【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种原位氧化提高硅纳米线阵列场发射性能的方法，包括如下步骤：1）选用单晶硅片，分别用丙酮、乙醇和去离子水超声清洗，去除表面杂质；2）用HF和？AgNO3按比例配制腐蚀液，并装入聚四氟乙烯瓶内，将硅片浸没在腐蚀液中，然后将聚四氟乙烯瓶放入烘箱内恒温加热；3）腐蚀结束后将硅片取出，用去离子水清洗，用HNO3浸泡硅片，用于去除硅片表面包覆的？Ag，在硅片表面得到？Si纳米线阵列；4）将硅片放入陶瓷舟内，然后将陶瓷舟放入水平管式炉中心温区处，通入氧气，并升温加热，Si纳米线阵列表面形成一层氧化层，Si纳米线阵列转化为SiOx包覆的Si纳米线芯壳结构阵列。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨亚军，刘宪云，蒋美萍，谢建生，吉高峰，曹先胜，
申请(专利权)人：常州大学，
类型：发明
国别省市：
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