一种有机无机杂化材料修饰电极及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种有机无机杂化材料修饰电极及其制备方法，该修饰电极由基底电极和有机无机杂化薄膜组成，其中基底电极为贵金属电极，优选金、银、钯或铂；杂化薄膜材料的化学组成为X(en)3Ag2Y4，其中X=Ni、Co、Zn、Cd、Fe或Cu；en为乙二胺；Y=I、Cl或Br，薄膜厚度在500nm-100μm之间。该修饰电极的制备包括以下步骤：对基底电极进行表面预处理；将预处理后的电极浸泡于表面改性溶液中；配制杂化材料母液，并对该母液进行热处理；过滤母液，将修饰后的电极竖直插到滤液中，静置若干时间，得到杂化材料修饰电极。该修饰电极制备过程简便可控，可同时制备多只电极，具有良好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，所制备的修饰电极可 以应用在化工、食品安全或者医药卫生中DNA、蛋白质、氨基酸、重金属离子等检测。
技术介绍
1953年，Watson和Crick发现DNA的双螺旋结构，自此掀起了各学科的对DNA研 究热潮。DNA作为大多数生物的遗传物质，是生命化学的中心，同时也是研究生命现象的关 键，因此对DNA等生物质传感的研究在疾病诊断，药物开发，基因测序，食品监测等领域具 有重大的意义和巨大商业价值，如何提高其检测灵敏度以及解决选择性问题成为当今科学 研究的前沿与热点。在DNA传感器件的构建过程中，通常需要先将DNA探针分子固定到基底材料上，其 中常用的基底材料包括贵金属金、银、钼、钯等，以及碳纳米管、石墨烯等。以贵金属基底材 料为例，经过巯基接枝的DNA探针分子，通过巯基与贵金属间强的化学键相结合，固定在金 属基底上，进而实现与目标链分子的杂化。然而，在探针分子的固定过程中，由于无法控制 其在贵金属基底表面的分布，导致探针分子在基底上分布的不均匀性，进而在检测过程中， 阻碍了目标链分子有效的到达基底表面并与探针分子相结合，最终造成检测性能的下降。 针对这一问题，目前通常的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机无机杂化材料修饰电极，其特征在于由基底电极和有机无机杂化材料基质薄膜组成，其中所述的基底电极为贵金属电极；所述的有机无机杂化材料基质薄膜的化学组成为X(en)3Ag2Y4，其中X为Ni、Co、Zn、Cd、Fe或Cu；en为乙二胺；Y为I、Cl或Br，薄膜厚度在500nm?100um之间。

【技术特征摘要】
1.一种有机无机杂化材料修饰电极，其特征在于由基底电极和有机无机杂化材料基质薄膜组成，其中所述的基底电极为贵金属电极；所述的有机无机杂化材料基质薄膜的化学组成为父(611)4&￥4，其中父为附、(0、211、〇(1、卩6或(11 ;en为乙二胺；Y为1、Cl或Br，薄膜厚度在500nm-100um之间。2.根据权利要求1所述的有机无机杂化材料修饰电极，其特征在于所述的贵金属为金、银、钮或钼。3.一种制备如权利要求1所述的有机无机杂化材料修饰电极的方法，其具体步骤如下 1)将基底电极进行表面预处理； 2)将预处理后的基底电极浸泡在表面改性溶液中，改性溶液浓度为0.01-0. 1M，改性时间控制在5-30h ； 3)分别配制阴离子为[Ag2Y4]2_以及阳离子为》(611)3]2+的队^甲基甲酰胺溶液其中 Y=KCl 或 Br ;X 为 N1、Co、Zn、Cd、Fe 或 Cu ； 4)将配制好的[Ag2Y4]2-和[X...

【专利技术属性】
技术研发人员：金万勤，石磊，储震宇，任小明，
申请(专利权)人：南京工业大学，
类型：发明
国别省市：