制造薄膜晶体管的方法和制造有机发光显示设备的方法技术

制造薄膜晶体管的方法和制造有机发光显示设备的方法。薄膜晶体管制造方法允许在与半导体图案相对的绝缘、传导层、金属膜的三层上形成第一光刻胶图案。在通过第一离子注入工序形成源区域和漏区域之前，通过蚀刻工序形成第一金属图案和传导图案。从第一光刻胶图案得到具有比第一光刻胶图案的宽度更窄的宽度的第二光刻胶图案。第一金属图案被重形成为具有比第二光刻胶图案的宽度更窄的第二金属图案。进行包括去除第二光刻胶图案、在所述半导体图案中形成轻掺杂漏LDD区域以及在所述半导体图案中形成栅交叠轻掺杂漏GOLDD区域的处理；在第二绝缘膜上形成源极和漏极之前形成第二绝缘膜。

【技术实现步骤摘要】

实施方式涉及制造薄膜晶体管的方法。另外，实施方式涉及制造有机发光显示设备的方法。
技术介绍
本申请要求2011年9月20日提交的韩国专利申请No. 10-2011-0094829的优先权,其全部内容通过引用合并于此。广泛开发了用于显示信息的设备。显示设备包括液晶显示(IXD)设备、有机发光显示(OLED)设备、电泳显示设备、场发射显示(FED)设备和等离子体显示设备。在这些显示设备中，与IXD设备相比，OLED设备具有更低的功率消耗、更宽的视角、更轻的重量和更高的亮度。因此，OLED设备被认为是下一代显示设备。一般地，制造OLED设备的处理工序是复杂的。换句话说，制造OLED设备需要使用大量的掩模。由于复杂的制造处理工序，制造时间延长，制造成本增加并且生产率劣化。
技术实现思路
因此，实施方式关注于薄膜晶体管制造方法和OLED设备制造方法，基本上消除了由于现有技术的限制和缺点引起的一个或者更多个问题。实施方式涉及适用于通过最小化掩模的数量来简化薄膜晶体管的结构的制造方法和具有该薄膜晶体管的OLED设备。另外，实施方式涉及适用于通过最小化掩模的数量来减少制造时间和成本并且增强生产率的薄膜晶体 管制造方法和OLED设备制造方法。将在以下的说明书中进行阐述本实施方式的其它特征及优点，并且一部分根据本说明书将是清楚的，或者可以从本实施方式的实践获知。本实施方式的这些优点可以通过在本书面描述及其权利要求书及附图中具体指出的结构来实现和获得。根据本专利技术的实施方式的第一个总体方面，一种薄膜晶体管制造方法，所述方法包括在基板上形成半导体图案；在包括所述半导体图案的所述基板上形成第一绝缘膜、 传导膜和金属膜；在所述金属膜上形成第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案具有比所述半导体图案的宽度更窄的宽度；通过使用所述第一光刻胶图案作为掩模蚀刻所述金属膜和所述传导膜来形成第一金属图案和传导图案；通过使用所述第一光刻胶图案作为掩模进行第一离子注入工序在所述半导体图案中形成源区域和漏区域；通过灰化工序形成第二光刻胶图案，所述第二光刻胶图案具有比所述第一光刻胶图案的宽度更窄的宽度；通过使用所述第二光刻胶图案作为掩模蚀刻所述第一金属图案形成第二金属图案，其中所述第二金属图案具有比所述第二光刻胶图案的宽度更窄的宽度，并且所述第二金属图案和所述传导图案形成栅极；通过使用第二光刻胶图案作为掩模的第二离子注入工序在所述半导体图案中形成LDD (轻掺杂漏)区域；去除所述第二光刻胶图案；通过使用第二金属图案作为掩模的第三离子注入工序在半导体图案中形成GOLDD (栅交叠LDD)区域；在包括所述栅极的所述基板上形成第二绝缘膜；以及在所述第二绝缘膜上形成分别电连接到所述源区域和漏区域的源极和漏极。