一种场发射阴极的处理方法技术

本发明专利技术提供一种场发射阴极的处理方法，包括：通过磁控溅射仪上预留的电极接口引出溅射室;样品作为磁控溅射的基片，用直流溅射方式在其表面上溅射不同厚度的超薄纳米纯镍膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于FED领域，特别涉及一种对丝网印刷的多壁碳纳米管(MWCNTs)薄膜表面进行改性的方法。
技术介绍
FED显示器件面临的主要困难除了真空封装等问题外，均来自于阴极制作工艺。控制场发射的均匀性和稳定性、降低驱动电路成本等难点都直接受FED阴极材料和结构的制约。Spindt型器件要求在一个像素点大小范围内制作成百上千的“尖锥加圆孔”阴极阵列。这使光刻工艺和薄膜制备十分复杂，制作成本也非常昂贵。阴极制作工艺的难题也造成了尖锥阵列形状的均匀性较差，器件整体稳定性不理想，导致Spindt型FED的进一步发展非 常困难。CNTs薄膜阴极虽然拥有比金属、硅尖阵列、类金刚石薄膜更为优秀的场发射特性，但是目前发展的阴极加工方法和工艺，却都存在着一定缺陷，发射均匀性、场屏蔽效应等问题没有得到很好解决。难以真正开发和生产出大规模实用CNTs-FED器件。CNTs场发射阴极制备工艺主要有直接生长和移植两种方法。直接生长法制备定向碳纳米管薄膜场发射性能相当出色，但是工艺复杂，成本较高，不易产业化。在移植方法中，丝网印刷或涂敷法制备无序CNTs薄膜，工艺简单且成本较低，适合制作大面积FED显示器阴极和大规模工业应用。但是制作的CNTs相互缠结，表面被制浆材料包围，尖端不突出，烧结后残留的有机物仍严重影响CNTs薄膜的场发射性能。为解决这些问题，人们尝试过等离子体轰击、离子束照射、胶带粘贴]、机械摩擦和软胶辊碾压等方法对丝网印刷的FED阴极进行处理，但由于薄膜受到损害，或者不易精确控制处理过程和效果等问题，导致场发射性能的改善也受到一定限制。丝网印刷法(或涂敷法)制备碳管薄膜FED阴极的方法具有良好的实际应用前景，但场发射性能却差强人意(主要表现在开启电压、发射电流和发射稳定性等方面)。
技术实现思路
本专利技术提供一种对丝网印刷的多壁碳纳米管(MWCNTs)薄膜表面进行改性的方法，包括将娃片裁成20mm X 20mm基片，清洗干净；化学气相沉积法制备MWCNT ；取纯化后的MWCNT粉末在无水乙醇中用超声波分散，室温下自然晾干并充分研磨，再与有机载体混合搅拌广2小时后作为阴极浆料；在玻璃基板上印制一层60rnmX25mm面积的银衆薄膜电极；银衆尚未干燥时,及时用涂敷法在其表面制备IOnunxlOmm的MWCNTs薄膜,并用机械压力反复压制；晾干后刷掉表面粘接不牢靠的多余碳管，并对制好的试样进行高温烧结；待炉温自然冷却后，在样品上焊接四根导线，并通过磁控溅射仪上预留的电极接口引出溅射室；样品作为磁控溅射的基片，用直流溅射方式在其表面上溅射不同厚度的超薄纳米纯镍膜。为了在镀Ni的过程中能够实时监控样品电阻的变化，安放基片时一定要注意保持电极与磁控溅射仪之间的绝缘性。附图说明图1.溅射Ni膜后MWCNTs样品表面SEM照片。图2.溅射Ni膜后MWCNTs样品场发射V-1曲线。 