【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及ー种制备场发射阴极的处理方法。
技术介绍
场发射阴极，又称为场发射体，使用场发射阴极的场致发射电子源应用领域广泛，但是场发射阴极的制备エ艺是目前阻碍其应用的关键，因此，场发射阴极的制备エ艺成为研究的热点。因此，寻找ー种エ艺简单、成本低廉、性 能良好的场发射体制备方法成为目前亟需解决的问题。
技术实现思路
本专利技术提供ー种制备场发射阴极的处理方法，其中该场发射阴极为SiC薄膜，使用丝网印刷并烧结处理的方法制备纳米SiC薄膜，其特征在于，烧结处理包括升温至355-375K保温30-40分钟，然后再升温至460-500K后保温80-100分钟，然后再升温至660-680K后保温90-120分钟，最后自然冷却。有益效果本专利技术制备的场发射阴极经过光谱分析，显示纳米结构有序，而且该方法エ艺要求简单，制造成本低。具体实施例方式下面结合具体实施例，进ー步阐述本专利技术。应理解，这些实施例仅用于说明本专利技术而不用于限制本专利技术的范围。此外应理解，在阅读了本专利技术讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本专利技术作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利...
【技术保护点】
一种制备场发射阴极的处理方法，其中该场发射阴极为SiC薄膜，使用丝网印刷并烧结处理的方法制备纳米SiC薄膜，其特征在于，烧结处理包括升温至355?375K保温30?40分钟，然后再升温至460?500K后保温80?100分钟，然后再升温至660?680K后保温90?120分钟，最后自然冷却。
【技术特征摘要】
1.一种制备场发射阴极的处理方法，其中该场发射阴极为SiC薄膜，使用丝网印刷并烧结处理的方法制备纳米SiC薄膜，其特征在于，烧结处理包括升温至355-375K保温30-40 分钟，然后再升温至460-500K后保温80-100分钟，...
【专利技术属性】
技术研发人员：李岗，国欣鑫，张晓辉，
申请(专利权)人：青岛艾德森能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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