Zn材料层，将该Zn材料...
【技术保护点】
一种新型场发射阴极的制备方法，提供基板，清洗并烘干该基板，在烘干后的基板表面上形成Zn材料层，将该Zn材料层热处理1?12小时，热处理温度为500?700℃，然后冷却，制得ZnO纳米线型场发射阴极。
【技术特征摘要】
1.一种新型场发射阴极的制备方法，提供基板，清洗并烘干该基板，在烘干后的基板表面上形成Zn材料层，将该Zn材料层热处理1-12小时，热处理...
【专利技术属性】
技术研发人员：李岗，国欣鑫，张晓辉，
申请(专利权)人：青岛艾德森能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。