微晶硅薄膜太阳能电池的真空热退火处理背电极技术制造技术

本发明专利技术关于一种微晶硅薄膜太阳能电池的真空热退火处理背电极技术，此技术包括玻璃、真空溅镀沉积第一透明导电层薄膜、真空溅镀沉积第一金属层薄膜、真空溅镀沉积第二金属层薄膜、真空热退火处理、与真空溅镀沉积第二透明导电层薄膜。先在玻璃上依序真空溅镀沉积第一透明导电层薄膜、真空溅镀沉积第一金属层薄膜、真空溅镀沉积第二金属层薄膜、以真空热退火处理第二金属层薄膜表面平整化后、最后真空溅镀沉积第二透明导电层薄膜。本发明专利技术可将薄膜太阳能电池背电极表面平整化，进而改善微晶硅吸收层结构，提升基材型硅薄膜太阳能电池效率。

【技术实现步骤摘要】
微晶硅薄膜太阳能电池的真空热退火处理背电极技术
本专利技术关於一种微晶硅薄膜太阳能电池的真空热处理背电极技术，其目的系将基材型硅薄膜太阳能的背电极金属薄膜表面平整化，以提升薄膜太阳能电池效率。
技术介绍
目前，业界关於基材型微晶硅薄膜太阳能电池的背电极，其金属层薄膜在镀膜后并无任何的处理，但如此缺点是微晶硅薄膜在背电极上不易形成大晶粒的结构。微晶硅薄膜成长於基材型太阳能电池的背电极时，对於背电极膜面的平整程度相当敏感，完全平坦的背电极膜面虽易形成大晶粒的微晶硅薄膜，但由於反射率过高会导致吸收变小转换效率较低；相对的薄膜表面过於粗糙的背电极虽然吸收较高，但微晶硅薄膜沉积时却不易形成大晶粒的结构。
技术实现思路
本专利技术关於一种微晶硅薄膜太阳能电池的真空热退火处理背电极技术，此技术包括玻璃、真空溅镀沉积第一透明导电层薄膜、真空溅镀沉积第一金属层薄膜、真空溅镀沉积第二金属层薄膜、真空热退火处理、与真空溅镀沉积第二透明导电层薄膜。先在玻璃上依序真空溅镀沉积第一透明导电层薄膜、真空溅镀沉积第一金属层薄膜、真空溅镀沉积第二金属层薄膜、以真空热退火处理第二金属层薄膜表面平整化后、最后真空溅镀沉积第二透明导电层薄膜。本专利技术可将薄膜太阳能电池背电极表面平整化，进而改善微晶硅吸收层结构， 提升基材型硅薄膜太阳能电池效率。具体实施方示兹将本专利技术配合附图，详细说明如下请参阅图1，为本专利技术之动作流程方块示意图。由图中可知，先在玻璃上依序以真空溅镀沉积第一透明导电层薄膜、真空溅镀沉积第一金属层薄膜、真空溅镀沉积第二金属层薄膜、以真空热处理第二金属层 薄膜表面平整化后、最后真空溅镀沉积第二透明导电层薄膜。请参阅图2，图2是玻璃在真空溅镀系统承载腔之示意图。图中真空溅镀系统共有承载腔81、第一透明导电层薄膜溅镀腔92、第一金属层薄膜溅镀腔93、第二金属层薄膜溅镀腔94、真空加热腔82、第二透明导电层薄膜溅镀腔95。请参阅图3，图3是薄膜沉积前之玻璃示意图。图中为薄膜沉积前之玻璃I。请参阅图4，图4是玻璃在真空溅镀系统中第一透明导电层薄膜溅镀腔之示意图。图中为玻璃I位於第一透明导电层薄膜溅镀腔92。请参阅图5,图5是玻璃上沉积第一透明导电层薄膜之示意图。即在玻璃I上沉积上第一透明导电层薄膜2请参阅图6，图6是玻璃在真空溅镀系统中第一金属层薄膜溅镀腔之示意图。图中为玻璃I位於第一金属层薄膜溅镀腔93。请参阅图7，图7是在第一透明导电层薄膜上沉积第一金属层薄膜之示意图。即在第一透明导电层薄膜2上接著沉积第一金属层薄膜3。请参阅图8，图8是玻璃在真空溅镀系统中第二金属层薄膜溅镀腔之示意图。图中为玻璃I位於第二金属层薄膜溅镀腔94。请参阅图9，图9是在第一金属层薄膜上沉积第二金属层薄膜之示意图。即在第一金属层薄膜3上沉积第二金属层薄膜4。请参阅图10，图10是玻璃在真空溅镀系统中真空加热腔之示意图。图中为玻璃I 位於真空加热腔82。请参阅图11，图11是真空热退火第二金属层后薄膜表面平整化之示意图。请参阅图12，图12是玻璃在真空溅镀系统中第二透明导电层薄膜溅镀腔之示意图。图中为玻璃I位於第二透明导电层薄膜溅镀腔95。请参阅图13，图13是在表面平整化的第二金属层上沉积第二透明导电层之示意图。即在平整化后的第二金属层薄膜4上沉积第二透明导电层5。附图说明下面结合附图与实施例对本专利技术进一步说明。图1是本专利技术之动作流程方块示意图。图2是玻璃在真空溅镀系统承载腔之示意图。图3是薄膜沉积前之玻璃示意图。图4是玻璃在真空溅镀系统中第一透明导电层薄膜溅镀腔之示意图。图5是玻璃上沉积第一透明导电层薄膜之不意图。 图6是玻璃在真空溅镀系统中第一金属层薄膜溅镀腔之示意图。图7是在第一透明导电层薄膜上沉积第一金属层薄膜之示意图。图8是玻璃在真空溅镀系统中第二金属层薄膜溅镀腔之示意图。图9是在第一金属层薄膜上沉积第二金属层薄膜之示意图。图10是玻璃在真空溅镀系统中真空加热腔之示意图。图11是真空热退火第二金属层后薄膜表面平整化之示意图。图12是玻璃在真空溅镀系统中第二透明导电层薄膜溅镀腔之示意图。图13是在表面平整化的第二金属层上沉积第二透明导电层之示意图。主要元件符号说明1…玻璃2…第一透明导电层薄膜3…第一金属层薄膜4 …第二金属层薄膜5…第二透明导电层薄膜81…承载腔92…第一透明导电层薄膜溅镀腔93…第一金属层薄膜溅镀腔94…第二金属层薄膜溅镀腔82…真空加热腔95…第二透明导电层薄膜溅镀腔。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微晶硅薄膜太阳能电池的真空热退火处理背电极技术，此技术包括玻璃、真空溅镀沉积第一透明导电层薄膜、真空溅镀沉积第一金属层薄膜、真空溅镀沉积第二金属层薄膜、真空热退火处理、与真空溅镀沉积第二透明导电层薄膜，先在玻璃上依序真空溅镀沉积第一透明导电层薄膜、真空溅镀沉积第一金属层薄膜、真空溅镀沉积第二金属层薄膜、以真空热退火处理第二金属层薄膜表面平整化后、最后真空溅镀沉积第二透明导电层薄，本专利技术可将薄膜太阳能电池背电极表面平整化，进而改善微晶硅吸收层结构，提升基材型硅薄膜太阳能电池效率。

