一种溴化镧晶体内嵌稳峰源的方法技术

本发明专利技术涉及核辐射探测技术领域，提供一种溴化镧晶体内嵌稳峰源的方法，其内嵌稳峰源采用电镀镅241源，电镀源片外形为φ10mm×1mm，基底采用不锈钢材质，α粒子表面发射率~800cps；安装基座采用聚四氟乙烯配合PCB准直器制作而成，具有良好的重复性和高反光性能；晶体封装采用特氟龙包裹，使用环形聚四氟加工件使反光材料可紧贴晶体，增加反光效率。使用本方法制作的内嵌稳峰源可实现<3.0%的稳峰源分辨率，等效γ能量约为1.4MeV，0℃~50℃范围内温度稳定性在2%以内。解决了新型溴化镧晶体内嵌稳峰源的技术难题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及核辐射探测
，用于试验室及工程应用中使用溴化镧对放射性物质Y能量及强度进行探测，具体涉及。
技术介绍
溴化镧探测器是近年来研制成功的新型无机闪烁体，作为Y辐射探测器，其特点有(I)对X射线和Y射线具有高阻止本领，密度广5. 29g/cm3 ; (2)快闪烁时间，闪烁衰减时间 16ns ；(3)极高的能量分辨率，662keV的Y射线n 3% ； (4)稳定的温度特性；可应用于大多数能谱测量和剂量率测量领域，可替代NaI探测器和多数常温半导体探测器，其应用前景广阔。虽然溴化镧晶体具有比较稳定的温度特性(温度变化对光子输出数量影响较小)，但是与之配套进行测量的光电倍增管、电子学元器件等存在温度特性较差、老化等现象，故谱仪在连续运行过程中会出现能谱偏移。进而会发生寻峰错误，峰区计数率计算错误的现象。因此需要对探测装置进行稳峰操作。目前国内外普遍采用外置Y源作为稳峰源使用。Y源作为稳峰源存在一定的缺点1、Y源会在晶体中形成康普顿散射坪，该散射计数会对测量结果造成干扰；2、待测对象不能与稳峰源是同一种核素，否则会造成寻峰错误。目前国内外无内嵌a源作为溴化镧稳峰源的技术研究。
技术实现思路
本专利技术就是针对上述
技术介绍
中的不足之处，而提供，它能够针对试验室及工程应用中使用的溴化镧探测器实现内嵌稳峰源进行稳谱，为探测系统提供一个已知能量的参考峰，提高探测系统的整体稳定性，避免出现寻峰错误，计算结果偏差等问题。本专利技术的目的是通过如下技术措施来实现的。—种溴化镧晶体内嵌稳峰源的方法，包括以下步骤(1)使用静电沉积法将无载液态镅241源电镀在一个不锈钢基底上制作成电镀源片； (2)使用PCB板制作成出射a粒子准直器，准直器孔径为(tO.rO.8mm，准直孔个数> 80个；准直器表面镀金作为光子反射层； (3)使用聚四氟乙烯加工成具有凹槽的安装基座，将电镀源片和准直器依次放入安装基座凹槽中，边缘使用紧固胶进行紧固，即可获得制作好的内嵌稳峰源； (4)将制作好的内嵌稳峰源紧贴经打磨处理过的溴化镧晶体，使用特氟龙反光带将内嵌稳峰源和晶体进行紧密包裹，再使用加工好的聚四氟环形压块将特氟龙反光带与内嵌稳峰源压紧； (5)将经步骤(4)处理后的溴化镧晶体放入金属密封筒中，将粘贴好导光玻璃的密封盖与金属密封筒旋紧，并涂上密封胶进行密封，固化24小时后即可使用。在上述技术方案中，步骤(I)中所述电镀在不锈钢基底上的镅源活性区厚度为I Pm，镅源活度为2kBq，表面发射率为800cps。在上述技术方案中，步骤(2)中所述准直器孔径为￠0. 6mm，准直孔个数为100个。在上述技术方案中，步骤(4)中所述聚四氟环形压块为环形结构，可用于紧套在包裹了特氟龙反光带的内嵌稳峰源外围。使用本专利技术方法对溴化镧晶体进行内嵌稳峰源，其参考峰能量分辨率〈3. 0%，计数率>50cps，等效Y能量 1. 4MeV，(TC 50°C范围内温度稳定性在2%以内。