一种基于p型硅微通道表面均匀纳米修饰的方法技术

本发明专利技术涉及纳米材料与微结构技术领域，公开了一种基于均匀的化学镀镍硅微通道衬底结构上生长均匀纳米结构材料的方法，其步骤包括：通过激光切割出所需形状的从硅衬底剥离的硅微通道，用化学镀镍的方法在微通道表面均匀生长一层镍导电层；调整沉积镍的时间使得所得到的镀镍硅微通道的电阻低于两欧姆；然后在镀镍微通道表面通过水热法生长一层纳米结构，这层纳米结构是由CoMoO4这种复合金属氧化物构成的，本发明专利技术利用水热法在微米孔径的镀镍硅微通道表面和内部生长纳米结构，提高了结构的均匀性与稳定性，避免了物理方法输运材料到微通道内部造成的微通道的严重堵塞，同时自身具有良好的电化学活性，有望应用于新能源领域。

【技术实现步骤摘要】
一种基于p型硅微通道表面均匀纳米修饰的方法
本专利技术属于微机电系统
，具体地涉及一种基于p型硅微通道表面均匀纳米修饰的方法。
技术介绍
纳米修饰在进几十年材料科学方面广泛研究的课题，其特点是在硅，金属表面，金属氧化物，碳层等表面制作一层尺度在纳米级别的修饰材料。这种修饰层有着广泛的应用，包括锂离子电池，传感器，超级电容等。纳米材料的制作使得沉积在纳米材料表面的活性物质的比表面积得到极大的提高，活性物质效能得到了充分的利用，进而提高了器件的性能。目前为止，大部分纳米材料都是建立在不规则结构上的，比如泡沫镍，碳布，甚至是金属片之类的材料之上，很少有纳米结构制作在规则的硅微通道上。所以这项专利有着很大的现实意义。纳米钼科技包括三个研究领域：纳米级钼材料、纳米级钼器件、钼材和铝器件纳米级尺度的检测与表征。纳米钼材料是纳米钼科技的基础；纳米钼器件的研制水平和应用程度是衡量我们是否进入了纳米时代的重要标志；纳米尺度的检测与表征是纳米钼科技研究不可少的手段。因此，纳米钼材料的合成、检测与表征在纳米钼科技领域显得尤为重要。通过高温固相反应或高能球磨法得到的钼酸盐，具有良好的结晶度，作为光学材本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于p型硅微通道表面均匀纳米修饰的方法，其特征在于：其步骤为：(1)化学镀镍：用激光切割的方式将做好的硅微通道版切割成所需要的大小、形状；将切割好的硅微通道用物理及化学方法清洗，放入配置好的镀镍溶液中，在90℃的水浴环境下进行电化学镀镍；(2)电化学镀镍：为了提高表面镍层的厚度，提高样品的导电性，需要在化学镀镍之后的样品表面用电化学的方法沉积一层100nm厚度的镍层；(3)生长纳米结构：将处理过的硅微通道放入配置好的反应溶液使用水热法生长花瓣状材料，这种高温高压的环境沉积CoMoO4纳米结构展现出良好的均匀性和一致性。

【技术特征摘要】
1.一种基于p型硅微通道表面均匀纳米修饰的方法，其特征在于：其步骤为：(1)化学镀镍：用激光切割的方式将做好的硅微通道板切割成所需要的大小、形状；将切割好的硅微通道用物理及化学方法清洗，放入配置好的镀镍溶液中，在90℃水浴环境下进行化学镀镍；(2)电化学镀镍：为了提高表面镍层的厚度，提高样品的导电性，需要在化学镀镍之后的样品表面用电化学的方法沉积一层100nm厚度的镍层；(3)生长纳米结构：将处理过的硅微通道放入配置好的反应溶液使用水热法生长花瓣状材料，这种高温高压的环境沉积CoMoO4纳米结构展现出良好的均匀性和一致性。2.根据权利要求1所述的一种基于p型硅微通道表面均匀纳米修饰的方法，其特征在于：步骤(1)中，所述化学沉积液为含有0.1～2mol/L的NiCl2·6H2O，0.1～2mol/L的Na2HPO4·7H2O，0.1～...

【专利技术属性】
技术研发人员：王连卫，李劢，徐少辉，朱一平，
申请(专利权)人：华东师范大学，上海欧普泰科技创业有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31