【技术特征摘要】
1.一种微晶硅薄膜太阳能电池的真空热退火处理背电极技术，此技术包括玻璃、真空溅镀沉积第一透明导电层薄膜、真空溅镀沉积第一金属层薄膜、真空溅镀沉积第二金属层薄膜、真空热退火处理、与真空溅镀沉积第二透明导电层薄膜，先在玻璃上依序真空溅镀沉积第一透明导电层薄膜、真空溅镀沉积第一金属层薄膜、真空溅镀沉积第二金属层薄膜、以真空热退火处理第二金属层薄膜表面平整化后、最后真空溅镀沉积第二透明导电层薄，本发明可将薄膜太阳能电池背电极表面平整化，进而改善微晶硅吸收层结构，提升基材型硅薄膜太阳能电池效率。2.根据权利要求1所述的一种微晶硅薄膜太阳能电池的真空热退火处理背电极技术，真空溅镀系统共有承载腔、第一透明导电层薄膜溅镀腔、第一金属层薄膜溅镀腔、第二金属层薄膜溅镀腔、真空加热腔、第二透明导电层薄膜溅镀腔，其中真空加热腔进一步设有加热器。3.根据权利要求1所述的一种微晶硅薄膜太阳能电池的真空热退火处理背电极技术，其中该第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宏昌，刘幼海，刘吉人，
申请(专利权)人：吉富新能源科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：