根据本专利技术的实施方式的第二总体方面，一种OLED设备制造方法，所述方法包括在基板上形成半导体图案；在包括所述半导体图案的所述基板上形成第一绝缘膜、传导膜和金属膜；在所述金属膜上形成第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案具有比所述半导体图案的宽度更窄的宽度；通过使用所述第一光刻胶图案作为掩模蚀刻所述金属膜和所述传导膜来形成第一金属图案和传导图案；通过使用所述第一光刻胶图案作为掩模进行第一离子注入工序在所述半导体图案中形成源区域和漏区域；通过灰化工序从所述第一光刻胶图案形成第二光刻胶图案，所述第二光刻胶图案具有比所述第一光刻胶图案的宽度更窄的宽度；通过使用所述第二光刻胶图案作为掩模蚀刻所述第一金属图案形成第二金属图案，其中所述第二金属图案具有比所述第二光刻胶图案的宽度更窄的宽度，并且所述第二金属图案和所述传导图案形成栅极；进行包括去除第二光刻胶图案、在所述半导体图案中形成LDD (轻掺杂漏)区域以及在所述半导体图案中形成GOLDD (栅交叠LDD)区域的处理； 在所述基板的整个表面上形成第二绝缘膜；在所述第二绝缘膜上形成分别电连接到所述源区域和漏区域的源极和漏极；形成电连接到漏极的第一电极；形成具有露出第一电极的开口的堤层；以及在所述第一电极上形成有机发光层和第二电极。根据本专利技术的实施方式的第三个总体方面，一种OLED设备制造方法，所述方法包括在具有第一区域到第三区域的基板上形成第一半导体图案和第二半导体图案；在包括所述第一半导体图案和所述第二半导体图案的基板上形成第一绝缘膜、传导膜和金属膜； 在所述金属膜上对应于所述第一区域到所述第三区域形成第一光刻胶图案到第三光刻胶图案，并且所述第一光刻胶图案具有比所述第一半导体图案更窄的宽度，所述第二光刻胶图案对应于所述第二半导体图案；通过使用所述第一光刻胶图案到所述第三光刻胶图案作为掩模蚀刻所述金属膜和所述传导膜形成第一金属图案到第三金属图案和第一传导图案到第三传导图案；通过进行使用所述第一光刻胶图案作为掩模的第一离子注入工序在所述半导体图案中形成源区域和漏区域；从所述第一光刻胶图案形成具有比所述第一光刻胶图案的宽度更窄的宽度的第四光刻胶图案并且通过进行灰化工序去除所述第二光刻胶图案和所述第三光刻胶图案；形成 第四金属图案、第二电容器电极和第一电极，其中所述第四金属图案通过使用所述第四光刻胶图案作为掩模蚀刻第一金属图案从所述第一金属图案形成并且具有比所述第四光刻胶图案的宽度更窄的宽度，所述第二电容器电极和所述第一电极通过去除第二金属图案和第三金属图案从所述第二传导图案和第三传导图案形成，其中所述第四金属图案和所述第一传导图案形成栅极；去除所述第四光刻胶图案；进行包括去除第二光刻胶图案、在所述半导体图案中形成LDD (轻掺杂漏)区域以及在所述半导体图案中形成GOLDD (栅交叠LDD)区域的处理；在所述基板的整个表面上形成第二绝缘膜；在所述第二绝缘膜中形成露出第一电极的第一开口 ；在所述第二绝缘膜上形成电连接到所述源区域的源极和电连接到所述漏区域和所述第一电极的漏极；在所述第二绝缘膜上形成具有露出所述第一电极的第二开口的堤层；以及在所述第一电极上形成与所述第一电极一起形成有机发光兀件的有机发光层和第二电极。根据本专利技术的实施方式的第四个总体方面，一种OLED设备制造方法，所述方法包括在具有第一区域到第三区域的基板上形成第一半导体图案和第二半导体图案；在包括所述第一半导体图案和所述第二半导体图案的基板上形成第一绝缘膜、传导膜和第一金属膜；在所述金属膜上对应于所述第一区域到所述第三区域形成第一光刻胶图案到第三光刻胶图案，并且所述第一光刻胶图案具有比所述第一半导体图案更窄的宽度，所述第二光刻胶图案对应于所述第二半导体图案；通过使用所述第一光刻胶图案到所述第三光刻胶图案作为掩模蚀刻所述第一金属膜和所述传导膜形成第一金属图案到第三金属