具有加强环的硅微通道板基体加工方法技术

具有加强环的硅微通道板基体加工方法属于光电成像器件制造技术领域。现有技术背面减薄工序效率低，会破坏微通道，抛光工序存在微通道堵塞现象，所制作的硅微通道板基体没有加强环。本发明专利技术之方法由通过电化学腐蚀制作微通道阵列、通过硅片背面减薄使微通道通透、切圆形成硅微通道板基体加强环以及硅微通道板基体正面、背面抛光各工序组成。采用本发明专利技术获得的具有加强环的硅微通道板基体制作的硅微通道板，微通道通透，通道内部清洁无污染，表面平整光滑，通道长达320μm，通道截面形状近似正方形，边长仅8μm，长径比达40，边缘实体加强环有效强化硅微通道板的机械强度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，属于光电成像器件制造

技术介绍
MCP (微通道板，MicroChannel Plates)具有高增益、低噪声、高分辨率、低功耗、长寿命及自饱和效应等优点，被广泛用在微光像管、高速光电倍增管、阴极射线管、摄像管、存储管以及电子、离子、紫外辐射和X-射线探测器等领域。与通常的MCP相比，S1-MCP具有很多优点，包括材料纯度高、衬底和打拿极材料可以任意选择、易于制作小孔径微通道阵列、MCP分辨率高、MCP整体性能提高以及与集成电路工艺之间具有更好的兼容性等。采用硅材料制作MCP，需要制作出表面平整、光滑的圆形分布硅微通道阵列，要求微通道通透、结构完整、通道内清洁无污染，具有大长径比。1999年美国纳米科学公司的C.P.Beetz提出一种新的Si基MCP制备工艺，见Silicon Etching Process For Making MicroChannel Plates.US Patent, 5997713[P],1999-12-07，该工艺采用电化学和光电化学腐蚀方法制备大长径比微通道阵列，采用低压化学气相沉积(LPCVD)技术制备打拿极薄膜，所制造的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有加强环的硅微通道板基体加工方法，采用电化学腐蚀方法制作微通道阵列，其特征在于：在电化学腐蚀制作微通道阵列工序中，在硅片（1）背面同时附着遮光环带（2），遮光环带（2）与微通道腐蚀起点阵列圆形区域（3）同心，遮光环带（2）的环内区域就是微通道腐蚀起点阵列圆形区域（3），遮光环带（2）与接触面电极（4）之间的环带形区域为切圆腐蚀区域（5），在腐蚀阵列微通道（6）的同时在切圆腐蚀区域（5）腐蚀不规则分布微通道（7）；在通过硅片背面减薄使微通道通透的工序中，先采用干氧氧化工艺在微通道平滑内壁表面形成的SiO2层，作为微通道内壁的保护层，再进行硅片（1）背面化学腐蚀减薄，直至全部的微通道通透；在...

【技术特征摘要】
1.一种具有加强环的硅微通道板基体加工方法，采用电化学腐蚀方法制作微通道阵列，其特征在于:在电化学腐蚀制作微通道阵列工序中，在硅片(I)背面同时附着遮光环带(2)，遮光环带(2)与微通道腐蚀起点阵列圆形区域(3)同心，遮光环带(2)的环内区域就是微通道腐蚀起点阵列圆形区域(3)，遮光环带(2)与接触面电极(4)之间的环带形区域为切圆腐蚀区域(5)，在腐蚀阵列微通道(6)的同时在切圆腐蚀区域(5)腐蚀不规则分布微通道(7)；在通过硅片背面减薄使微通道通透的工序中，先采用干氧氧化工艺在微通道平滑内壁表面形成的SiO2层，作为微通道内壁的保护层，再进行硅片(I)背面化学腐蚀减薄，直至全部的微通道通透；在切圆形成硅微通道板基体加强环工序中，先去除切圆腐蚀区域(5)中的不规则分布微通道(7)内壁SiO2层，再腐蚀该微通道，使之彼此连通，最终使硅片分布微通道阵列部分与硅片周边部分分离，完成切圆工序，在获得的圆片状硅微通道板基体(8)周围有一圈加强环(9)；在硅微通道板基...

【专利技术属性】
技术研发人员：王蓟，王国政，端木庆铎，杨继凯，
申请(专利权)人：长春理工大学，
类型：发明
国别省市：