一种阴极活性发射材料的制备方法技术

本发明专利技术是一种阴极活性发射材料的制备方法，制备步骤如下：第一步：将碳酸钡锶钙盐置于镍舟中，再将镍舟推入氢炉进行加热分解，获得钡锶钙氧化物；第二步：用研钵分别地将钡锶钙氧化物、411钡铝酸盐和氧化钪材料研成粉末，研磨时避免不同材料间产生交叉污染；第三步：按照钡锶钙氧化物35～50wt％∶411钡铝酸盐35～50wt％∶氧化钪为5～30wt％的比例，分别称取钡锶钙氧化物、411钡铝酸盐和氧化钪这三种物质的粉末，倒入同一研钵中，混合研磨约30分钟，得到活性发射材料；第四步：将制备好的活性发射材料倒入广口瓶中，封盖后置于低湿柜或干燥器中保存。本发明专利技术材料适用于各种规格的浸渍扩散阴极和覆膜浸渍扩散阴极，满足阴极批量生产的需要。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微波电真空器件制造，是一种扩散阴极制造中使用的活性发射材料。
技术介绍
在微波电真空器件制造
，覆膜浸溃扩散阴极(简称M型阴极)是一种普遍采用的阴极。其特征是将活性发射材料(钡铝酸盐)通过熔化和浸溃，存储到多孔的钨海绵体(阴极基体)的孔隙中，再在阴极表面沉积一层降低电子逸出功的贵金属或合金薄膜。覆膜浸溃扩散阴极具有可精密成形、发射电流密度大、抗中毒性能优异等特性，因而成为微波电真空器件制造优先采用的阴极类型。这些特性也使得该类阴极成为了研制新型阴极重要的参考蓝本。为满足国防、民用和大科学工程等发展的需要，微波电真空器件不断向高功率、高频率和小型化方向发展。这种发展趋势对阴极的发射性能提出了越来越高的要求。经过半个世纪的发展，常规的覆膜浸溃扩散阴极的发射潜力几乎被挖掘殆尽。例如，1050°C该类阴极的直流电流密度为4-6A/cm2，脉冲电流密度为8-20A/cm2。而一些新型器件(如太赫兹源器)已要求阴极的脉冲电流密度达到30A/cm2以上。为了满足这些器件的需要，传统的阴极需工作在1100-1150°C以上。大幅提高温度虽可提高阴极的电子发射能力，但本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阴极活性发射材料的制备方法，其特征在于，所述阴极活性发射材料的制备步骤如下：第一步：将碳酸钡锶钙盐置于镍舟中，再将镍舟推入氢炉进行加热分解，获得钡锶钙氧化物；第二步：用研钵分别地将钡锶钙氧化物、411钡铝酸盐和氧化钪材料研成粉末，研磨时避免不同材料间产生交叉污染；第三步：按照钡锶钙氧化物35～50wt％∶411钡铝酸盐35～50wt％∶氧化钪为5～30wt％的比例，分别称取钡锶钙氧化物、411钡铝酸盐和氧化钪这三种物质的粉末，倒入同一研钵中，混合研磨约30分钟，得到活性发射材料；第四步：将制备好的活性发射材料倒入广口瓶中，封盖后置于低湿柜或干燥器中保存。

【技术特征摘要】
1.一种阴极活性发射材料的制备方法，其特征在于，所述阴极活性发射材料的制备步骤如下: 第一步:将碳酸钡锶钙盐置于镍舟中，再将镍舟推入氢炉进行加热分解，获得钡锶钙氧化物； 第二步:用研钵分别地将钡锶钙氧化物、411钡铝酸盐和氧化钪材料研成粉末，研磨时避免不同材料间产生交叉污染； 第三步:按照钡锶钙氧化物35~50wt%: 411钡铝酸盐35~50wt%:氧化钪为5~30wt%的比例，分别称取钡锶钙氧化物、411钡铝酸盐和氧化钪这三种物质的粉末，倒入同一研钵中，混合研磨约30分钟，得到活性发射材料； 第四步:将制备好的活性发射材料倒入广口瓶中，封盖后置于低湿柜或干燥器中保存。2.如权利要求1所述的阴极活性发射材料的制备方法，其特征在于，所述混合研磨用研磨机进行混合和研磨替换研钵，研磨机进行混合和研磨的时间随混料数量作调整，混料数量小于200g，混合研磨时间为30分钟~60分钟。混料数量为200~500g，材料混合研磨时间为60分钟~90分钟。3.如权利要求1所述的阴极活性发射材料的制备方法，其特征在于，所述加热是从室温开始加...

【专利技术属性】
技术研发人员：阴生毅，彭真，王宇，李阳，王欣欣，郑强，
申请(专利权)人：中国科学院电子学研究所，
类型：发明
国别省市：