一种阴极制备前处理装置及清洁方法制造方法及图纸

本发明专利技术一种阴极制备前处理装置及清洁方法，清洁装置包括支撑筒、连接法兰、清洁装置，支撑筒下端与连接法兰绝缘连接，支撑筒上端设置有支撑筒盖，支撑筒盖上方设置有放置阴极窗的开口，清洁装置包括上圆环形电极、下圆环形电极、穿过连接法兰的两个电极引线、高压直流电源，上圆环形电极为阴极，下圆环形电极为阳极，上圆环形电极与阴极制备表面平行且与阴极制备表面同高或高于阴极制备表面，下圆环形电极与上圆环形电极平行且位于上圆环形电极下方。本发明专利技术采用两个圆环形电极产生辉光放电的装置对阴极窗表面进行清洁的装置或方法，克服了其它装置或方法的缺点，可以实现阴极表面的原子级清洁和保证表面的完整性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及像增强器、变相管等真空光电器件制作领域，具体涉及。
技术介绍
光电阴极在进入真空系统前的准备过程以及工序之间的传递过程，其表面将吸附有杂质和残余气体，对制备高质量的光电阴极极为不利。为了获得高量子效率的光电阴极，阴极窗表面必须达到原子级清洁表面。常用的表面清洁方法有光清洁加热法、热子加热法和离子轰击法等。光清洁法是一种非接触式的阴极表面清洁方法，但存在测量温度的不准确性；热子加热法在加热清洁表面的过程中，由于加热子材料高温时的挥发会造成阴极表面的二次污染；离子束轰击法需要对阴极窗表面扫描，在清洁表面的同时会产生对阴极窗的表面清洁不彻底的问题
技术实现思路
·为解决目前阴极制备中，阴极窗表面存在的清洁不彻底或二次污染等技术问题，本专利技术提出一种采用两个圆环形电极产生辉光放电的装置对转移阴极制备前处理装置及方法。本专利技术的技术解决方案是:一种阴极制备前处理装置，包括支撑筒、连接法兰、清洁装置，所述支撑筒下端与连接法兰绝缘连接，所述支撑筒上端设置有支撑筒盖，所述支撑筒盖上方设置有放置阴极窗的开口，其特殊之处在于:所述清洁装置包括上圆环形电极、下圆环形电极、穿过连接法兰的两个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阴极制备前处理装置，包括支撑筒、连接法兰、清洁装置，所述支撑筒下端与连接法兰绝缘连接，所述支撑筒上端设置有支撑筒盖，所述支撑筒盖上方设置有放置阴极窗的开口，其特征在于：所述清洁装置包括上圆环形电极、下圆环形电极、穿过连接法兰的两个电极引线、高压直流电源，所述上圆环形电极为阴极，所述下圆环形电极为阳极，所述上圆环形电极与阴极制备表面平行且与阴极制备表面同高或高于阴极制备表面，所述下圆环形电极与上圆环形电极平行且位于上圆环形电极下方；所述两个电极引线的上端分别与上圆环形电极和下圆环形电极连接，下端与高压直流电源连接；所述支撑筒上设置有气孔，所述气孔在支撑筒上的位置低于上圆环形电极高于下圆环形电...

【技术特征摘要】
1.一种阴极制备前处理装置，包括支撑筒、连接法兰、清洁装置，所述支撑筒下端与连接法兰绝缘连接，所述支撑筒上端设置有支撑筒盖，所述支撑筒盖上方设置有放置阴极窗的开口， 其特征在于: 所述清洁装置包括上圆环形电极、下圆环形电极、穿过连接法兰的两个电极引线、高压直流电源，所述上圆环形电极为阴极，所述下圆环形电极为阳极，所述上圆环形电极与阴极制备表面平行且与阴 极制备表面同高或高于阴极制备表面，所述下圆环形电极与上圆环形电极平行且位于上圆环形电极下方； 所述两个电极引线的上端分别与上圆环形电极和下圆环形电极连接，下端与高压直流电源连接； 所述支撑筒上设置有气孔，所述气孔在支撑筒上的位置低于上圆环形电极高于下圆环形电极。2.根据权利要求1所述的一种阴极制备前处理装置，其特征在于:与上圆环形电极连接的电极引线同时与支撑筒或支撑筒盖连接。3.根据权利要求1或2所述的一种阴极制备前处理装置，其特征在于:还包括陶瓷绝缘环，所述陶瓷绝缘环设置在支撑筒与连接法兰之间。4.根据权利要求3所述的一种阴极制备前处理装置，其特征在于:所述上圆环形电极和下圆环形...

【专利技术属性】
技术研发人员：赛小锋，韦永林，刘永安，盛立志，刘哲，赵宝升，
申请(专利权)人：中国科学院西安光学精密机械研究所，
类型：发明
国别省市：