一种溴化镧晶体内嵌稳峰源的方法技术

本发明专利技术涉及核辐射探测技术领域，提供一种溴化镧晶体内嵌稳峰源的方法，其内嵌稳峰源采用电镀镅241源，电镀源片外形为φ10mm×1mm，基底采用不锈钢材质，α粒子表面发射率~800cps；安装基座采用聚四氟乙烯配合PCB准直器制作而成，具有良好的重复性和高反光性能；晶体封装采用特氟龙包裹，使用环形聚四氟加工件使反光材料可紧贴晶体，增加反光效率。使用本方法制作的内嵌稳峰源可实现<3.0%的稳峰源分辨率，等效γ能量约为1.4MeV，0℃~50℃范围内温度稳定性在2%以内。解决了新型溴化镧晶体内嵌稳峰源的技术难题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及核辐射探测
，用于试验室及工程应用中使用溴化镧对放射性物质Y能量及强度进行探测，具体涉及。
技术介绍
溴化镧探测器是近年来研制成功的新型无机闪烁体，作为Y辐射探测器，其特点有(I)对X射线和Y射线具有高阻止本领，密度广5. 29g/cm3 ; (2)快闪烁时间，闪烁衰减时间 16ns ；(3)极高的能量分辨率，662keV的Y射线n 3% ； (4)稳定的温度特性；可应用于大多数能谱测量和剂量率测量领域，可替代NaI探测器和多数常温半导体探测器，其应用前景广阔。虽然溴化镧晶体具有比较稳定的温度特性(温度变化对光子输出数量影响较小)，但是与之配套进行测量的光电倍增管、电子学元器件等存在温度特性较差、老化等现象，故谱仪在连续运行过程中会出现能谱偏移。进而会发生寻峰错误，峰区计数率计算错误的现象。因此需要对探测装置进行稳峰操作。目前国内外普遍采用外置Y源作为稳峰源使用。Y源作为稳峰源存在一定的缺点1、Y源会在晶体中形成康普顿散射坪，该散射计数会对测量结果造成干扰；2、待测对象不能与稳峰源是同一种核素，否则会造成寻峰错误。目前国内外无内嵌a源作为溴化镧稳峰源的技术研究。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种溴化镧晶体内嵌稳峰源的方法，其特征在于该方法包括以下步骤：（1）使用静电沉积法将无载液态镅241源电镀在一个不锈钢基底上制作成电镀源片；（2）使用PCB板制作成出射α粒子准直器，准直器孔径为φ0.4~0.8mm，准直孔个数≥80个；准直器表面镀金作为光子反射层；（3）使用聚四氟乙烯加工成具有凹槽的安装基座，将电镀源片和准直器依次放入安装基座凹槽中，边缘使用紧固胶进行紧固，即可获得制作好的内嵌稳峰源；（4）将制作好的内嵌稳峰源紧贴经打磨处理过的溴化镧晶体，使用特氟龙反光带将内嵌稳峰源和晶体进行紧密包裹，再使用加工好的聚四氟环形压块将特氟龙反光带与内嵌稳峰源压紧；（5）将经步骤（4）处理后的溴...

【技术特征摘要】
1.一种溴化镧晶体内嵌稳峰源的方法，其特征在于该方法包括以下步骤 (1)使用静电沉积法将无载液态镅241源电镀在一个不锈钢基底上制作成电镀源片； (2)使用PCB板制作成出射a粒子准直器，准直器孔径为(tO.rO.8mm，准直孔个数> 80个；准直器表面镀金作为光子反射层； (3)使用聚四氟乙烯加工成具有凹槽的安装基座，将电镀源片和准直器依次放入安装基座凹槽中，边缘使用紧固胶进行紧固，即可获得制作好的内嵌稳峰源； (4)将制作好的内嵌稳峰源紧贴经打磨处理过的溴化镧晶体，使用特氟龙反光带将内嵌稳峰源和晶体进行紧密包裹，再使用加工好的聚四氟环形压块将特氟龙反光带与内嵌稳峰源压紧；...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗鹏，代传波，程翀，蔺常勇，刘单，吴荣俊，郭晓彬，郭智荣，左亮周，许浒，
申请(专利权)人：中国船舶重工集团公司第七一九研究所，
类型：发明
国别省市：