一种ITO靶材的阴极座优化方法技术

本发明专利技术公开一种ITO靶材的阴极座优化方法，包括以下步骤：（1）将若干套ITO靶材的阴极座装在连续式磁控溅射镀膜线上，每套ITO靶材的阴极座上设置三排磁铁，其中两排磁铁的个数为10片，中间一排磁铁的个数为9片；（2）设置在阴极座两侧的两排磁铁与中间一排磁铁的距离均为75mm～85mm；（3）调节ITO靶材的阴极座上的三排磁铁之间的间距，将阴极座两侧的两排磁铁之间的间距缩小为20mm～60mm。本发明专利技术对阴极座的磁铁排列进行优化，缩短三排磁铁间的距离20-60mm，从而缩小磁力线的分布范围，达到缩小ITO靶材的尺寸节省ITO靶材的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种ITO靶材的阴极座优化方法
本专利技术涉及ITO导电玻璃的制作领域，特别涉及一种ITO靶材的阴极座优化方法。
技术介绍
目前，ITO导电玻璃的制作是通过连续式磁控溅射镀膜线制作生产的，现有的在连续式磁控溅射镀膜线上安装的一套ITO靶材阴极座的数量及其规格为10片50*50*6mm+9片310*60*6mm，这样一套ITO靶材的重量为8.84kg；在连续式磁控溅射镀膜线上装满ITO靶材阴极座的重量就相当大了，然而，在不影响制作ITO导电玻璃的前提下，ITO靶材阴极座的规格和重量可减少适当的范围，以降低ITO靶材阴极座的制作成本。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有技术的上述缺陷，提供一种ITO靶材的阴极座优化方法。该方法可大大减少每套ITO靶的重量，降低制作成本。为解决现有技术的上述缺陷，本专利技术提供的技术方案是：一种ITO靶材的阴极座优化方法，包括以下步骤：（1）、将若干套ITO靶材的阴极座装在连续式磁控溅射镀膜线上，每套ITO靶材的阴极座上设置三排磁铁，其中两排磁铁的个数为10片，中间一排磁铁的个数为9片；（2）、设置在阴极座两侧的两排磁铁与中间一排磁铁的距离均为75mm～85mm；（3）、调节ITO靶材的阴极座上的三排磁铁之间的间距，将阴极座两侧的两排磁铁之间的间距缩小为20mm～60mm。作为本专利技术ITO靶材的阴极座优化方法的一种改进，第（1）步所述阴极座两侧的两排磁铁的磁铁尺寸为50mm×65mm×6mm。作为本专利技术ITO靶材的阴极座优化方法的一种改进，第（1）步所述中间一排磁铁的磁铁尺寸为300mm×50mm×6mm。作为本专利技术ITO靶材的阴极座优化方法的一种改进，第（1）步所述每套ITO靶材的阴极座重量为7.99kg。作为本专利技术ITO靶材的阴极座优化方法的一种改进，第（3）步所述阴极座两侧的两排磁铁之间的间距为60mm。与现有技术相比，本专利技术的优点是：本专利技术对阴极座的磁铁排列进行优化，缩短三排磁铁间的距离20-60mm，从而缩小磁力线的分布范围，达到缩小ITO靶材的尺寸节省ITO靶材的目的，原来每套ITO靶的尺寸为1130×195×6mm，重量约为8.84KG，对阴极座磁铁排列进行优化后，现在每套ITO靶的尺寸为1140×165×6mm，重量约为7.99KG，这样每套ITO靶节省0.85KG，每套ITO靶材节省成本约4335元。具体实施方式下面就根据对比数据具体描述本专利技术。一种ITO靶材的阴极座优化方法，包括以下步骤：（1）、将若干套ITO靶材的阴极座装在连续式磁控溅射镀膜线上，每套ITO靶材的阴极座上设置三排磁铁，其中两排磁铁的个数为10片，中间一排磁铁的个数为9片；（2）、设置在阴极座两侧的两排磁铁与中间一排磁铁的距离均为75mm～85mm；（3）、调节ITO靶材的阴极座上的三排磁铁之间的间距，将阴极座两侧的两排磁铁之间的间距缩小为20mm～60mm。优选的，第（1）步所述阴极座两侧的两排磁铁的磁铁尺寸为50mm×65mm×6mm。优选的，第（1）步所述中间一排磁铁的磁铁尺寸为300mm×50mm×6mm。优选的，第（1）步所述每套ITO靶材的阴极座重量为7.99kg。优选的，第（3）步所述阴极座两侧的两排磁铁之间的间距为60mm。将优化的阴极座装在连续式磁控溅射镀膜线的A面，B面装优化前的阴极座，该设备属于双面镀单面膜，装好后开机做同样的ITO玻璃产品，出来的产品分开放置，统计ITO玻璃产品的数量，直到ITO靶材用完为止，具体实验数据如下表：原使用的ITO靶阴极座设计较大，导致购买一套的ITO靶材尺寸为10片50×50×6mm+9片310×60×6mm，这样一套ITO靶材的重量为8.84kg。为了节省ITO靶材，我们重新设计阴极座的磁场，优化磁场后一套ITO靶材尺寸为10片50×65×6mm+9片300×50×6mm，这样一套ITO靶材的重量为7.99kg，优化磁场后每套ITO靶材节省重量约为0.85kg。由以上数据可知：两种不同规格的ITO靶材的产量相差不大，也就是说优化阴极座导致的修改ITO靶材规格尺寸对产品的产量没有影响，但却可以节省ITO靶材重量，每套能节约4335元。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ITO靶材的阴极座优化方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）、将若干套ITO靶材的阴极座装在连续式磁控溅射镀膜线上，每套ITO靶材的阴极座上设置三排磁铁，其中两排磁铁的个数为10片，中间一排磁铁的个数为9片；（2）、设置在阴极座两侧的两排磁铁与中间一排磁铁的距离均为75mm～85mm；（3）、调节ITO靶材的阴极座上的三排磁铁之间的间距，将阴极座两侧的两排磁铁之间的间距缩小为20mm～60mm。

【技术特征摘要】
1.一种ITO靶材的阴极座优化方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）、将若干套ITO靶材的阴极座装在连续式磁控溅射镀膜线上，每套ITO靶材的阴极座上设置三排磁铁，其中两排磁铁的个数为10片，中间一排磁铁的个数为9片；（2）、设置在阴极座两侧的两排磁铁与中间一排磁铁的距离均为75mm～85mm；（3）、调节ITO靶材的阴极座上的三排磁铁之间的间距，将阴极座两侧的两排磁铁之间的间距缩小为20mm～60mm。2.根据权利要求1所述的ITO靶材的阴极座优化方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建湘，陈新文，卢玮杰，薛仁奎，
申请(专利权)人：永州市新辉开科技有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43