参考峰无康普顿平台计数干扰。内嵌稳峰源具有良好的反光特性，溴化镧晶体对于662keV的Y射线能量分辨率< 4. 0%。本专利技术能够为溴化镧探测器提供稳定的参考峰，为溴化镧晶体的应用普及提供了技术支持。附图说明 图1是本专利技术中内嵌稳峰源封装结构示意图。图2是本专利技术中内嵌稳峰源与溴化镧晶体安装密封方法的示意图。其中1.准直器，2.镅241源，3.安装基座，4.金属密封筒，5.聚四氟环形压块，6.内嵌稳峰源,7.溴化镧晶体,8.密封盖。具体实施例方式下面结合附图及实施例对本专利技术作进一步的描述。如图1、2所示，本实施例提供，该方法包括以下步骤1、制作电镀源片，使用静电沉积法将无载液态镅241源电镀在一个$ IOmmX Imm的不锈钢基底上，镅源活度约为2kBq，表面发射率约为800cps，镅源活性区厚度为I y m。2、使用表面镀金的PCB板制作一个用于对出射a粒子进行准直的准直器，准直器孔径为0 0. 6mm，准直孔个数约100个。3、使用聚四氟乙烯加工成具有凹槽的安装基座，将电镀源片和准直器依次放入安装基座凹槽中，边缘使用紧固胶进行紧固，即可获得制作好的内嵌稳峰源。4、将制作好的内嵌稳峰源紧贴打磨好的溴化镧晶体，使用特氟龙反光带对其进行紧密包裹，只在与内嵌稳峰源相对的溴化镧晶体端面不进行包裹。5、使用加工好的聚四氟环形压块将特氟龙反光带与内嵌稳峰源压紧，使反光材料可紧贴晶体，增加反光效率；所述聚四氟环形压块为环形结构，可用于紧套在包裹了特氟龙反光带的内嵌稳峰源外围。6、将装配完成的溴化镧晶体放入金属密封筒中，将粘贴好导光玻璃的密封盖与金属密封筒旋紧，并涂上密封胶进行防潮密封，固化24小时后即可使用。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种溴化镧晶体内嵌稳峰源的方法，其特征在于该方法包括以下步骤：（1）使用静电沉积法将无载液态镅241源电镀在一个不锈钢基底上制作成电镀源片；（2）使用PCB板制作成出射α粒子准直器，准直器孔径为φ0.4~0.8mm，准直孔个数≥80个；准直器表面镀金作为光子反射层；（3）使用聚四氟乙烯加工成具有凹槽的安装基座，将电镀源片和准直器依次放入安装基座凹槽中，边缘使用紧固胶进行紧固，即可获得制作好的内嵌稳峰源；（4）将制作好的内嵌稳峰源紧贴经打磨处理过的溴化镧晶体，使用特氟龙反光带将内嵌稳峰源和晶体进行紧密包裹，再使用加工好的聚四氟环形压块将特氟龙反光带与内嵌稳峰源压紧；（5）将经步骤（4）处理后的溴化镧晶体放入金属密封筒中，将粘贴好导光玻璃的密封盖与金属密封筒旋紧，并涂上密封胶进行密封，固化24小时后即可使用。

【技术特征摘要】
1.一种溴化镧晶体内嵌稳峰源的方法，其特征在于该方法包括以下步骤 (1)使用静电沉积法将无载液态镅241源电镀在一个不锈钢基底上制作成电镀源片； (2)使用PCB板制作成出射a粒子准直器，准直器孔径为(tO.rO.8mm，准直孔个数> 80个；准直器表面镀金作为光子反射层； (3)使用聚四氟乙烯加工成具有凹槽的安装基座，将电镀源片和准直器依次放入安装基座凹槽中，边缘使用紧固胶进行紧固，即可获得制作好的内嵌稳峰源； (4)将制作好的内嵌稳峰源紧贴经打磨处理过的溴化镧晶体，使用特氟龙反光带将内嵌稳峰源和晶体进行紧密包裹，再使用加工好的聚四氟环形压块将特氟龙反光带与内嵌稳峰源压紧；...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗鹏，代传波，程翀，蔺常勇，刘单，吴荣俊，郭晓彬，郭智荣，左亮周，许浒，
申请(专利权)人：中国船舶重工集团公司第七一九研究所，
类型：发明
国别省市：