本发明涉及智能控制技术领域，具体为一种综合能源站AI高效节能方法及系统，通过收集历史电量消耗数据和对应日期的可照时数，利用人工智能建立电量消耗与可照时数的预测模型，其中以可照时数作为参照标准，防止了不同年份同一日期的可照时数不同造成的对...

本申请公开了一种轨道交通监控探头的安装结构，包括监控探头主体和安装支杆；所述监控探头主体底端固定有固定抱箍，且固定抱箍套设在安装支杆上，所述固定抱箍底端一侧固定有固定连块。采用了卡合展开时固定抱箍，在安装监控探头主体时，可以将固定抱箍展...

本实用新型公开了一种温控器固定座，属于温控器固定座领域，包括控制器和对接座，所述控制器包括机体，所述机体前侧设置有操作面板，所述机体主体两侧表面对称开设有限位孔，所述操作面板两侧对称设置有耳板，所述耳板表面开设有对接孔，所述对接孔为贯通...

本发明公开了一种基于DDC控制器的智能楼宇优化控制方法，涉及优化控制技术领域，该方法包括：通过光强感知器确定光照强度参数；当人员数量信息为零，获取第一区域预测聚集人数；分析邻域实时聚集人数进行弱光照明；当人员数量信息不为零，构建待照明特...

本实用新型公开了一种中央处理器导热装置，包括壳体，所述壳体内腔的两侧均固定连接有支撑板，两个支撑板之间固定连接有导热板，所述导热板的底部固定连接有散热片，两个支撑板的顶部均固定连接有中央处理单元，所述壳体内腔底部的两侧均固定连接有第一电...

本实用新型提供了一种改进型压力传感器，包括：安装座、传感器主体、凸台；所述传感器主体安装在安装座的上方，且传感器主体与安装座通过螺钉固定连接；所述凸台安装在传感器主体的顶端；所述接线盒位于传感器主体一侧的外壁上，且接线盒与传感器主体为一...

本实用新型公开了一种数据采集箱，包括箱体和支架，箱体的一侧铰接安装有箱门，箱体远离箱门的上下两侧处设置有固定板，箱体远离箱门的一侧表面处设置有防滑垫，其中，支架的两端同时与固定板和防滑垫进行贯穿连接，支架伸出固定板的一侧设置有连接板，支...

本实用新型公开了一种嵌入式采集器用的调试串口模块，包括核心CPU模块和USB转串口模块，USB转串口模块内部设置有转接芯片，转接芯片具体为CH340E芯片，CH340E芯片设置有10个引脚；CH340E芯片的第八引脚为发送数据端口，CH...

本发明公开了一种多个中央空调水系统的统一控制平台，包括N个设有控制单元和监测单元的客户端和第一服务器、一个第二服务器和一个第三服务器；每个客户端的监测单元采集相应的运行数据发给对应的第一服务器；第一服务器对其添加相应编号并发给第二服务器...

本发明提供一种有机半导体薄膜的制备方法，其包括如下步骤：（a）、对衬底使用去离子水进行清洗、烘干处理；（b）、然后在（a）步骤中处理过的衬底上将含有有机半导体材料和非卤类溶剂的涂覆液涂覆到衬底上，其中该非卤类溶剂在涂覆时的挥发速率为2×...

本发明提供一种氧化铜纳米线场发射阴极，其包括基板，在基板上形成铜材料薄膜，对铜材料薄膜进行热处理后冷却从而形成氧化铜纳米线场发射阴极。其中，基板为普通玻璃、硅基板、二氧化硅基板。

本发明提供一种新型场发射阴极，其包括基板，在基板上形成Zn材料薄膜，对Zn材料薄膜进行热处理后冷却从而形成场发射阴极。其中，基板为普通玻璃、二氧化硅基板、硅基板。

本发明提供一种电阻的制备方法，电阻材料为氧化钡、氧化铅和氧化钛的混合物，并加入0.1-0.3mol%的氧化铌、1-4mol%的二氧化硅、1-5mol%的氧化铝和0.01-0.1mol%的氧化锰，其特征在于，在烧结工艺中，在1个大气压下快...

本发明提供一种半导体电阻的制备方法，半导体电阻其包括30-60wt%的水玻璃、5-10wt%的氟硅酸钠、10-50wt%的石墨、5-40wt%的矿渣粉以及20-40wt%的矿渣砂，其特征在于，包括如下步骤：（a）、将按配比配好的原料搅拌...

本发明提供一种半导体电阻，其包括30-60wt%的水玻璃、5-10wt%的氟硅酸钠、10-50wt%的石墨、5-40wt%的矿渣粉以及20-40wt%的矿渣砂。

本发明提供一种碳纳米管的制备方法，其包括如下步骤：（a）、对玻璃基板使用去离子水进行清洗、烘干处理；（b）、然后在（a）步骤中处理过的玻璃基板上溅射铁、钴、镍及其合金薄膜作为催化剂；（c）、然后在（b）步骤中得到的薄膜上接着溅射一层稀土...

本发明提供一种新型场发射阴极的制备方法，提供基板，清洗并烘干该基板，在烘干后的基板表面上形成Zn材料层，将该Zn材料层热处理1-12小时，热处理温度为500-700℃，然后冷却，制得ZnO纳米线型场发射阴极。

本发明提供一种有机薄膜晶体管，其包括柔性基板，形成在柔性基板上的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极，其中有源层由有机材料构成。

本发明提供一种制备场发射阴极的处理方法，其中该场发射阴极为SiC薄膜，使用丝网印刷并烧结处理的方法制备纳米SiC薄膜，其特征在于，烧结处理包括升温至355-375K保温30-40分钟，然后再升温至460-500K后保温80-100分钟，...

本发明提供一种制备场发射阴极材料的方法，该场发射阴极材料为碳纳米管，其包括如下步骤：（a）对玻璃基板使用去离子水进行清洗、烘干处理；（b）然后在（a）步骤中处理过的玻璃基板上溅射一层金属钙、镁、锶、钡的氟化物薄膜；（c）然后在（b）步骤...