一种制备场发射阴极材料的方法技术

本发明专利技术提供一种制备场发射阴极材料的方法，该场发射阴极材料为碳纳米管，其包括如下步骤：（a）对玻璃基板使用去离子水进行清洗、烘干处理；（b）然后在（a）步骤中处理过的玻璃基板上溅射一层金属钙、镁、锶、钡的氟化物薄膜；（c）然后在（b）步骤中得到的薄膜上接着溅射铁、钴、镍及其合金薄膜作为催化剂；（d）然后在催化剂薄膜上常规技术生长碳纳米管，生长温度为450-600℃。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及ー种制备场发射阴极材料的方法。
技术介绍
随着显示技术的发展和进步，场发射显示技术受到了广泛关注，尤其是场发射阴极材料的研制成为热点，而碳纳米管是ー种重要的场发射阴极材料，但是目前制备碳纳米管作为场发射阴极材料的方法エ艺复杂，制备成本较高，不适宜于エ业生产。因此，寻找ー种制备エ艺简单、成本低廉的碳纳米管成为亟需解决的问题。
技术实现思路
本专利技术提供ー种制备场发射阴极材料的方法，该场发射阴极材料为碳纳米管，其包括如下步骤(a)、对玻璃基板使用去离子水进行清洗、烘干处理；(b)、然后在(a)步骤中处理过的玻璃基板上溅射ー层金属钙、镁、锶、钡的氟化物薄膜；(C)、然后在(b)步骤中得到的薄膜上接着溅射铁、钴、镍及其合金薄膜作为催化剂；(d)、然后在催化剂薄膜上常规技术生长碳纳米管，生长温度为450-600°C。有益效果本专利技术制备的碳纳米管材料经过光谱分析，显示纳米结构有序，而且该方法エ艺要求简单，制造成本低。具体实施例方式下面结合具体实施例，进ー步阐述本专利技术。应理解，这些实施例仅用于说明本专利技术而不用于限制本专利技术的范围。此外应理解，在阅读了本专利技术讲授的内容本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备场发射阴极材料的方法，该场发射阴极材料为碳纳米管，其包括如下步骤：（a）、对玻璃基板使用去离子水进行清洗、烘干处理；（b）、然后在（a）步骤中处理过的玻璃基板上溅射一层金属钙、镁、锶、钡的氟化物薄膜；（c）、然后在（b）步骤中得到的薄膜上接着溅射铁、钴、镍及其合金薄膜作为催化剂；（d）、然后在催化剂薄膜上常规技术生长碳纳米管，生长温度为450?600℃。

【技术特征摘要】
1.一种制备场发射阴极材料的方法，该场发射阴极材料为碳纳米管，其包括如下步骤 (a)、对玻璃基板使用去离子水进行清洗、烘干处理； (b)、然后在(a)步骤中处理过的玻璃基板上溅射一层金属钙、镁、锶、钡的氟化物薄膜； (C)、然后在(b)步骤中得到的薄膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：李岗，国欣鑫，张晓辉，
申请(专利权)人：青岛艾德森能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：