图案和第一传导图案到第三传导图案；通过进行使用所述第一光刻胶图案作为掩模的第一离子注入工序在所述半导体图案中形成源区域和漏区域；通过进行灰化工序形成第四光刻胶图案和第五光刻胶图案并且第四光刻胶图案具有比所述第一光刻胶图案的宽度更窄的宽度；形成第四金属图案和第二电容器电极，其中所述第四金属图案通过使用所述第四光刻胶图案作为掩模蚀刻第一金属图案从所述第一金属图案形成并且具有比所述第四光刻胶图案的宽度更窄的宽度，以及所述第二电容器电极从所述第二传导图案形成；去除所述第四光刻胶图案和所述第五光刻胶图案；进行本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括：在基板上形成半导体图案；在包括所述半导体图案的所述基板上形成第一绝缘膜、传导膜和金属膜；在所述金属膜上形成第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案具有比所述半导体图案的宽度更窄的宽度；通过使用所述第一光刻胶图案作为掩模蚀刻所述金属膜和所述传导膜来形成第一金属图案和传导图案；通过使用所述第一光刻胶图案作为掩模进行第一离子注入工序在所述半导体图案中形成源区域和漏区域；通过灰化工序从所述第一光刻胶图案形成第二光刻胶图案，所述第二光刻胶图案具有比所述第一光刻胶图案的宽度更窄的宽度；通过使用所述第二光刻胶图案作为掩模蚀刻所述第一金属图案来形成第二金属图案，其中所述第二金属图案具有比所述第二光刻胶图案的宽度更窄的宽度，并且所述第二金属图案和所述传导图案形成栅极；进行包括去除所述第二光刻胶图案、在所述半导体图案中形成轻掺杂漏LDD区域以及在所述半导体图案中形成栅交叠轻掺杂漏GOLDD区域的处理；在包括所述栅极的所述基板上形成第二绝缘膜；以及在所述第二绝缘膜上形成分别电连接到所述源区域和漏区域的源极和漏极。

【技术特征摘要】
2011.09.20 KR 10-2011-00948291.一种制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括在基板上形成半导体图案；在包括所述半导体图案的所述基板上形成第一绝缘膜、传导膜和金属膜；在所述金属膜上形成第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案具有比所述半导体图案的宽度更窄的宽度；通过使用所述第一光刻胶图案作为掩模蚀刻所述金属膜和所述传导膜来形成第一金属图案和传导图案；通过使用所述第一光刻胶图案作为掩模进行第一离子注入工序在所述半导体图案中形成源区域和漏区域；通过灰化工序从所述第一光刻胶图案形成第二光刻胶图案，所述第二光刻胶图案具有比所述第一光刻胶图案的宽度更窄的宽度；通过使用所述第二光刻胶图案作为掩模蚀刻所述第一金属图案来形成第二金属图案， 其中所述第二金属图案具有比所述第二光刻胶图案的宽度更窄的宽度，并且所述第二金属图案和所述传导图案形成栅极；进行包括去除所述第二光刻胶图案、在所述半导体图案中形成轻掺杂漏LDD区域以及在所述半导体图案中形成栅交叠轻掺杂漏GOLDD区域的处理；在包括所述栅极的所述基板上形成第二绝缘膜；以及在所述第二绝缘膜上形成分别电连接到所述源区域和漏区域的源极和漏极。2.根据权利要求1所述的方法，其中，进行的处理首先通过使用所述第二光刻胶图案作为掩模的第二离子注入工序在所述半导体图案中形成所述LDD区域，接着去除所述第二光刻胶图案，接着通过使用所述第二金属图案作为掩模的第三离子注入工序在所述半导体图案中形成所述GOLDD区域。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一金属图案和所述传导图案被过度蚀刻从而具有比所述第一光刻胶图案的宽度更窄的宽度。