太阳能电池片及其扩散方法技术

本发明专利技术公开了一种太阳能电池片及其扩散方法，包括：将硅片放入扩散炉中；将扩散炉内温度升至第一温度，同时向扩散炉中通入含三氯氧磷的氮气和氧气，保持时间为第一时间；将扩散炉内温度升至第二温度，同时向扩散炉内通入氧气，保持时间为第二时间；保持扩散炉内温度为第二温度，停止向扩散炉内通入氧气，保持时间为第三时间；对扩散炉进行降温，降温结束后取出硅片。本发明专利技术公开的扩散方法，通过高温有氧和高温无氧两步推进磷扩散，在降低硅片表面杂质浓度的同时提高了扩散的均匀性，提高了太阳能电池对光的吸收率，从而提高了太阳能电池的转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池
，更具体地说，涉及一种。
技术介绍
太阳能电池，也称光伏电池，是一种将太阳的光能直接转化为电能的半导体器件。由于它是绿色环保产品，不会引起环境污染，而且是可再生资源，所以在当今能源短缺的情形下，太阳能电池是一种有广阔发展前途的新型能源。目前的太阳能电池片的生产过程可以分为以下几个主要步骤 1、损伤层的去除及绒面制备，通过化学反应除去硅片表面的切割损伤层，同时得到合理的粗糙表面，以增强光的吸收。2、扩散制作PN结，将P型的硅片放入扩散炉内，通过硅原子之间的空隙使N型杂质原子由硅片表面层向硅片内部扩散，形成PN结，使电子和空穴在流动后不再回到原处，这样便形成电流，也就使硅片具有光伏效应。3、表面PSG (phosphate silicate glass,即磷娃玻璃)的去除,去除娃片在扩散的过程中表面生成的PSG，避免因玻璃层的存在而影响金属电极与硅片的接触，从而提高电池的转换效率。4、周边PN的去除，去除扩散过程中在硅片边缘形成的将PN结短路的导电层。5、减反射层的制备，在硅片表面沉积一层氮化硅减反射层，利用薄膜干涉原理，减少光的反射，起到钝化作用，增大本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种扩散方法，其特征在于，包括：A、将硅片放入扩散炉中；B、将扩散炉内温度升至第一温度，同时向扩散炉中通入含三氯氧磷的氮气和氧气，保持时间为第一时间；C、将扩散炉内温度升至第二温度，同时向扩散炉内通入氧气，保持时间为第二时间，其中，第二温度大于第一温度；D、保持扩散炉内温度为第二温度，停止向扩散炉内通入氧气，保持时间为第三时间；E、对扩散炉进行降温，降温结束后取出硅片。

【技术特征摘要】
1.一种扩散方法，其特征在于，包括A、将硅片放入扩散炉中；B、将扩散炉内温度升至第一温度，同时向扩散炉中通入含三氯氧磷的氮气和氧气，保持时间为第一时间；C、将扩散炉内温度升至第二温度，同时向扩散炉内通入氧气，保持时间为第二时间，其中，第二温度大于第一温度；D、保持扩散炉内温度为第二温度，停止向扩散炉内通入氧气，保持时间为第三时间；E、对扩散炉进行降温，降温结束后取出硅片。2.根据权利要求1所述的扩散方法，其特征在于，所述第一温度的范围为 780V 800°C，包括端点值，所述第二温度的范围为820°C 840°C，包括端点值。3.根据权利要求2所述的扩散方法，其特征在于，所述第一时间的范围为 11. 5mirTl3. 5min,包括端点值,所述第二时间的范围为IOmirTl5min,包括端点值,所述第三时间的范围为2mirT5min，包括端点值。4.根据权利要求3所述的扩散方法，其特征在于，所述步骤B中含三氯氧磷的氮气和氧气的气体流量比为2:1 3:1,包括端点值。5.根据权利要求4所述的扩散...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘莉丽，
申请(专利权)人：英利集团有限公司，
类型：发明
国别省市：