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一种新型场发射阴极的制备方法技术
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文档序号:8563812
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本发明提供一种新型场发射阴极的制备方法,提供基板,清洗并烘干该基板,在烘干后的基板表面上形成Zn材料层,将该Zn材料层热处理1-12小时,热处理温度为500-700℃,然后冷却,制得ZnO纳米线型场发射阴极。...
该专利属于青岛艾德森能源科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过青岛艾德森能源科技有限公司授权不得商用。
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