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述源区域和所述漏区域在所述半导体图案的被所述第一光刻胶图案露出的相对侧部分形成。5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述LDD区域分别形成在所述半导体图案的所述第二光刻胶图案与所述源区域之间以及所述第二光刻胶图案与所述漏区域之间。6.根据权利要求2所述的方法，其中，所述GOLDD区域分别形成在所述半导体图案中、 位于所述第二金属图案与所述LDD区域之间。7.根据权利要求1所述的方法，其中，进行的处理首先去除所述第二光刻胶图案，接着通过使用所述第二金属图案作为掩模的第二离子注入工序在所述半导体图案中形成所述 LDD区域和所述GOLDD区域。8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述GOLDD区域分别形成在所述半导体图案中、 位于所述第二金属图案与所述源区域和漏区域之间。9.根据权利要求7所述的方法，其中，用所述传导图案调整所述LDD区域和所述GOLDD 区域之间的离子密度差。10.一种制造有机发光显示设备的方法，所述方法包括在基板上形成半导体图案；在包括所述半导体图案的所述基板上形成第一绝缘膜、传导膜和金属膜；在所述金属膜上形成第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案具有比所述半导体图案的宽度更窄的宽度；通过使用所述第一光刻胶图案作为掩模蚀刻所述金属膜和所述传导膜来形成第一金属图案和传导图案；通过使用所述第一光刻胶图案作为掩模进行第一离子注入工序在所述半导体图案中形成源区域和漏区域；通过灰化工序从所述第一光刻胶图案形成第二光刻胶图案，所述第二光刻胶图案具有比所述第一光刻胶图案的宽度更窄的宽度；通过使用所述第二光刻胶图案作为掩模蚀刻所述第一金属图案来形成第二金属图案， 其中所述第二金属图案具有比所述第二光刻胶图案的宽度更窄的宽度，并且所述第二金属图案和所述传导图案形成栅极；进行包括去除所述第二光刻胶图案、在所述半导体图案中形成轻掺杂漏LDD区域以及在所述半导体图案中形成栅交叠轻掺杂漏GOLDD区域的处理；在所述基板的整个表面上形成第二绝缘膜；在所述第二绝缘膜上形成分别电连接到所述源区域和漏区域的源极和漏极；形成电连接到所述漏极的第一电极；形成具有露出所述第一电极的开口的堤层；以及在所述第一电极上形成有机发光层和第二电极。11.根据权利要求10所述的方法，其中，进行的处理首先通过使用第二光刻胶图案作为掩模的第二离子注入工序在所述半导体图案中形成所述LDD区域，接着去除所述第二光刻胶图案，并接着通过使用所述第二金属图案作为掩模的第三离子注入工序在所述半导体图案中形成所述GOLDD区域。12.根据权利要求10所述的方法，其中，进行的处理首先去除所述第二光刻胶图案，接着通过使用所述第二金属图案作为掩模的第二离子注入工序在所述半导体图案中形成所述LDD区域和所述GOLDD区域。13.—种制造有机发光显示设备的方法，所述方法包括在具有第一区域到第三区域的基板上形成第一半导体图案和第二半导体图案；在包括所述第一半导体图案和所述第二半导体图案的基板上形成第一绝缘膜、传导膜和金属膜；在所述金属膜上对应于所述第一区域到所...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔熙东，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：