具体实施例方式本专利技术提供一种对丝网印刷的多壁碳纳米管(MWCNTs)薄膜表面进行改性的方法，包括将硅片裁成20mmX 20mm基片，清洗干净；化学气相沉积法制备MWCNT ;取纯化后的MWCNT粉末在无水乙醇中用超声波分散，室温下自然晾干并充分研磨，再与有机载体混合搅拌广2小时后作为阴极衆料；在玻璃基板上印制一层60rnmX25mm面积的银衆薄膜电极；银衆尚未干燥时，及时用涂敷法在其表面制备IOnunxlOmm的MWCNTs薄膜,并用机械压力反复压制；晾干后刷掉表面粘接不牢靠的多余碳管，并对制好的试样进行高温烧结；待炉温自然冷却后，在样品上焊接四根导线，并通过磁控溅射仪上预留的电极接口引出溅射室；样品作为磁控溅射的基片，用直流溅射方式在其表面上溅射不同厚度的超薄纳米纯镍膜。为了在镀Ni的过程中能够实时监控样品电阻的变化，安放基片时一定要注意保持电极与磁控溅射仪之间的绝缘性。图1是溅射Ni膜后MWCNTs样品表面SEM照片(仪器型号JSM-6700F，日本电子株式会社)。溅射时间分别为205和605(反映不同的Ni厚度)。其中，(a)和(b)是溅射205的同一样品不同位置和放大倍数的图片，(c)和(d)是溅射605的同一样品。可以看至IJ，溅射205后，碳管表面覆有颗粒状Ni团簇，碳管形态比较清晰完整，溅射605后样品表面已经被Ni膜包裹但是碳管的尖端仍能分辨。图2是N1-MWCNTs样品的场发射特性(V-1)曲线。根据实验数据，虽然纯碳管样品首先测到发射电流，但电流却增加的比较慢，开启电压反而大于溅射了 Ni的样品(溅射205和605后开启电压分别降低10. 9%和5. 2%)。这是由于涂敷法制备的纯MWCNTs样品会有个别特别突出的发射点优先发射，而N1-MWCNTs样品由于Ni结合或吸附改善了样品的导电性，虽然起始发射较晚，但当电压超过开启电压后，发射电流急剧上升，而纯碳管样品发射电流却增加较慢。1800V产生的发射电流出现了数量级差异(三组电流值分别为274μΑ、140μΑ和13μΑ)，N1-MWCNTs样品的场发射性能明显得到了改善。根据图2的F-N线性拟合曲线可以看出，N1-MWCNTs样品之间F-N拟合直线的斜率变化不大，但却均比纯碳管要小。发射电流的稳定性得到了显著提升。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场发射阴极的处理方法，包括：将硅片裁成20mm×20mm基片，清洗干净；化学气相沉积法制备MWCNT；取纯化后的MWCNT粉末在无水乙醇中用超声波分散，室温下自然晾干并充分研磨，再与有机载体混合搅拌1~2小时后作为阴极浆料；在玻璃基板上印制一层60rnm×25mm面积的银浆薄膜电极；银浆尚未干燥时，及时用涂敷法在其表面制备10nunx10mm的MWCNTs薄膜，并用机械压力反复压制；晾干后刷掉表面粘接不牢靠的多余碳管，并对制好的试样进行高温烧结；待炉温自然冷却后，在样品上焊接四根导线，并通过磁控溅射仪上预留的电极接口引出溅射室;样品作为磁控溅射的基片，用直流溅射方式在其表面上溅射不同厚度的超薄纳米纯镍膜。

【技术特征摘要】
1.一种场发射阴极的处理方法，包括 将娃片裁成20mm X 20mm基片,清洗干净； 化学气相沉积法制备MWCNT ； 取纯化后的MWCNT粉末在无水乙醇中用超声波分散，室温下自然晾干并充分研磨，再与有机载体混合搅拌广2小时后作为阴极浆料； 在玻璃基板上印制一层60rnmX25mm面积的银衆薄膜电极； 银衆尚未干燥...

【专利技术属性】
技术研发人员：于正友，肖太升，刘雷，
申请(专利权)人：青岛盛嘉信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：